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1. 发明专利

TW200840103A 相變化記憶體裝置以及製造該裝置之方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：相变化内存设备以及制造该设备之方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200840103A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096143114
申请日：2007-11-14
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：安亨根 AN, HYEONG-GEUN , 堀井秀樹 HORII, HIDEKI , 辛宗燦 SHIN, JONG-CHAN , 安東浩 AHN, DONG-HO , 晙洙 BAE, JUN-SOO , 朴正熙 PARK, JEONG-HEE
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1683
摘要：本發明提供一種相變化記憶體裝置及一種製造該裝置之方法。在一基板上提供一具有一第一表面之第一電極。一具有一第二表面之第二電極位於該基板上,該第二表面位於一不同於該第一表面之水平面處。該第二電極可與該第一電極間隔開。可形成一對應於該第一電極之第三電極。可形成一對應於該第二電極之第四電極。可在該第一表面與該第三電極之間插入一第一相變化圖案。可在該第二表面與該第四電極之間插入一第二相變化圖案。該第一相變化圖案及該第二相變化圖案之上表面可位於同一平面上。
简体摘要：本发明提供一种相变化内存设备及一种制造该设备之方法。在一基板上提供一具有一第一表面之第一电极。一具有一第二表面之第二电极位于该基板上,该第二表面位于一不同于该第一表面之水平面处。该第二电极可与该第一电极间隔开。可形成一对应于该第一电极之第三电极。可形成一对应于该第二电极之第四电极。可在该第一表面与该第三电极之间插入一第一相变化图案。可在该第二表面与该第四电极之间插入一第二相变化图案。该第一相变化图案及该第二相变化图案之上表面可位于同一平面上。

2. 发明专利

TW200913156A 形成具有底部電極之相位改變記憶體裝置的方法 METHODS OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICES HAVING BOTTOM ELECTRODES 审中-公开
简体标题：形成具有底部电极之相位改变内存设备的方法 METHODS OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICES HAVING BOTTOM ELECTRODES
公开(公告)号：TW200913156A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097126558
申请日：2008-07-11
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：安亨根 AN, HYEONG-GEUN , 安東浩 AHN, DONG-HO , 林洙 LIM, YOUNG-SOO , 河龍湖 HA, YONG-HO , 張準榮 JANG, JUN-YOUNG , 林東源 LIM, DONG-WON , 李玖瑞 LEE, GYEO-RE , 朴俊相 PARK, JOON-SANG , 高漢鳳 KO, HAN-BONG , 朴瑛琳 PARK, YOUNG-LIM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/16 , Y10S438/90
摘要：相位改變記憶體裝置可具有一基板上之底部圖案。線狀或L狀底部電極可經形成而與一基板上之各別底部圖案接觸且具有藉由該基板上之x軸及y軸方向之尺寸界定的頂部表面。沿該等底部電極之該頂部表面之該x軸的該尺寸具有小於一用以製造該相位改變記憶體裝置之光微影製程的一解析度限度之寬度。相位改變圖案可與該等底部電極之該頂部表面接觸而形成,以具有一大於該等底部電極之該頂部表面的該x軸方向及該y軸方向之該等尺寸中的每一者之寬度,且頂部電極可形成於該等相位改變圖案上,其中該線形狀或該L形狀表示該等底部電極在該x軸方向之一截面線形狀或一截面L形狀。
简体摘要：相位改变内存设备可具有一基板上之底部图案。线状或L状底部电极可经形成而与一基板上之各别底部图案接触且具有借由该基板上之x轴及y轴方向之尺寸界定的顶部表面。沿该等底部电极之该顶部表面之该x轴的该尺寸具有小于一用以制造该相位改变内存设备之光微影制程的一分辨率限度之宽度。相位改变图案可与该等底部电极之该顶部表面接触而形成,以具有一大于该等底部电极之该顶部表面的该x轴方向及该y轴方向之该等尺寸中的每一者之宽度,且顶部电极可形成于该等相位改变图案上,其中该线形状或该L形状表示该等底部电极在该x轴方向之一截面线形状或一截面L形状。

3. 发明专利

TW200826289A 相位變化記憶體裝置以及形成該相位變化記憶體裝置之方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：相位变化内存设备以及形成该相位变化内存设备之方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200826289A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096139379
申请日：2007-10-19
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：安東浩 AHN, DONG-HO , 堀井秀樹 HORII, HIDEKI , 辛宗燦 SHIN, JONG-CHAN , 晙洙 BAE, JUN-SOO , 安亨根 AN, HYEONG-GEUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/143 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , Y10S438/90
摘要：本發明提供一種相位變化記憶體裝置及一種形成該相位變化記憶體裝置之方法。根據該相位變化記憶體,第一插塞電極與第二插塞電極在一模製絕緣層中彼此間隔開。一相位變化圖案設置在該模製絕緣層上。該相位變化圖案接觸該第一插塞電極之頂部及該第二插塞電極頂部之第一部分。一互連電連接至該第二插塞電極頂部之第二部分。
简体摘要：本发明提供一种相位变化内存设备及一种形成该相位变化内存设备之方法。根据该相位变化内存,第一插塞电极与第二插塞电极在一模制绝缘层中彼此间隔开。一相位变化图案设置在该模制绝缘层上。该相位变化图案接触该第一插塞电极之顶部及该第二插塞电极顶部之第一部分。一互连电连接至该第二插塞电极顶部之第二部分。

