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1. 发明专利

TWI544267B 形成密封之單元結構之方法有权
简体标题：形成密封之单元结构之方法
公开(公告)号：TWI544267B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW096130585
申请日：2007-08-17
申请人：皇家飛利浦有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：馬克湯瑪斯強森 , JOHNSON, MARK THOMAS , 馬汀納斯赫曼紐斯威爾赫摩斯瑪莉亞凡戴爾登 , VAN DELDEN, MARTINUS HERMANUS WILHELMUS MARIA , 德克珍包爾 , BROER, DIRK JAN
IPC分类号： G02F1/167
CPC分类号： G02F1/167

3. 发明专利

TW201347263A 密封式薄膜裝置以及修復方法、修復系統和電腦程式產品审中-公开
简体标题：密封式薄膜设备以及修复方法、修复系统和电脑进程产品
公开(公告)号：TW201347263A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101144423
申请日：2012-11-28
申请人：荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO , 荷蘭皇家飛利浦電子公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：威舒倫柯恩 , VERSCHUREN, COEN , 范摩爾安東尼瑪莉亞伯納得斯 , VAN MOL, ANTONIUS MARIA BERNARDUS , 范特威捷爾彼得 , VAN DE WEIJER, PETER
IPC分类号： H01L51/52 , H01L33/48
CPC分类号： H01L51/5259 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2251/568
摘要：本發明關於一種密封式薄膜裝置(10、12、14、15、16、17、18)；關於一種修復一密封層(20)的方法，該密封層(20)施加至一薄膜裝置(30)來產生該密封式薄膜裝置；關於一種修復該密封層的系統(200)，該密封層施加至該薄膜裝置來產生該密封式薄膜裝置；且關於一種電腦程式產品。密封式薄膜裝置包含一薄膜裝置，且一密封層施加在該薄膜裝置上來保護該薄膜裝置免受環境影響。該密封層包含至少一第一與一第二障壁層(22、24)，且一吸氣劑層(25)設置於該第一與該第二障壁層之間。該密封式薄膜裝置另包含局部施加的修復材料(40；42、44)，用於密封在該等障壁層的該外側一者(22)中的一局部裂口(50)。該密封式薄膜裝置的功效是改善該密封式薄膜裝置的操作壽命。另外，改善了密封式薄膜裝置的產量。
简体摘要：本发明关于一种密封式薄膜设备(10、12、14、15、16、17、18)；关于一种修复一密封层(20)的方法，该密封层(20)施加至一薄膜设备(30)来产生该密封式薄膜设备；关于一种修复该密封层的系统(200)，该密封层施加至该薄膜设备来产生该密封式薄膜设备；且关于一种电脑进程产品。密封式薄膜设备包含一薄膜设备，且一密封层施加在该薄膜设备上来保护该薄膜设备免受环境影响。该密封层包含至少一第一与一第二障壁层(22、24)，且一吸气剂层(25)设置于该第一与该第二障壁层之间。该密封式薄膜设备另包含局部施加的修复材料(40；42、44)，用于密封在该等障壁层的该外侧一者(22)中的一局部裂口(50)。该密封式薄膜设备的功效是改善该密封式薄膜设备的操作寿命。另外，改善了密封式薄膜设备的产量。

4. 发明专利

TW200739746A 用以製造具有不同金屬閘極的半導體裝置之方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIFFERENT METALLIC GATES 审中-公开
简体标题：用以制造具有不同金属闸极的半导体设备之方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIFFERENT METALLIC GATES
公开(公告)号：TW200739746A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095133691
申请日：2006-09-12
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：羅伯特詹姆士帕司寇恩藍德 LANDER, ROBERT JAMES PASCOE , 馬克凡戴爾 VAN DAL, MARK , 賈寇C 虎克 HOOKER, JACOB C.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28079 , H01L21/28097 , H01L29/4958 , H01L29/66545 , H01L29/78
摘要：本發明描述一種用於在一單個基板上形成具有不同金屬之閘極結構的方法。在閘極介電質(24)上形成一薄的半導體層(26)且圖案化,以使其存在於一第一區域(16)而非一第二區域(18)中。然後,沈積金屬(30)且圖案化,以使其存在於該第二區域而非該第一區域中。然後,執行一完全矽化的閘極製程,以在該第一區域中產生一完全矽化的閘極結構,且在該第二區域中產生一包括該沈積的金屬(30)上之該完全矽化的閘極結構的閘極結構。
简体摘要：本发明描述一种用于在一单个基板上形成具有不同金属之闸极结构的方法。在闸极介电质(24)上形成一薄的半导体层(26)且图案化,以使其存在于一第一区域(16)而非一第二区域(18)中。然后,沉积金属(30)且图案化,以使其存在于该第二区域而非该第一区域中。然后,运行一完全硅化的闸极制程,以在该第一区域中产生一完全硅化的闸极结构,且在该第二区域中产生一包括该沉积的金属(30)上之该完全硅化的闸极结构的闸极结构。

