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1. 发明专利

TW201634765A 配向性磷灰石型氧化物離子傳導體及其製造方法审中-公开
简体标题：配向性磷灰石型氧化物离子传导体及其制造方法
公开(公告)号：TW201634765A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105100036
申请日：2016-01-04
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：井手慎吾 , IDE, SHINGO , 阿武裕一 , ANNO, YUICHI , 井筒靖久 , IZUTSU, YASUHISA , 大村淳 , OMURA, JUN , 石井林太郎 , ISHII, RINTARO , 加畑実 , KAHATA, MINORU
IPC分类号： C30B29/22 , C30B28/00 , H01M2/26 , H01M8/10 , H01M10/0562
CPC分类号： H01M4/9033 , C01B33/20 , C01B35/128 , C01P2002/30 , C01P2002/50 , C01P2004/01 , C01P2006/40 , C04B35/50 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01M4/8875 , H01M8/02 , H01M8/12 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要：為了提供一種可抑制龜裂的產生以達成大面積化，且較佳為可用不複雜的製程來便宜地進行製造之嶄新的配向性磷灰石型氧化物離子傳導體，提出一種配向性磷灰石型氧化物離子傳導體，其係由複合氧化物所構成，該複合氧化物的特徵為：以A9.33+x[T6-yMy]O26.00+z(式中的A為選自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr及Ba所組成之群組之一種或兩種以上的元素；式中的T為Si或Ge或包含此兩者之元素；式中的M為選自由B、Ge、Zn、Sn、W及Mo所組成之群組之一種或兩種以上的元素)所示，式中的x為-1至1，式中的y為1至3，式中的z為-2至2，A的莫耳數相對於M的莫耳數之比率(A/M)為3至10。
简体摘要：为了提供一种可抑制龟裂的产生以达成大面积化，且较佳为可用不复杂的制程来便宜地进行制造之崭新的配向性磷灰石型氧化物离子传导体，提出一种配向性磷灰石型氧化物离子传导体，其系由复合氧化物所构成，该复合氧化物的特征为：以A9.33+x[T6-yMy]O26.00+z(式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr及Ba所组成之群组之一种或两种以上的元素；式中的T为Si或Ge或包含此两者之元素；式中的M为选自由B、Ge、Zn、Sn、W及Mo所组成之群组之一种或两种以上的元素)所示，式中的x为-1至1，式中的y为1至3，式中的z为-2至2，A的莫耳数相对于M的莫耳数之比率(A/M)为3至10。

2. 发明专利

TWI684677B 固態電解質積體元件、固態電解質積體元件之製造方法及固態電解質元件有权
简体标题：固态电解质积体组件、固态电解质积体组件之制造方法及固态电解质组件
公开(公告)号：TWI684677B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107112261
申请日：2018-04-10
申请人：日商三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：井手慎吾 , IDE, SHINGO , 八島勇 , YASHIMA, ISAMU , 久米健士 , KUME, KENJI
IPC分类号： C25B1/02 , C25B9/10

3. 发明专利

TW201903208A 固態電解質積體元件、固態電解質積體元件之製造方法及固態電解質元件审中-公开
简体标题：固态电解质积体组件、固态电解质积体组件之制造方法及固态电解质组件
公开(公告)号：TW201903208A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112261
申请日：2018-04-10
申请人：日商三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：井手慎吾 , IDE, SHINGO , 八島勇 , YASHIMA, ISAMU , 久米健士 , KUME, KENJI
IPC分类号： C25B1/02 , C25B9/10
摘要：一種固態電解質積體元件，具備表面具有絕緣性的基板，第1下部電極層與第2上部電極層在第1主面側電性連接，第1上部電極層、前述第1下部電極層、前述第2上部電極層及第2下部電極層皆為使離子透射或/及具有離子氧化還原能力者，且為包含金屬或金屬氧化物中的任一者或該等雙方者，為進一步具有通氣的通氣部者。
简体摘要：一种固态电解质积体组件，具备表面具有绝缘性的基板，第1下部电极层与第2上部电极层在第1主面侧电性连接，第1上部电极层、前述第1下部电极层、前述第2上部电极层及第2下部电极层皆为使离子透射或/及具有离子氧化还原能力者，且为包含金属或金属氧化物中的任一者或该等双方者，为进一步具有通气的通气部者。

