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1. 发明专利

TWI536504B 非揮發性記憶體單元、非揮發性記憶體單元製造方法及非揮發性記憶體矩陣有权
简体标题：非挥发性内存单元、非挥发性内存单元制造方法及非挥发性内存矩阵
公开(公告)号：TWI536504B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101148472
申请日：2012-12-19
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG , 陳志民 , CHEN, CHIH MING
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115

2. 发明专利

TW201640616A 製作非揮發性記憶體元件方法及非揮發性記憶體元件审中-公开
简体标题：制作非挥发性内存组件方法及非挥发性内存组件
公开(公告)号：TW201640616A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104142561
申请日：2015-12-17
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L29/42328 , H01L21/28273 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/7883
摘要：本發明係有關於一種製作非揮發性記憶體元件方法及非揮發性記憶體元件。非揮發性記憶體元件包括基底，具有源極區及汲極區，形成於基底上之第一介電層；以及形成於第一介電層上之抹除閘極(EG)、浮動閘極(FG)及選擇閘極(SG)。另外，非揮發性記憶體元件還包括耦合介電層，形成於抹除閘極(EG)、浮動閘極(FG)及選擇閘極(SG)之間以及上方；以及形成於耦合介電層上之耦合閘極(CG)。
简体摘要：本发明系有关于一种制作非挥发性内存组件方法及非挥发性内存组件。非挥发性内存组件包括基底，具有源极区及汲极区，形成于基底上之第一介电层；以及形成于第一介电层上之抹除闸极(EG)、浮动闸极(FG)及选择闸极(SG)。另外，非挥发性内存组件还包括耦合介电层，形成于抹除闸极(EG)、浮动闸极(FG)及选择闸极(SG)之间以及上方；以及形成于耦合介电层上之耦合闸极(CG)。

3. 发明专利

TWI482237B 淺溝渠隔離結構及其製造方法及非揮發性記憶體製造方法有权
简体标题：浅沟渠隔离结构及其制造方法及非挥发性内存制造方法
公开(公告)号：TWI482237B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101136981
申请日：2012-10-05
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG , 陳志民 , CHEN, CHIH MING
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/8247

4. 发明专利

TWI606583B 製作非揮發性記憶體元件方法有权
简体标题：制作非挥发性内存组件方法
公开(公告)号：TWI606583B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104142554
申请日：2015-12-17
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7883 , H01L21/02238 , H01L21/26513 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/401 , H01L29/42328 , H01L29/66825

5. 发明专利

TWI588992B 非揮發性記憶體元件及其製作方法有权
简体标题：非挥发性内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI588992B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104142557
申请日：2015-12-17
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7883 , H01L21/02238 , H01L21/26513 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/401 , H01L29/42328 , H01L29/66825

6. 发明专利

TW201640621A 非揮發性記憶體單元及其製作方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存单元及其制作方法
公开(公告)号：TW201640621A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105113815
申请日：2016-05-03
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要：本發明揭露一種非揮發性記憶體單元及其製作方法，非揮發性記憶體單元包括一基板、一選擇閘極、一抹除閘極、一浮動閘極、一耦合閘極以及一個或一個以上的介電層。基板包括一第一摻雜區及至少一第二摻雜區，且選擇閘極設置於基板上，並位於第一摻雜區與第二摻雜區之間。抹除閘極位於第一摻雜區上方，而浮動閘極則位於選擇閘極以及抹除閘極之間。耦合閘極位於抹除閘極、浮動閘極及/或部份選擇閘極的投影上方，而介電層用以作為絕緣層，位於相鄰之選擇閘極、抹除閘極、浮動閘極、耦合閘極或第一摻雜區之間。
简体摘要：本发明揭露一种非挥发性内存单元及其制作方法，非挥发性内存单元包括一基板、一选择闸极、一抹除闸极、一浮动闸极、一耦合闸极以及一个或一个以上的介电层。基板包括一第一掺杂区及至少一第二掺杂区，且选择闸极设置于基板上，并位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。抹除闸极位于第一掺杂区上方，而浮动闸极则位于选择闸极以及抹除闸极之间。耦合闸极位于抹除闸极、浮动闸极及/或部份选择闸极的投影上方，而介电层用以作为绝缘层，位于相邻之选择闸极、抹除闸极、浮动闸极、耦合闸极或第一掺杂区之间。