5. 外观设计

TWD073804S 聲音傳送裝置(聯合一) SOUND TRANSMITTING DEVICE (ASSOCIATED I) 失效
简体标题：声音发送设备(联合一) SOUND TRANSMITTING DEVICE (ASSOCIATED I)
公开(公告)号：TWD073804S
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW089302100U01
申请日：2002-10-15
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
设计人：史蒂芬妮柯畢格 STEPHANIE COBIGO
摘要：【物品用途】
本創作係一種看護小孩用之用品的一部份，即置放在小孩附近的聲音傳送裝置。
【創作特點】
本創作之特徵在於前視及後視圖中(如圖2，3)呈現一概呈羅馬盾牌形之殼體，且備有明顯向下及向內彎弧之側面；一凸弧形裂線設於殼體之中間處；在後視圖中(如圖3)，該裂線在其中央處具有一半圓形間斷處，且備有一圓形按鈕；
在前視圖中(如圖2)，殼體在其中間處具有一圓形區域；該圓形區域係由一圓形圈環圍繞；
在側視圖中(如圖4，5)，本創作具有一概呈魚雷形之殼體，且備有弧形之側部；
在側視圖中(如圖4，5)，殼體在中間處具有一不規則之凹形裂線；
殼體之左及右側(如圖4，5)在其中間處具有一朝垂直方向伸長之概呈長方形控制鈕，且備有半圓形頂部及基部；
在俯視及仰視圖中(如圖6，7)，本創作具有一概呈橢圓形殼體且備有不對稱之弧形頂部及基部；
在俯視圖中(如圖6)，殼體在中間處具有一朝水平方向伸長之長方形控制鈕，且備有半圓形端部。
上述特性可由構成本創作一部分之相關圖式中瞭解。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种看护小孩用之用品的一部份，即置放在小孩附近的声音发送设备。【创作特点】本创作之特征在于前视及后视图中(如图2，3)呈现一概呈罗马盾牌形之壳体，且备有明显向下及向内弯弧之侧面；一凸弧形裂线设于壳体之中间处；在后视图中(如图3)，该裂线在其中央处具有一半圆形间断处，且备有一圆形按钮；在前视图中(如图2)，壳体在其中间处具有一圆形区域；该圆形区域系由一圆形圈环围绕；在侧视图中(如图4，5)，本创作具有一概呈鱼雷形之壳体，且备有弧形之侧部；在侧视图中(如图4，5)，壳体在中间处具有一不守则之凹形裂线；壳体之左及右侧(如图4，5)在其中间处具有一朝垂直方向伸长之概呈长方形控制钮，且备有半圆形顶部及基部；在俯视及仰视图中(如图6，7)，本创作具有一概呈椭圆形壳体且备有不对称之弧形顶部及基部；在俯视图中(如图6)，壳体在中间处具有一朝水平方向伸长之长方形控制钮，且备有半圆形端部。上述特性可由构成本创作一部分之相关图式中了解。

6. 发明专利

TW200739876A 靜電放電保護裝置 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE 审中-公开
简体标题：静电放电保护设备 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TW200739876A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095136794
申请日：2006-10-03
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：費柏瑞斯布蘭克 BLANC, FABRICE , 佛德瑞克巴比爾 BARBIER, FREDERIC
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L29/1079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種靜電放電(ESD)保護裝置,其具有提高之能力以用一減小之裝置面積而對ESD所產生電流進行放電。該ESD保護裝置包含一接地閘極MOS電晶體(1),該接地閘極MOS電晶體(1)具有一第一半導體類型之一源極區域(3)及一汲極區域(4),其間插入有一具有一第二半導體類型之第一井區域(7)。具有該第一半導體類型之第二井區域(6)提供於該源極區域(3)及該汲極區域(4)之下,其間插入有該第一井區域(7)。分別具有與鄰接井區域(6、7)相同之半導體類型的重摻雜內埋區域(8、9)提供於該等井區域(6、7)之下。
简体摘要：本发明提供一种静电放电(ESD)保护设备,其具有提高之能力以用一减小之设备面积而对ESD所产生电流进行放电。该ESD保护设备包含一接地闸极MOS晶体管(1),该接地闸极MOS晶体管(1)具有一第一半导体类型之一源极区域(3)及一汲极区域(4),其间插入有一具有一第二半导体类型之第一井区域(7)。具有该第一半导体类型之第二井区域(6)提供于该源极区域(3)及该汲极区域(4)之下,其间插入有该第一井区域(7)。分别具有与邻接井区域(6、7)相同之半导体类型的重掺杂内埋区域(8、9)提供于该等井区域(6、7)之下。

