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1. 发明专利

TWI472724B 時序式多光譜影像裝置有权
简体标题：时序式多光谱影像设备
公开(公告)号：TWI472724B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW099123903
申请日：2010-07-21
申请人：財團法人國家實驗研究院 , INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：黃柏瑄 , 陳銘福
IPC分类号： G01J3/02

2. 发明专利

TWI442946B 一種半球狀藥物微粒製備方法及其應用有权
简体标题：一种半球状药物微粒制备方法及其应用
公开(公告)号：TWI442946B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW098145241
申请日：2009-12-28
申请人：財團法人國家實驗研究院 , INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：林永昇 , LIN, YUNG SHENG , 林峻霆 , LIN, CHUN TING , 黃耿祥 , HUANG, KENG SHIANG , 楊智惠 , YANG, CHIH HUI , 蕭勝議 , HSIAO, SHENG YI , 黃志誠 , HUANG, CHIH CHENG , 曾釋鋒 , TSENG, SHIH FENG
IPC分类号： A61K9/16 , A61K47/36 , A61K47/30

3. 发明专利

TW200816606A 射頻電源調變裝置及其調變方法 THE RADIO FREQUENCY POWER MODULATING DEVICE AND THE MODULATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：射频电源调制设备及其调制方法 THE RADIO FREQUENCY POWER MODULATING DEVICE AND THE MODULATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200816606A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095136108
申请日：2006-09-28
申请人：財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心 INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：張吉進 CHANG, JYI JINN , 劉達人 LIU, DA REN
IPC分类号： H02M
摘要：本發明係提出一種射頻電源調變裝置,其包括:一電子計算機、一調變電路、一電源供應器及一頻率產生器。其中該電子計算機,產生一第一數位訊號;該調變電路,與該電子計算機電連接以接收該第一數位訊號,該調變電路產生一第一類比訊號及一第二數位訊號;該電源供應器,與該調變電路電連接以接收該第一類比訊號,該電源供應器產生一第一動力訊號;及該頻率產生器,與該調變電路電連接以接收該第二數位訊號並與該電源供應器電連接以接收該第一動力訊號,該頻率產生器產生一第二動力訊號。
简体摘要：本发明系提出一种射频电源调制设备,其包括:一电子计算机、一调制电路、一电源供应器及一频率产生器。其中该电子计算机,产生一第一数码信号;该调制电路,与该电子计算机电连接以接收该第一数码信号,该调制电路产生一第一模拟信号及一第二数码信号;该电源供应器,与该调制电路电连接以接收该第一模拟信号,该电源供应器产生一第一动力信号;及该频率产生器,与该调制电路电连接以接收该第二数码信号并与该电源供应器电连接以接收该第一动力信号,该频率产生器产生一第二动力信号。

4. 发明专利

TW200812738A 非金屬材料切割方法 MEGHOD FOR CUTTING NON-METAL MATERIAL 审中-公开
简体标题：非金属材料切割方法 MEGHOD FOR CUTTING NON-METAL MATERIAL
公开(公告)号：TW200812738A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW095132976
申请日：2006-09-06
申请人：財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心 INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：鄭源傑 CHENG, YUAN CHIEH , 黃國政 HUANG, KUO CHENG , 林暉雄 LIN, HUI HSIUNG , 吳文弘 WU, WEN HONG
IPC分类号： B23K , C03B
CPC分类号： C03B33/09 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B28D1/221 , C03B33/091 , C03B33/093 , Y10T225/12 , Y10T225/304
摘要：本案揭示一種應用於非金屬材料的切割方法以加速相應的切割速度與外型輪廓之控制,該方法首先是於該非金屬材料上沿一切割路徑方向施加一加熱效果,並經由一第一入射方向與一第二入射方向以沿該切割路徑方向而分別施加一第與第二冷卻效果;藉由於該非金屬材料上沿該切割路徑方向所施加的該加熱效果與該等冷卻效果,可使該非金屬材料沿該切割路徑產生一裂痕進而被切割。
简体摘要：本案揭示一种应用于非金属材料的切割方法以加速相应的切割速度与外型轮廓之控制,该方法首先是于该非金属材料上沿一切割路径方向施加一加热效果,并经由一第一入射方向与一第二入射方向以沿该切割路径方向而分别施加一第与第二冷却效果;借由于该非金属材料上沿该切割路径方向所施加的该加热效果与该等冷却效果,可使该非金属材料沿该切割路径产生一裂痕进而被切割。

