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    • 6. 发明专利
    • 非揮發性記憶體單元及其製作方法
    • 非挥发性内存单元及其制作方法
    • TW201640621A
    • 2016-11-16
    • TW105113815
    • 2016-05-03
    • 北京芯盈速騰電子科技有限責任公司XINNOVA TECHNOLOGY LTD.
    • 范德慈FAN, DER TSYR陳志民CHEN, CHIH MING呂榮章LU, JUNG CHANG
    • H01L21/8247H01L27/115
    • 本發明揭露一種非揮發性記憶體單元及其製作方法,非揮發性記憶體單元包括一基板、一選擇閘極、一抹除閘極、一浮動閘極、一耦合閘極以及一個或一個以上的介電層。基板包括一第一摻雜區及至少一第二摻雜區,且選擇閘極設置於基板上,並位於第一摻雜區與第二摻雜區之間。抹除閘極位於第一摻雜區上方,而浮動閘極則位於選擇閘極以及抹除閘極之間。耦合閘極位於抹除閘極、浮動閘極及/或部份選擇閘極的投影上方,而介電層用以作為絕緣層,位於相鄰之選擇閘極、抹除閘極、浮動閘極、耦合閘極或第一摻雜區之間。
    • 本发明揭露一种非挥发性内存单元及其制作方法,非挥发性内存单元包括一基板、一选择闸极、一抹除闸极、一浮动闸极、一耦合闸极以及一个或一个以上的介电层。基板包括一第一掺杂区及至少一第二掺杂区,且选择闸极设置于基板上,并位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。抹除闸极位于第一掺杂区上方,而浮动闸极则位于选择闸极以及抹除闸极之间。耦合闸极位于抹除闸极、浮动闸极及/或部份选择闸极的投影上方,而介电层用以作为绝缘层,位于相邻之选择闸极、抹除闸极、浮动闸极、耦合闸极或第一掺杂区之间。