7. 发明专利

TWI606551B 製作非揮發性記憶體元件方法有权
简体标题：制作非挥发性内存组件方法
公开(公告)号：TWI606551B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104142561
申请日：2015-12-17
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L29/42328 , H01L21/28273 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/7883

8. 发明专利

TW201637201A 非揮發性記憶體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201637201A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104142554
申请日：2015-12-17
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7883 , H01L21/02238 , H01L21/26513 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/401 , H01L29/42328 , H01L29/66825
摘要：一種非揮發性記憶體元件，包括基底、第一介電層、抹除閘極、浮動閘極、第二介電層、耦合介電層以及耦合控制閘極。基底具有源極區及汲極區，第一介電層形成於基底上。抹除閘極、浮動閘極及選擇閘極形成於第一介電層上。第二介電層及耦合介電層分別形成於抹除閘極、浮動閘極及選擇閘極之間以及上方，且耦合控制閘極形成於耦合介電層上。第一介電層具有一在深度方向上以定義源極區之第一圖案開口，第一介電層於第一圖案開口具有第一厚度。第一介電層在深度方向上於浮動閘極之投影下方具有第二厚度，並且於選擇閘極之投影下方具有第三厚度。第一厚度大於第二厚度及第二厚度大於第三厚度。本發明還提出一種非揮發記憶體元件製作方法。
简体摘要：一种非挥发性内存组件，包括基底、第一介电层、抹除闸极、浮动闸极、第二介电层、耦合介电层以及耦合控制闸极。基底具有源极区及汲极区，第一介电层形成于基底上。抹除闸极、浮动闸极及选择闸极形成于第一介电层上。第二介电层及耦合介电层分别形成于抹除闸极、浮动闸极及选择闸极之间以及上方，且耦合控制闸极形成于耦合介电层上。第一介电层具有一在深度方向上以定义源极区之第一图案开口，第一介电层于第一图案开口具有第一厚度。第一介电层在深度方向上于浮动闸极之投影下方具有第二厚度，并且于选择闸极之投影下方具有第三厚度。第一厚度大于第二厚度及第二厚度大于第三厚度。本发明还提出一种非挥发内存组件制作方法。

9. 发明专利

TW201637198A 非揮發性記憶體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201637198A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104142559
申请日：2015-12-17
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7883 , H01L21/02238 , H01L21/26513 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/401 , H01L29/42328 , H01L29/66825
摘要：本發明係有關於一種非揮發性記憶體元件及其製作方法，包括基底，具有源極區及汲極區，形成於基底上之第一介電層，及形成於第一介電層上之抹除閘極、浮動閘極及選擇閘極。另外，耦合介電層，分別形成於抹除閘極、浮動閘極及選擇閘極之間以及上方，及形成於耦合介電層上之耦合閘極。
简体摘要：本发明系有关于一种非挥发性内存组件及其制作方法，包括基底，具有源极区及汲极区，形成于基底上之第一介电层，及形成于第一介电层上之抹除闸极、浮动闸极及选择闸极。另外，耦合介电层，分别形成于抹除闸极、浮动闸极及选择闸极之间以及上方，及形成于耦合介电层上之耦合闸极。

10. 发明专利

TW201637197A 非揮發性記憶體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201637197A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104142557
申请日：2015-12-17
申请人：北京芯盈速騰電子科技有限責任公司 , XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
发明人：范德慈 , FAN, DER TSYR , 陳志民 , CHEN, CHIH MING , 呂榮章 , LU, JUNG CHANG
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7883 , H01L21/02238 , H01L21/26513 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/401 , H01L29/42328 , H01L29/66825
摘要：本發明係有關於一種非揮發性記憶體元件及其製作方法，包括基底，具有源極區及汲極區，形成於基底上之第一介電層，及形成於第一介電層上之抹除閘極、浮動閘極及選擇閘極。另外，第二介電層及耦合介電層，分別形成於抹除閘極、浮動閘極及選擇閘極之間以及上方，及形成於耦合介電層上之耦合控制閘極。
简体摘要：本发明系有关于一种非挥发性内存组件及其制作方法，包括基底，具有源极区及汲极区，形成于基底上之第一介电层，及形成于第一介电层上之抹除闸极、浮动闸极及选择闸极。另外，第二介电层及耦合介电层，分别形成于抹除闸极、浮动闸极及选择闸极之间以及上方，及形成于耦合介电层上之耦合控制闸极。

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