5. 发明专利

TW200811072A 一種脆性材料預定位熱劈裂法與裝置 A PRE-FIXED POSITION THERMAL FRACTURING METHOD OF BRITTLE MATERIAL AND DEVICE FOR THE SAME 失效
简体标题：一种脆性材料预定位热噼裂法与设备 A PRE-FIXED POSITION THERMAL FRACTURING METHOD OF BRITTLE MATERIAL AND DEVICE FOR THE SAME
公开(公告)号：TW200811072A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW095132078
申请日：2006-08-30
申请人：財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心 INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：吳文弘 WU, WEN HONG , 黃國政 HUANG, KUO CHENG , 曾釋鋒 TSENG, SHIH FENG
IPC分类号： C03B , B23K
摘要：本發明為一種脆性材料之切割裝置及其方法,就方法而言,其步驟包含產生一微小凹槽於該脆性材料上,施加一冷熱場於該脆性材料上,以成長一裂紋,施加該冷熱場於該微小凹槽上,以成長一初始裂紋,以及移動該冷熱場以切割該脆性材料,俾完成一雷射熱裂切割過程。
简体摘要：本发明为一种脆性材料之切割设备及其方法,就方法而言,其步骤包含产生一微小凹槽于该脆性材料上,施加一冷热场于该脆性材料上,以成长一裂纹,施加该冷热场于该微小凹槽上,以成长一初始裂纹,以及移动该冷热场以切割该脆性材料,俾完成一激光热裂切割过程。

6. 发明专利

TW200806570A 利用圖像式粒子束形成奈米結構的方法與裝置 METHOD AND DEVICE FOR FABRICATING NANO-STRUCTURE WITH PATTERNED PARTICLE BEAM 审中-公开
简体标题：利用图像式粒子束形成奈米结构的方法与设备 METHOD AND DEVICE FOR FABRICATING NANO-STRUCTURE WITH PATTERNED PARTICLE BEAM
公开(公告)号：TW200806570A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095126302
申请日：2006-07-18
申请人：國家實驗研究院儀器科技研究中心 INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：陳至信 CHEN, JYH SHIN , 趙良君 CHAO, LIANG CHIUN , 陳聖元 CHEN, SHENG YUAN , 周曉宇 CHOU, HSIAO YU
IPC分类号： B82B , G03F
CPC分类号： G03F7/2043 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , Y10S977/701 , Y10S977/84 , Y10S977/849 , Y10S977/859 , Y10S977/901
摘要：有別於傳統製程中以一聚焦離子束(Focused Ion Beam,FIB)進行奈米結構點狀成長的方式,在本發明中,係直接利用經圖像化之二維圖像式粒子束,例如:二維圖像式聚焦離子束(2D Patterned and Focused Ion Beam),配合成長氣體源所提供的成長氣體,反應形成所需要的奈米結構。相較於習知技術,本發明之製作方法更為簡便且易於推廣。
简体摘要：有别于传统制程中以一聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)进行奈米结构点状成长的方式,在本发明中,系直接利用经图像化之二维图像式粒子束,例如:二维图像式聚焦离子束(2D Patterned and Focused Ion Beam),配合成长气体源所提供的成长气体,反应形成所需要的奈米结构。相较于习知技术,本发明之制作方法更为简便且易于推广。