4. 发明专利

TWI700262B 基板/定向性磷灰石型複合氧化物膜複合體及其製造方法有权
简体标题：基板/定向性磷灰石型复合氧化物膜复合体及其制造方法
公开(公告)号：TWI700262B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105122854
申请日：2016-07-20
申请人：日商三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：井手慎吾 , IDE, SHINGO , 井筒靖久 , IZUTSU, YASUHISA
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/01 , H01M8/02 , H01M8/12 , C23C14/34 , C23C14/08

5. 发明专利

TWI690629B 配向性磷灰石型氧化物離子傳導體及其製造方法有权
简体标题：配向性磷灰石型氧化物离子传导体及其制造方法
公开(公告)号：TWI690629B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105100036
申请日：2016-01-04
申请人：日商三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：井手慎吾 , IDE, SHINGO , 阿武裕一 , ANNO, YUICHI , 井筒靖久 , IZUTSU, YASUHISA , 大村淳 , OMURA, JUN , 石井林太郎 , ISHII, RINTARO , 加畑実 , KAHATA, MINORU
IPC分类号： C30B29/22 , C30B28/00 , H01M2/26 , H01M8/10 , H01M10/0562

6. 发明专利

TW201708160A 基板/定向性磷灰石型複合氧化物膜複合體及其製造方法审中-公开
简体标题：基板/定向性磷灰石型复合氧化物膜复合体及其制造方法
公开(公告)号：TW201708160A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105122854
申请日：2016-07-20
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：井手慎吾 , IDE, SHINGO , 井筒靖久 , IZUTSU, YASUHISA
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/01 , H01M8/02 , H01M8/12 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC分类号： C04B41/87 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01B1/06 , H01B13/00
摘要：本發明提出一種適合作為電池、感測器、分離膜等之固體電解質，且可低價製造之新型基板/定向性磷灰石型複合氧化物膜複合體，其係在基板上具備定向性磷灰石型複合氧化物膜，其中，前述定向性磷灰石型複合氧化物膜之膜厚為10.0μm以下且定向度(Lotgering法)為0.6以上，前述基板在至少形成定向性磷灰石型複合氧化物膜側之材料為金屬或合金或陶瓷或該等之複合材料。
简体摘要：本发明提出一种适合作为电池、传感器、分离膜等之固体电解质，且可低价制造之新型基板/定向性磷灰石型复合氧化物膜复合体，其系在基板上具备定向性磷灰石型复合氧化物膜，其中，前述定向性磷灰石型复合氧化物膜之膜厚为10.0μm以下且定向度(Lotgering法)为0.6以上，前述基板在至少形成定向性磷灰石型复合氧化物膜侧之材料为金属或合金或陶瓷或该等之复合材料。

7. 发明专利

TW201005889A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201005889A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098117399
申请日：2009-05-26
申请人：三井金屬鑛業股份有限公司
发明人：井手慎吾 , 松村保範 , 山縣誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種即使是安裝有尺寸及發熱量各自不同的電子構件之半導體裝置，也能使各個電子構件在預定的溫度以下，而能實現預定的機能之半導體裝置及半導體裝置之製造方法。該半導體裝置係具備有聚醯亞胺基板、形成於前述聚醯亞胺基板的表面之配線圖案、及接合於前述配線圖案的內引線之電子構件，且在除了前述配線圖案的引線部份以外的表面被覆絕緣保護膜而構成者，其中，在前述絕緣保護膜的表面具有由金屬層所構成之散熱手段，該金屬層係能藉由調整厚度、面積及金屬的種類之任意項而可使電子構件的實測表面溫度降到假想表面溫度。
简体摘要：本发明提供一种即使是安装有尺寸及发热量各自不同的电子构件之半导体设备，也能使各个电子构件在预定的温度以下，而能实现预定的机能之半导体设备及半导体设备之制造方法。该半导体设备系具备有聚酰亚胺基板、形成于前述聚酰亚胺基板的表面之配线图案、及接合于前述配线图案的内引线之电子构件，且在除了前述配线图案的引线部份以外的表面被覆绝缘保护膜而构成者，其中，在前述绝缘保护膜的表面具有由金属层所构成之散热手段，该金属层系能借由调整厚度、面积及金属的种类之任意项而可使电子构件的实测表面温度降到假想表面温度。

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