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1. 发明专利

TWI397182B 溝槽式功率金氧半電晶體及其製程方法有权
简体标题：沟槽式功率金氧半晶体管及其制程方法
公开(公告)号：TWI397182B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW098133091
申请日：2009-09-30
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

2. 发明专利

TW201838191A 半導體裝置及其充電系統审中-公开
简体标题：半导体设备及其充电系统
公开(公告)号：TW201838191A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107103600
申请日：2018-02-01
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/78 , H02J7/10
摘要：本揭露提供一種半導體裝置。該半導體裝置包括一電晶體，該電晶體包括一第一源/汲(S/D)區、一第二S/D區及一閘極結構。該第一S/D區係設置於一雙擴散層上的一第一井中，其中該第一井與該雙擴散層在一接面形成一二極體，且該二極體之一正極與該第一S/D區形成一斷路迴路。該閘極結構設置於該第一S/D 區與該第二S/D之間。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备。该半导体设备包括一晶体管，该晶体管包括一第一源/汲(S/D)区、一第二S/D区及一闸极结构。该第一S/D区系设置于一双扩散层上的一第一井中，其中该第一井与该双扩散层在一接面形成一二极管，且该二极管之一正极与该第一S/D区形成一断路回路。该闸极结构设置于该第一S/D 区与该第二S/D之间。

3. 发明专利

TWI700832B 多重閘極功率MOSFET元件有权
简体标题：多重闸极功率MOSFET组件
公开(公告)号：TWI700832B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107143259
申请日：2018-12-03
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/43 , H01L29/66

4. 发明专利

TWI401798B 功率金氧半電晶體之佈局結構有权
简体标题：功率金氧半晶体管之布局结构
公开(公告)号：TWI401798B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW098133092
申请日：2009-09-30
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78

5. 发明专利

TWI689102B 半導體裝置及其充電系統有权
简体标题：半导体设备及其充电系统
公开(公告)号：TWI689102B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107103600
申请日：2018-02-01
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/78 , H02J7/10

6. 发明专利

TW202011603A 多重閘極功率MOSFET元件审中-公开
简体标题：多重闸极功率MOSFET组件
公开(公告)号：TW202011603A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107143259
申请日：2018-12-03
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/43 , H01L29/66
摘要：本揭露提供一種多重閘極功率MOSFET(功率金氧半場效電晶體)元件，該多重閘極功率MOSFET元件設置於一基底上。該多重閘極功率MOSFET元件包括一第一電晶體單元、一第二電晶體單元及一第一絕緣體。該第一電晶體單元具有一第一汲極柱、一第一源極柱及一第一閘極導體，該第一閘極導體設置於該第一汲極柱與該第一源極柱之間。該第二電晶體單元具有一第二汲極柱、一第二源極柱及一第二閘極導體，該第二閘極導體設置於該第二汲極柱及該第二源極柱之間。該第一絕緣體設置於該基底的上方及該第一閘極導體與該第二閘極導體之間。該第一絕緣體將該第二電晶體單元與該第一電晶體單元電絕緣。於操作期間，該第一電晶體單元及該第二電晶體單元共用一共源極及一共汲極，該第一閘極導體及該第二閘極導體的導電狀態被分開控制。
简体摘要：本揭露提供一种多重闸极功率MOSFET(功率金氧半场效应管)组件，该多重闸极功率MOSFET组件设置于一基底上。该多重闸极功率MOSFET组件包括一第一晶体管单元、一第二晶体管单元及一第一绝缘体。该第一晶体管单元具有一第一汲极柱、一第一源极柱及一第一闸极导体，该第一闸极导体设置于该第一汲极柱与该第一源极柱之间。该第二晶体管单元具有一第二汲极柱、一第二源极柱及一第二闸极导体，该第二闸极导体设置于该第二汲极柱及该第二源极柱之间。该第一绝缘体设置于该基底的上方及该第一闸极导体与该第二闸极导体之间。该第一绝缘体将该第二晶体管单元与该第一晶体管单元电绝缘。于操作期间，该第一晶体管单元及该第二晶体管单元共享一共源极及一共汲极，该第一闸极导体及该第二闸极导体的导电状态被分开控制。

7. 发明专利

TWI553865B 功率金氧半電晶體元件有权
简体标题：功率金氧半晶体管组件
公开(公告)号：TWI553865B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW102139915
申请日：2013-11-04
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0878 , H01L29/41775 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201428972A 功率金氧半電晶體元件审中-公开
简体标题：功率金氧半晶体管组件
公开(公告)号：TW201428972A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102139915
申请日：2013-11-04
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：湯銘 , TANG, MING , 焦世平 , CHIAO, SHIH PING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0878 , H01L29/41775 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要：本揭露實施例之功率金氧半電晶體元件包含至少一功率金氧半電晶體單元，設置於一基板上。該至少一功率金氧半電晶體單包含至少一晶胞、一邊界、一閘極導體、以及一絕緣結構，該邊界環繞該晶胞。該晶胞包含至少一源極柱及至少一汲極柱，經配置以提供一單元電流。該閘極導體環繞該源極柱及該汲極柱，並從該晶胞延伸至該邊界。該絕緣結構電性隔離該閘極導體、該源極柱及該汲極柱。
简体摘要：本揭露实施例之功率金氧半晶体管组件包含至少一功率金氧半晶体管单元，设置于一基板上。该至少一功率金氧半晶体管单包含至少一晶胞、一边界、一闸极导体、以及一绝缘结构，该边界环绕该晶胞。该晶胞包含至少一源极柱及至少一汲极柱，经配置以提供一单元电流。该闸极导体环绕该源极柱及该汲极柱，并从该晶胞延伸至该边界。该绝缘结构电性隔离该闸极导体、该源极柱及该汲极柱。

9. 发明专利

TWI406473B 應用於光電供電架構之控制裝置及方法有权
简体标题：应用于光电供电架构之控制设备及方法
公开(公告)号：TWI406473B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099100871
申请日：2010-01-14
申请人：力芯科技股份有限公司 , PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梁熙寧 , LIANG, HSI NING
IPC分类号： H02J7/35
CPC分类号： Y02E10/566

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