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简体标题：三维设备积体化方法和积体化设备

公开(公告)号：TW471012B

公开(公告)日：2002-01-01

申请号：TW089120370

申请日：2000-09-30

申请人：美國三角研究協會

发明人：保羅M 殷奎特

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/08 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/30 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14634 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2223/6677 , H01L2224/0807 , H01L2224/08123 , H01L2224/1134 , H01L2224/16 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/3005 , H01L2224/30104 , H01L2224/305 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/8303 , H01L2224/83092 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/83193 , H01L2224/83345 , H01L2224/83359 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83912 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , Y10S148/012 , Y10S438/977 , H01L2224/13099 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82

摘要：本發明揭示一種裝置積體化方法及積體化裝置。該方法包含將第一及第二加工品表面拋光至約5-10之表面粗糙度之步驟。該第一及第二加工品拋光表面彼此結合。將該第三加工品表面拋光為該表面粗糙度。該第三加工品表面和該連結之第一及第二加工品結合。該第一、第二及第三加工品均可為一半導體裝置，異於一表面形成之薄材料，最好為晶片形式。將該薄材料拋光為想要表面粗糙度後連合在一起。該薄材料厚度各約為形成其材料之不同面表面之1-10倍。可將任意數目之裝置結合起來，而該等裝置之類型或技術可不同。

简体摘要：本发明揭示一种设备积体化方法及积体化设备。该方法包含将第一及第二加工品表面抛光至约5-10之表面粗糙度之步骤。该第一及第二加工品抛光表面彼此结合。将该第三加工品表面抛光为该表面粗糙度。该第三加工品表面和该链接之第一及第二加工品结合。该第一、第二及第三加工品均可为一半导体设备，异于一表面形成之薄材料，最好为芯片形式。将该薄材料抛光为想要表面粗糙度后连合在一起。该薄材料厚度各约为形成其材料之不同面表面之1-10倍。可将任意数目之设备结合起来，而该等设备之类型或技术可不同。

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