4. 发明专利

TW200834910A 在相鄰單元之間具有共享的相位變化材料圖案之相位變化記憶體裝置以及包括相位變化記憶體之電子產品 PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PHASE CHANGE MATERIAL PATTERN SHARED BETWEEN ADJACENT CELLS AND ELECTRONIC PRODUCT INCLUDING THE PHASE-CHANGE MEMORY 审中-公开
简体标题：在相邻单元之间具有共享的相位变化材料图案之相位变化内存设备以及包括相位变化内存之电子产品 PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PHASE CHANGE MATERIAL PATTERN SHARED BETWEEN ADJACENT CELLS AND ELECTRONIC PRODUCT INCLUDING THE PHASE-CHANGE MEMORY
公开(公告)号：TW200834910A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096148276
申请日：2007-12-17
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：安亨根 AN, HYEONG-GEUN , 堀井秀樹 HORII, HIDEKI , 辛宗燦 SHIN, JONG-CHAN , 安東浩 AHN, DONG-HO , 晙洙 BAE, JUN-SOO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
摘要：本發明提供一種包括一相位變化材料圖案之相位變化記憶體裝置,其中該相位變化材料圖案之條帶由相鄰單元共享。該相位變化記憶體裝置包括以一矩陣陣列而排列之複數個底部電極。該相位變化材料圖案形成於該等底部電極上,且該相位變化材料圖案之該等條帶電連接至該等底部電極。該相位變化材料圖案之每一條帶連接至該等底部電極中之至少兩個對角相鄰底部電極。
简体摘要：本发明提供一种包括一相位变化材料图案之相位变化内存设备,其中该相位变化材料图案之条带由相邻单元共享。该相位变化内存设备包括以一矩阵数组而排列之复数个底部电极。该相位变化材料图案形成于该等底部电极上,且该相位变化材料图案之该等条带电连接至该等底部电极。该相位变化材料图案之每一条带连接至该等底部电极中之至少两个对角相邻底部电极。

5. 发明专利

TW200731512A 相位可改變記憶體單元陣列區域及其形成方法 PHASE CHANGEABLE MEMORY CELL ARRAY REGION AND METHOD OF FORMING THE SAME 失效
简体标题：相位可改变内存单元数组区域及其形成方法 PHASE CHANGEABLE MEMORY CELL ARRAY REGION AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200731512A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095141239
申请日：2006-11-08
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：安亨根 AN, HYEONG-GEUN , 堀井秀樹 HORII, HIDEKI , 姜相列 KANG, SANG-YEOL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/144 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/165 , H01L45/1666
摘要：本發明提供一種相位可改變記憶體單元陣列區域,其包括一下層間絕緣層,其安置於一半導體基板上。該區域亦包括複數個導電栓塞,其穿過該下層間絕緣層而安置。該區域亦包括一相位可改變材料圖案,其可操作地安置於該下層間絕緣層上,該相位可改變圖案覆蓋該複數個導電栓塞中至少兩者,其中該相位可改變材料圖案包括與該複數個導電栓塞之一或多者接觸的複數個第一區域及插入於該複數個第一區域之間的至少一第二區域,其中該至少一第二區域具有一比該複數個第一區域低之熱導率。該相位可改變記憶體單元陣列區域亦包括一上層間絕緣層,其覆蓋該相位可改變材料圖案及該下層間絕緣層中之至少一者。該區域亦包括導電圖案,其穿過該上層間絕緣層而安置且電連接至該複數個第一區域之複數個預定區域。
简体摘要：本发明提供一种相位可改变内存单元数组区域,其包括一下层间绝缘层,其安置于一半导体基板上。该区域亦包括复数个导电栓塞,其穿过该下层间绝缘层而安置。该区域亦包括一相位可改变材料图案,其可操作地安置于该下层间绝缘层上,该相位可改变图案覆盖该复数个导电栓塞中至少两者,其中该相位可改变材料图案包括与该复数个导电栓塞之一或多者接触的复数个第一区域及插入于该复数个第一区域之间的至少一第二区域,其中该至少一第二区域具有一比该复数个第一区域低之热导率。该相位可改变内存单元数组区域亦包括一上层间绝缘层,其覆盖该相位可改变材料图案及该下层间绝缘层中之至少一者。该区域亦包括导电图案,其穿过该上层间绝缘层而安置且电连接至该复数个第一区域之复数个预定区域。

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