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1. 发明专利

TWI635610B 使用空穴來分佈導電圖案化殘留物以製造半導體元件的方法以及使用該方法製造的元件有权
简体标题：使用空穴来分布导电图案化残留物以制造半导体组件的方法以及使用该方法制造的组件
公开(公告)号：TWI635610B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104100055
申请日：2015-01-05
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL , 裵丙才 , BAE, BYOUNGJAE , 金仁皓 , KIM, INHO , 權信 , KWON, SHIN , 盧恩仙 , NOH, EUNSUN , 朴仁善 , PARK, INSUN , 李相旻 , LEE, SANGMIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/764

2. 发明专利

TWI670753B 形成圖案的方法以及半導體元件有权
简体标题：形成图案的方法以及半导体组件
公开(公告)号：TWI670753B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104133937
申请日：2015-10-16
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL , 權亨峻 , KWON, HYUNGJOON , 金仁皓 , KIM, INHO , 朴鍾淳 , PARK, JONGSOON
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L43/08 , H01L43/12

3. 发明专利

TW201543727A 半導體裝置和磁性記憶體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备和磁性内存设备的制造方法
公开(公告)号：TW201543727A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104111367
申请日：2015-04-09
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：裵丙才 , BAE, BYOUNGJAE , 朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL , 權信 , KWON, SHIN , 金仁皓 , KIM, INHO , 宣昌佑 , SUN, CHANGWOO
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/00
CPC分类号： H01L43/12 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：一種製造半導體裝置之方法，所述方法包括：在基板上形成導電柱；在所述導電柱之間依序形成犧牲層及成型結構；在所述成型結構上形成導電層，使得所述導電層連接至所述導電柱；移除所述犧牲層以形成空氣間隙；移除所述成型結構以形成擴大之空氣間隙；以及圖案化所述導電層以開放所述擴大之空氣間隙。
简体摘要：一种制造半导体设备之方法，所述方法包括：在基板上形成导电柱；在所述导电柱之间依序形成牺牲层及成型结构；在所述成型结构上形成导电层，使得所述导电层连接至所述导电柱；移除所述牺牲层以形成空气间隙；移除所述成型结构以形成扩大之空气间隙；以及图案化所述导电层以开放所述扩大之空气间隙。

4. 发明专利

TWI629809B 半導體裝置和磁性記憶體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备和磁性内存设备的制造方法
公开(公告)号：TWI629809B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW104111367
申请日：2015-04-09
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：裵丙才 , BAE, BYOUNGJAE , 朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL , 權信 , KWON, SHIN , 金仁皓 , KIM, INHO , 宣昌佑 , SUN, CHANGWOO
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/00

5. 发明专利

TW201407683A 蝕刻金屬層的方法以及使用該方法製造半導體裝置的方法审中-公开
简体标题：蚀刻金属层的方法以及使用该方法制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TW201407683A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102124461
申请日：2013-07-09
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：權亨峻 , KWON, HYUNGJOON , 渡嘉敷健 , TOKASHIKI, KEN , 朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/32136 , H01L43/12
摘要：本文揭示本發明的概念包括，例如是一種蝕刻金屬層的方法以使用所述蝕刻的金屬層製造半導體裝置的方法。將晶圓(wafer)載入處理腔體(chamber)中，所述晶圓包括金屬層與位於所述金屬層上的罩幕(mask)層。提供蝕刻氣體至處理腔體中以蝕刻金屬層暴露於所述罩幕層。在蝕刻製程後，則移除所述罩幕層。所述蝕刻氣體包括磷以及氟。持續地或選擇性地提供射頻電源至處理腔體，或者是選擇性提供不同位準的射頻電源。當射頻電源關閉或於低位準時，則提供蝕刻氣體至處理腔體。當射頻電源開啟或於高位準時，則提供表面活化氣體至處理腔體。
简体摘要：本文揭示本发明的概念包括，例如是一种蚀刻金属层的方法以使用所述蚀刻的金属层制造半导体设备的方法。将晶圆(wafer)加载处理腔体(chamber)中，所述晶圆包括金属层与位于所述金属层上的罩幕(mask)层。提供蚀刻气体至处理腔体中以蚀刻金属层暴露于所述罩幕层。在蚀刻制程后，则移除所述罩幕层。所述蚀刻气体包括磷以及氟。持续地或选择性地提供射频电源至处理腔体，或者是选择性提供不同位准的射频电源。当射频电源关闭或于低位准时，则提供蚀刻气体至处理腔体。当射频电源打开或于高位准时，则提供表面活化气体至处理腔体。