7. 发明专利

TW200706688A 一種以電漿方法處理製程廢氣與微粒的裝置 A PLASMA METHOD AND APPARATUS TO DISPOSE OF PROCESS WASTE GASES AND PARTICLES 审中-公开
简体标题：一种以等离子方法处理制程废气与微粒的设备 A PLASMA METHOD AND APPARATUS TO DISPOSE OF PROCESS WASTE GASES AND PARTICLES
公开(公告)号：TW200706688A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW094126474
申请日：2005-08-04
申请人：財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心 INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：高健薰 JIANN-SHIUN KAO, , 鍾炳中 PING-CHUNG CHUNG, , 潘漢昌 HAN-CHANG PAN,
IPC分类号： C23C
摘要：一種以電漿方法處理製程廢氣與微粒的裝置,係由一高密度電漿處理腔體及高效率靜電吸附板所組合而成,並直接加裝於製程機台腔體與抽氣幫浦之間。當製程機台腔體進行如薄膜及蝕刻等製程時,其所排出之氣體含有未反應之製程氣體、副產物氣體以及微粒等,在薄膜沉積階段,高密度電漿處理腔體能繼續將未反應之製程氣體完全反應,而高效率靜電吸附板則能將所有來自製程機台腔體或其後高密度電漿處理腔體所產生之微粒,吸附於靜電吸附板上;當製程機台腔體通入全氟化合物氣體作清潔腔體時,其所排出之氣體亦含有未反應之全氟化合物氣體及副產物氣體,此未反應之全氟化合物氣體亦繼續在高密度電漿處理腔體內被充分解離,然後將原先吸附在靜電吸附板上之微粒清除乾淨,達到同時處理全氟化合物氣體及微粒之目的。另外於處理全氟化合物氣體時可酌量加入催化氣體,增加對全氟化合物氣體之處理效率。最後所有氣體再經幫浦導入小型洗滌塔作最後處理。
简体摘要：一种以等离子方法处理制程废气与微粒的设备,系由一高密度等离子处理腔体及高效率静电吸附板所组合而成,并直接加装于制程机台腔体与抽气帮浦之间。当制程机台腔体进行如薄膜及蚀刻等制程时,其所排出之气体含有未反应之制程气体、副产物气体以及微粒等,在薄膜沉积阶段,高密度等离子处理腔体能继续将未反应之制程气体完全反应,而高效率静电吸附板则能将所有来自制程机台腔体或其后高密度等离子处理腔体所产生之微粒,吸附于静电吸附板上;当制程机台腔体通入全氟化合物气体作清洁腔体时,其所排出之气体亦含有未反应之全氟化合物气体及副产物气体,此未反应之全氟化合物气体亦继续在高密度等离子处理腔体内被充分解离,然后将原先吸附在静电吸附板上之微粒清除干净,达到同时处理全氟化合物气体及微粒之目的。另外于处理全氟化合物气体时可酌量加入催化气体,增加对全氟化合物气体之处理效率。最后所有气体再经帮浦导入小型洗涤塔作最后处理。

8. 发明专利

TW200532261A 光纖式奈米光增幅元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光纤式奈米光增幅组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200532261A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW093108776
申请日：2004-03-30
申请人：財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心 INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：陳至信 CHEN, JYH SHIN , 傅同龍 FU, TONG-LONG , 鄭紹章 CHENG, SHAO-CHANG , 林宇軒 LIN, YU-HSUAN , 胡一君 HU, YI-CHIUEN , 林暉雄 LIN, HUI-HSIUNG , 周曉宇 CHOU, HSIAO-YU
IPC分类号： G02B
摘要：本發明係為一種光纖式奈米光增幅元件及其製作方法，係利用聚焦離子束的微加工技術，以獨特與精準之製程方式，將表面偏極電漿子結構層披覆於光纖之頂端。其光纖經通光後，除可增強通過表面偏極電漿子結構層上孔洞之光通量外，將產生小於繞射極限之極小光束，並可傳播至遠場依然呈現低數值孔徑的狀態，其效應稱為奈米光劍(Nano–Optic Sword,NOS)。此元件應用於光資料儲存、光顯微、生醫檢測系統以及曝光顯影等尖端科技上，將可實現超越繞射極限的超高光學空間解析度。
简体摘要：本发明系为一种光纤式奈米光增幅组件及其制作方法，系利用聚焦离子束的微加工技术，以独特与精准之制程方式，将表面偏极等离子子结构层披覆于光纤之顶端。其光纤经通光后，除可增强通过表面偏极等离子子结构层上孔洞之光通量外，将产生小于绕射极限之极小光束，并可传播至远场依然呈现低数值孔径的状态，其效应称为奈米光剑(Nano–Optic Sword,NOS)。此组件应用于光数据存储、光显微、生医检测系统以及曝光显影等尖端科技上，将可实现超越绕射极限的超高光学空间分辨率。

9. 发明专利

TWI386594B 可重新分配照明輻射源光學頻譜分布的光學裝置有权
简体标题：可重新分配照明辐射源光学频谱分布的光学设备
公开(公告)号：TWI386594B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW098128329
申请日：2009-08-24
申请人：財團法人國家實驗研究院 , INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：施至柔 , SZE, JYH ROU
IPC分类号： F21V13/00 , G02B5/00

10. 发明专利

TWI386308B 可以擴大原構成材料吸收光範圍之複合材料有权
简体标题：可以扩大原构成材料吸收光范围之复合材料
公开(公告)号：TWI386308B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW099105118
申请日：2010-02-23
申请人：財團法人國家實驗研究院 , INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER, NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：蔡定平 , 黃鴻基
IPC分类号： B32B15/00 , H01L31/0216

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