7. 发明专利

TW200739810A 製造用於半導體裝置之結構之方法 A METHOD OF FABRICATING A STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：制造用于半导体设备之结构之方法 A METHOD OF FABRICATING A STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200739810A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095134818
申请日：2006-09-20
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：溫伯斯琳 BESLING, WIM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28562 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要：本發明揭示一種製造用於半導體裝置之雙鑲嵌結構之方法。在一形成於一基板中的溝渠或導通孔中汽相沉積一擴散阻障層期間,使用一以鹵素為主的先驅物。允許來自該沉積的殘餘鹵素保留於該阻障層上,並用於在該阻障層上催化生長一金屬層以填充該溝渠或導通孔。
简体摘要：本发明揭示一种制造用于半导体设备之双镶嵌结构之方法。在一形成于一基板中的沟渠或导通孔中汽相沉积一扩散阻障层期间,使用一以卤素为主的先驱物。允许来自该沉积的残余卤素保留于该阻障层上,并用于在该阻障层上催化生长一金属层以填充该沟渠或导通孔。

8. 发明专利

TW591623B 編輯數位影像記錄之方法及裝置、及依該法所製造之記錄有权
简体标题：编辑数码影像记录之方法及设备、及依该法所制造之记录
公开(公告)号：TW591623B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW090107721
申请日：2001-03-30
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：迪克蘭派崔克凱利 DECLAN PATRICK KELLY , 皮耶特貝斯艾登斯 PIETER BAS IJDENS , 奧克塔維斯約翰莫里斯 OCTAVIUS JOHN MORRIS
IPC分类号： G11B , H04N
CPC分类号： H04N21/44016 , G11B27/034 , G11B27/105 , G11B2220/2562 , H04N5/04 , H04N5/4401 , H04N5/775 , H04N5/85 , H04N9/8042 , H04N21/4305 , H04N21/4325 , H04N21/8455
摘要：本發明揭示數種方法用以自記錄於一傳輸串流格式、通常用於廣播目的之第一及第二串流中產生經編輯後之 MPEG(動態圖像專家群體)聲訊/視訊串流。依據一實施例，其會產生一橋接序列以將來自兩原始串流之資料記錄於編輯點之區域內，填充封包會插入於基本串流中以調整一連續記錄器俾使連續性記錄作業可完全地跨越橋接序列及第二序列。在另一實施例中，吾人並不要求完美之播放作業(seamless playback)，因此橋接序列可予以省略，且各種作業可快速地("on-the-fly")執行以產生和MPEG-2標準相容之編輯後串列，為此目的，出口暨入口端點會受限於某些型式之編碼圖像，且位於時序基底之偏異值(offset)會予以調整以避免緩衝區溢位情況發生。
简体摘要：本发明揭示数种方法用以自记录于一传输串流格式、通常用于广播目的之第一及第二串流中产生经编辑后之 MPEG(动态图像专家群体)声讯/视频串流。依据一实施例，其会产生一桥接串行以将来自两原始串流之数据记录于编辑点之区域内，填充封包会插入于基本串流中以调整一连续记录器俾使连续性记录作业可完全地跨越桥接串行及第二串行。在另一实施例中，吾人并不要求完美之播放作业(seamless playback)，因此桥接串行可予以省略，且各种作业可快速地("on-the-fly")运行以产生和MPEG-2标准兼容之编辑后串行，为此目的，出口暨入口端点会受限于某些型式之编码图像，且位于时序基底之偏异值(offset)会予以调整以避免缓冲区溢出情况发生。

9. 发明专利

TWI554145B 光輸出裝置有权
简体标题：光输出设备
公开(公告)号：TWI554145B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW097146017
申请日：2008-11-27
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：馬登馬瑞司瓊恩威賀默思凡赫本 , VAN HERPEN, MAARTEN MARINUS JOHANNES WILHELMUS , 馬克斯柯尼里斯維爾莫倫 , VERMEULEN, MARKUS CORNELIUS
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B37/0254 , H05B33/0803 , H05B37/0263 , Y10T307/258

10. 发明专利

TW200746161A 電源分區記憶庫 POWER PARTITIONING MEMORY BANKS 审中-公开
简体标题：电源分区记忆库 POWER PARTITIONING MEMORY BANKS
公开(公告)号：TW200746161A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095147189
申请日：2006-12-15
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：薩納斯克拉伯倫 KARLAPALEM, SAINATH , 米林德曼諾哈庫卡尼 KULKARNI, MILIND MANOHAR
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F12/023 , G06F12/0292 , G06F12/06 , G06F12/0846 , G06F2212/1028 , Y02D10/13
摘要：本發明包含具有獨立電源控制(110)之複數個記憶庫(102、103)以使得可藉由動態電壓調整而將未積極參與儲存分區資料之任何記憶庫(102、103)斷電。一記憶體管理單元(112)用以重映射分區以使其佔用較少記憶庫,且一重分割處理器(102)用以計算如何可使分區封裝及擠壓在一起以使用較少記憶庫。因此,藉由限制所供電之記憶庫(102、103)的數目而降低整體系統電源耗散。
简体摘要：本发明包含具有独立电源控制(110)之复数个记忆库(102、103)以使得可借由动态电压调整而将未积极参与存储分区数据之任何记忆库(102、103)断电。一内存管理单元(112)用以重映射分区以使其占用较少记忆库,且一重分割处理器(102)用以计算如何可使分区封装及挤压在一起以使用较少记忆库。因此,借由限制所供电之记忆库(102、103)的数目而降低整体系统电源耗散。

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