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1. 发明专利

TW201340522A 靜電放電保護電路审中-公开
简体标题：静电放电保护电路
公开(公告)号：TW201340522A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102101642
申请日：2013-01-16
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全燦熙 , JEON, CHAN HEE , 金杜炯 , KIM, DOO HYUNG , 金漢求 , KIM, HAN GU , 徐宇鎮 , SEO, WOO JIN , 李起泰 , LEE, KI TAE , 任弘郁 , LIM, HONG WOOK
IPC分类号： H02H9/00
CPC分类号： H02H9/044 , H02H9/046
摘要：一種靜電放電保護電路包含：第一電力線；第二電力線；接地線；兩個堆疊電晶體，串聯連接於第一電力線與接地線之間；第一電阻器，連接於第一電力線與第一節點之間；第一電晶體以及電容器，串聯連接於第一節點與接地線之間；第二電晶體，連接於第二電力線與第二節點之間；第三電晶體，連接於第一電力線與第三節點之間；反相器，連接於第三節點與接地線之間且具有連接至第二節點之輸入端；第四電晶體，連接至第一電力線且具有連接至第二節點之閘極；以及第五電晶體，連接於第二電力線與第三節點之間且具有連接至第四電晶體之端子之閘極。
简体摘要：一种静电放电保护电路包含：第一电力线；第二电力线；接地线；两个堆栈晶体管，串联连接于第一电力线与接地线之间；第一电阻器，连接于第一电力线与第一节点之间；第一晶体管以及电容器，串联连接于第一节点与接地线之间；第二晶体管，连接于第二电力线与第二节点之间；第三晶体管，连接于第一电力线与第三节点之间；反相器，连接于第三节点与接地线之间且具有连接至第二节点之输入端；第四晶体管，连接至第一电力线且具有连接至第二节点之闸极；以及第五晶体管，连接于第二电力线与第三节点之间且具有连接至第四晶体管之端子之闸极。

2. 发明专利

TWI624061B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI624061B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103107676
申请日：2014-03-06
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全燦熙 , JEON, CHAN HEE , 權銀景 , KWON, EUN KYOUNG , 金一龍 , KIM, IL RYONG , 金漢求 , KIM, HAN GU , 徐宇鎭 , SEO, WOO JIN , 李起泰 , LEE, KI TAE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

3. 发明专利

TWI581536B 靜電放電保護電路有权
简体标题：静电放电保护电路
公开(公告)号：TWI581536B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102101642
申请日：2013-01-16
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全燦熙 , JEON, CHAN HEE , 金杜炯 , KIM, DOO HYUNG , 金漢求 , KIM, HAN GU , 徐宇鎮 , SEO, WOO JIN , 李起泰 , LEE, KI TAE , 任弘郁 , LIM, HONG WOOK
IPC分类号： H02H9/00
CPC分类号： H02H9/044 , H02H9/046

4. 发明专利

TW201448220A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201448220A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103107676
申请日：2014-03-06
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：全燦熙 , JEON, CHAN HEE , 權銀景 , KWON, EUN KYOUNG , 金一龍 , KIM, IL RYONG , 金漢求 , KIM, HAN GU , 徐宇鎭 , SEO, WOO JIN , 李起泰 , LEE, KI TAE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
摘要：在一實施態樣中，該半導體裝置包括至少一有源鰭片自一基材突出，一第一閘極電極橫越該有源鰭片，以及一第一雜質區域形成於該有源鰭片上於該第一閘極電極之第一側處。第一雜質區域的至少一部份係形成於該有源鰭片上之一第一磊晶層部份中。一第二雜質區域係形成於該有源鰭片上於該第一閘極電極之第二側處。該第二雜質區域具有至少一部份不形成於一磊晶層中。
简体摘要：在一实施态样中，该半导体设备包括至少一有源鳍片自一基材突出，一第一闸极电极横越该有源鳍片，以及一第一杂质区域形成于该有源鳍片上于该第一闸极电极之第一侧处。第一杂质区域的至少一部份系形成于该有源鳍片上之一第一磊晶层部份中。一第二杂质区域系形成于该有源鳍片上于该第一闸极电极之第二侧处。该第二杂质区域具有至少一部份不形成于一磊晶层中。

5. 发明专利

TW201444053A 具有虛擬閘極及閘極的半導體裝置审中-公开
简体标题：具有虚拟闸极及闸极的半导体设备
公开(公告)号：TW201444053A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102144395
申请日：2013-12-04
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：權銀景 , KWON, EUN KYOUNG , 姜熙秀 , KANG, HEE SOO , 金漢求 , KIM, HAN GU , 徐宇鎭 , SEO, WOO JIN , 李起泰 , LEE, KI TAE , 李在坤 , LEE, JAE GON , 全燦熙 , JEON, CHAN HEE
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L27/0266 , H01L27/1211
摘要：一鰭片形主動區係被界定於一基材上。橫越鰭片形主動區之第一及第二閘極電極係受配置。一虛擬閘極電極係形成於第一及第二閘極電極之間。一第一汲極區形成於該第一閘極電極與該虛擬閘極電極之間。一第二汲極區形成於該虛擬閘極電極與該第二閘極電極之間。面對第二汲極區之一源極區係受形成。形成一第一汲極插塞，其相對地靠近虛擬閘極電極、相對地遠離該第二閘極電極、且連接至該第二汲極區。該第二閘極電極係配置於該第二汲極區與該源極區之間。該等第一及第二閘極電極的各者係覆蓋該鰭片形主動區的一側表面。
简体摘要：一鳍片形主动区系被界定于一基材上。横越鳍片形主动区之第一及第二闸极电极系受配置。一虚拟闸极电极系形成于第一及第二闸极电极之间。一第一汲极区形成于该第一闸极电极与该虚拟闸极电极之间。一第二汲极区形成于该虚拟闸极电极与该第二闸极电极之间。面对第二汲极区之一源极区系受形成。形成一第一汲极插塞，其相对地靠近虚拟闸极电极、相对地远离该第二闸极电极、且连接至该第二汲极区。该第二闸极电极系配置于该第二汲极区与该源极区之间。该等第一及第二闸极电极的各者系覆盖该鳍片形主动区的一侧表面。

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