6. 发明专利

TW201638996A 形成圖案的方法以及半導體元件审中-公开
简体标题：形成图案的方法以及半导体组件
公开(公告)号：TW201638996A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104133937
申请日：2015-10-16
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL , 權亨峻 , KWON, HYUNGJOON , 金仁皓 , KIM, INHO , 朴鍾淳 , PARK, JONGSOON
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L21/32131 , H01L27/1087 , H01L27/222 , H01L43/08
摘要：一種圖案化方法包括：在基板上形成蝕刻目標層；在蝕刻目標層上形成遮罩圖案；以及使用遮罩圖案作為蝕刻遮罩來蝕刻蝕刻目標層以形成彼此間隔開的圖案。蝕刻目標層的蝕刻製程包括：以離子束照射蝕刻目標層，離子束具有處於600電子伏特至10000電子伏特範圍的入射能量。在蝕刻目標層中形成凹陷區於遮罩圖案之間，且離子束相對於基板的頂面以第一角度入射至凹陷區的底面上，且相對於凹陷區的內側面以第二角度入射至凹陷區的內側面上。第一角度處於50°至90°範圍且第二角度處於0°至40°的範圍。
简体摘要：一种图案化方法包括：在基板上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上形成遮罩图案；以及使用遮罩图案作为蚀刻遮罩来蚀刻蚀刻目标层以形成彼此间隔开的图案。蚀刻目标层的蚀刻制程包括：以离子束照射蚀刻目标层，离子束具有处于600电子伏特至10000电子伏特范围的入射能量。在蚀刻目标层中形成凹陷区于遮罩图案之间，且离子束相对于基板的顶面以第一角度入射至凹陷区的底面上，且相对于凹陷区的内侧面以第二角度入射至凹陷区的内侧面上。第一角度处于50°至90°范围且第二角度处于0°至40°的范围。

7. 发明专利

TW201530756A 使用空穴來分佈導電圖案化殘留物以製造半導體元件的方法以及使用該方法製造的元件审中-公开
简体标题：使用空穴来分布导电图案化残留物以制造半导体组件的方法以及使用该方法制造的组件
公开(公告)号：TW201530756A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104100055
申请日：2015-01-05
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL , 裵丙才 , BAE, BYOUNGJAE , 金仁皓 , KIM, INHO , 權信 , KWON, SHIN , 盧恩仙 , NOH, EUNSUN , 朴仁善 , PARK, INSUN , 李相旻 , LEE, SANGMIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/764
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：製造半導體元件的方法包含在基板上形成導電層；在所述導電層與所述基板之間形成氣隙或其他空穴；圖案化所述導電層以暴露所述氣隙。所述方法可更包含在所述基板與所述導電層之間形成導電柱狀物。所述氣隙可定位於所述導電柱狀物之間。
简体摘要：制造半导体组件的方法包含在基板上形成导电层；在所述导电层与所述基板之间形成气隙或其他空穴；图案化所述导电层以暴露所述气隙。所述方法可更包含在所述基板与所述导电层之间形成导电柱状物。所述气隙可定位于所述导电柱状物之间。

8. 发明专利

TW565903B 具有間隙控制器的晶圓處理裝置的蓮蓬頭失效
简体标题：具有间隙控制器的晶圆处理设备的莲蓬头
公开(公告)号：TW565903B
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：TW091115836
申请日：2002-07-16
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴鐘撤 , 金東賢 , 權五益 , 趙慧珍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45589 , H01L21/67017
摘要：一種蓮蓬頭，用於調整在半導體製造反應室之製程區域之反應氣體分佈，其中一頂板具有一氣體入口，用於將反應氣體引入反應室中；一面板，其具有穿透孔，配置製程區域之相對位置；一第一擋板，其具有穿透孔，且位於頂板與面板之間，能夠上下移動，其中該第一擋板具有一上表面，其界定一第一間隙，用於形成一第一徑向通道；一第二擋板，其具有穿透孔，配置於第一擋板與面板之間，能夠上下移動，其中第二擋板具有一上表面，界定一第二間隙，其用於形成一第二徑向通道；以及一間隙控制器，其用於決定該第一與第二間隙之寬度。
简体摘要：一种莲蓬头，用于调整在半导体制造反应室之制程区域之反应气体分布，其中一顶板具有一气体入口，用于将反应气体引入反应室中；一皮肤，其具有穿透孔，配置制程区域之相对位置；一第一挡板，其具有穿透孔，且位于顶板与皮肤之间，能够上下移动，其中该第一挡板具有一上表面，其界定一第一间隙，用于形成一第一径向信道；一第二挡板，其具有穿透孔，配置于第一挡板与皮肤之间，能够上下移动，其中第二挡板具有一上表面，界定一第二间隙，其用于形成一第二径向信道；以及一间隙控制器，其用于决定该第一与第二间隙之宽度。

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