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1. 发明专利

TW200911457A 具有溝槽之研磨墊以減少漿液之消耗 POLISHING PAD WITH GROOVES TO REDUCE SLURRY CONSUMPTION 审中-公开
简体标题：具有沟槽之研磨垫以减少浆液之消耗 POLISHING PAD WITH GROOVES TO REDUCE SLURRY CONSUMPTION
公开(公告)号：TW200911457A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097102155
申请日：2008-01-21
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：莫唐尼葛列格里P MULDOWNEY, GREGORY P.
IPC分类号： B24B , B24D
CPC分类号： B24D11/04 , B24B37/26
摘要：本發明係提供一種化學機械研磨墊,其具有環狀研磨軌跡及同心圓圓心(cocentric center)O。該研磨墊包含具有複數個墊溝槽形成於其中之研磨層。該研磨墊係經設計以與載具(如晶圓載具)一起使用,該載具包含具有複數個載具溝槽之研磨環。該複數個墊溝槽之各者係具有載具相容性溝槽形狀,其係設置以於研磨期間增進在載具環前緣之載具環下的研磨介質之輸送。
简体摘要：本发明系提供一种化学机械研磨垫,其具有环状研磨轨迹及同心圆圆心(cocentric center)O。该研磨垫包含具有复数个垫沟槽形成于其中之研磨层。该研磨垫系经设计以与载具(如晶圆载具)一起使用,该载具包含具有复数个载具沟槽之研磨环。该复数个垫沟槽之各者系具有载具兼容性沟槽形状,其系设置以于研磨期间增进在载具环前缘之载具环下的研磨介质之输送。

2. 发明专利

TW200837181A 釕阻障層研磨漿液 RUTHENIUM-BARRIER POLISHING SLURRY 审中-公开
简体标题：钌阻障层研磨浆液 RUTHENIUM-BARRIER POLISHING SLURRY
公开(公告)号：TW200837181A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096148170
申请日：2007-12-17
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 LIU, ZHENDONG
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02
摘要：一種研磨漿液,用於在至少一種非鐵互連金屬以及介電質存在下從圖案化的半導體基材除去釕層。此研磨漿液包括0.001至10重量百分比之過碘酸或其鹽;至少0.0001重量百分比之用於降低該非鐵互連金屬的除去速率的抑制劑;0.00001至5重量百分比之用於降低介電質除去速率的有機添加物,該有機添加物係選自水溶性聚合物及界面活性劑中之至少一者,該有機添加物含有伸乙氧基或醯胺基;0.1至50重量百分比之研磨料以及餘量之水;而且該漿液具有大於8至12的pH。
简体摘要：一种研磨浆液,用于在至少一种非铁互连金属以及介电质存在下从图案化的半导体基材除去钌层。此研磨浆液包括0.001至10重量百分比之过碘酸或其盐;至少0.0001重量百分比之用于降低该非铁互连金属的除去速率的抑制剂;0.00001至5重量百分比之用于降低介电质除去速率的有机添加物,该有机添加物系选自水溶性聚合物及界面活性剂中之至少一者,该有机添加物含有伸乙氧基或酰胺基;0.1至50重量百分比之研磨料以及余量之水;而且该浆液具有大于8至12的pH。

3. 发明专利

TW200804577A 具有改良之終點偵測之用於化學機械研磨二氧化矽及氮化矽之組成物 COMPOSITIONS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SILICA AND SILICON NITRIDE HAVING IMPROVED ENDPOINT DETECTION 审中-公开
简体标题：具有改良之终点侦测之用于化学机械研磨二氧化硅及氮化硅之组成物 COMPOSITIONS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SILICA AND SILICON NITRIDE HAVING IMPROVED ENDPOINT DETECTION
公开(公告)号：TW200804577A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096118311
申请日：2007-05-23
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：姆勒布萊恩L MUELLER, BRIAN L.
IPC分类号： C09K , H01L , B24B
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要：本發明係提供一種用在半導體基材上研磨二氧化矽及氮化矽的組成物之製造方法。該方法包括使羧酸聚合物進行離子交換以降低其氨含量以及將經離子交換之羧酸聚合物0.01至5重量百分比與0.001至1重量百分比的四級銨化合物、0.001至1重量百分比的鄰苯二甲酸及其鹽、0.01至5重量百分比的研磨料及餘量水混合。
简体摘要：本发明系提供一种用在半导体基材上研磨二氧化硅及氮化硅的组成物之制造方法。该方法包括使羧酸聚合物进行离子交换以降低其氨含量以及将经离子交换之羧酸聚合物0.01至5重量百分比与0.001至1重量百分比的四级铵化合物、0.001至1重量百分比的邻苯二甲酸及其盐、0.01至5重量百分比的研磨料及余量水混合。

4. 发明专利

TW200736375A 化學機械研磨二氧化矽與氮化矽用之組成物 COMPOSITIONS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE 审中-公开
简体标题：化学机械研磨二氧化硅与氮化硅用之组成物 COMPOSITIONS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE
公开(公告)号：TW200736375A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096105646
申请日：2007-02-15
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：萊恩莎拉J LANE, SARAH J. , 優查理斯 YU, CHARLES
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053
摘要：本發明係提供一種適用於研磨半導體晶圓上之氧化矽與氮化矽之水性組成物,該組成物包括0.01至5重量%之羧酸聚合物、0.02至6重量%之研磨料、0.01至10重量%之聚乙烯咯烷酮、0.005至5重量%之陽離子化合物、0.005至5重量%之兩性離子化合物及餘量水,其中該聚乙烯咯烷酮的平均分子量係介於100克/莫耳至1,000,000克/莫耳之間。
简体摘要：本发明系提供一种适用于研磨半导体晶圆上之氧化硅与氮化硅之水性组成物,该组成物包括0.01至5重量%之羧酸聚合物、0.02至6重量%之研磨料、0.01至10重量%之聚乙烯咯烷酮、0.005至5重量%之阳离子化合物、0.005至5重量%之两性离子化合物及余量水,其中该聚乙烯咯烷酮的平均分子量系介于100克/莫耳至1,000,000克/莫耳之间。

5. 发明专利

TW200642797A 以徑向溝紋為主要溝紋之研磨墊 RADIAL-BIASED POLISHING PAD 审中-公开
简体标题：以径向沟纹为主要沟纹之研磨垫 RADIAL-BIASED POLISHING PAD
公开(公告)号：TW200642797A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095112634
申请日：2006-04-10
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：莫唐尼葛列格里P MULDOWNEY, GREGORY P.
IPC分类号： B24B , B24D
CPC分类号： B24B37/26
摘要：一種研磨墊，可用於研磨磁性、光學及半導體基材。該研磨墊包括具有旋轉中心及與該旋轉中心同心且具有一寬度的環狀研磨軌跡之研磨層。在該環狀研磨軌跡的寬度內不含非徑向凹槽。而且該研磨墊之環狀研磨軌跡寬度範圍以內之研磨層中具有多數徑向微通道，而大部分徑向微通道主要地具有徑向取向及小於50微米的平均寬度。
简体摘要：一种研磨垫，可用于研磨磁性、光学及半导体基材。该研磨垫包括具有旋转中心及与该旋转中心同心且具有一宽度的环状研磨轨迹之研磨层。在该环状研磨轨迹的宽度内不含非径向凹槽。而且该研磨垫之环状研磨轨迹宽度范围以内之研磨层中具有多数径向微信道，而大部分径向微信道主要地具有径向取向及小于50微米的平均宽度。

6. 发明专利

TW200636029A 用於化學機械研磨層間介電層之組成物及方法 COMPOSITIONS AND METHODS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING INTERLEVEL DIELECTRIC LAYERS 审中-公开
简体标题：用于化学机械研磨层间介电层之组成物及方法 COMPOSITIONS AND METHODS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING INTERLEVEL DIELECTRIC LAYERS
公开(公告)号：TW200636029A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW095107138
申请日：2006-03-03
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：巴克亞瑟理查 BAKER, ARTHUR RICHARD , 萊恩莎拉J LANE, SARAH J. , 劉振東 LIU, ZHENDONG
IPC分类号： C09G , C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053
摘要：本發明係提供一種在層間介電加工中用來研磨在半導體晶圓上之介電層之水溶性組成物，該水溶性組成物包括0.001至1重量％四級銨化合物，0.01至20重量％膠體狀二氧化矽，0至5重量％界面活性劑及0至5重量％羧酸聚合物，且餘量為求。
简体摘要：本发明系提供一种在层间介电加工中用来研磨在半导体晶圆上之介电层之水溶性组成物，该水溶性组成物包括0.001至1重量％四级铵化合物，0.01至20重量％胶体状二氧化硅，0至5重量％界面活性剂及0至5重量％羧酸聚合物，且余量为求。

7. 发明专利

TW200633814A 具有徑向交變式構槽段構形之化學機械研磨墊 CMP PAD HAVING A RADIALLY ALTERNATING GROOVE SEGMENT CONFIGURATION 审中-公开
简体标题：具有径向交变式构槽段构形之化学机械研磨垫 CMP PAD HAVING A RADIALLY ALTERNATING GROOVE SEGMENT CONFIGURATION
公开(公告)号：TW200633814A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW095100554
申请日：2006-01-06
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：艾爾穆夫迪凱羅琳娜L ELMUFDI, CAROLINA L. , 漢卓恩傑弗瑞J HENDRON, JEFFREY J. , 莫唐尼葛列格里P MULDOWNEY, GREGORY P.
IPC分类号： B24B , B24D
CPC分类号： B24B37/26
摘要：一種研磨墊(104)，其具有環狀研磨軌跡(122)且包括複數個各自橫越該研磨軌跡之構槽(148)。每個構槽包括複數個流動控制段(CS1–CS3)以及至少兩個位於研磨軌跡中的斜率不連續處(D1，D2)。
简体摘要：一种研磨垫(104)，其具有环状研磨轨迹(122)且包括复数个各自横越该研磨轨迹之构槽(148)。每个构槽包括复数个流动控制段(CS1–CS3)以及至少两个位于研磨轨迹中的斜率不连续处(D1，D2)。

8. 发明专利

TW200609079A 具有流改質槽網之研磨墊 POLISHING PAD WITH FLOW MODIFYING GROOVE NETWORK 审中-公开
简体标题：具有流改质槽网之研磨垫 POLISHING PAD WITH FLOW MODIFYING GROOVE NETWORK
公开(公告)号：TW200609079A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW094124027
申请日：2005-07-15
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：帕拉帕西拉菲帢爪V PALAPARTHI, RAVICHANDRA V.
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/26
摘要：本發明提供一種用以研磨晶圓(32)或其他物件之研磨墊(20)，該研磨墊具有槽網(60)，該槽網(60)被建構成可改變研磨媒介(46)內之反應劑與晶圓上之結構互相作用所形成之反應生成物通過晶圓軌道之滯留時間。該槽網具有大致上可徑向向外延伸之第一部分(72)以及被建構成可改變研磨媒介之徑向外流速度之第二部分(74)。
简体摘要：本发明提供一种用以研磨晶圆(32)或其他对象之研磨垫(20)，该研磨垫具有槽网(60)，该槽网(60)被建构成可改变研磨媒介(46)内之反应剂与晶圆上之结构互相作用所形成之反应生成物通过晶圆轨道之滞留时间。该槽网具有大致上可径向向外延伸之第一部分(72)以及被建构成可改变研磨媒介之径向外流速度之第二部分(74)。

9. 发明专利

TW200536666A 溝槽式研磨墊及方法 GROOVED POLISHING PAD AND METHOD 审中-公开
简体标题：沟槽式研磨垫及方法 GROOVED POLISHING PAD AND METHOD
公开(公告)号：TW200536666A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094101575
申请日：2005-01-19
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：葛格利P 慕道尼 MULDOWNEY, GREGORY P.
IPC分类号： B24D , B24B
CPC分类号： B24B37/26 , Y10S451/921
摘要：本發明係關於一種用於研磨一晶圓(112,516)或其它物品之研磨墊(104,300,400,500)。該研磨墊包括一研磨層(108)，其具有一由第一及第二邊界((168,172)、(312,316)、(412,416)、(508,512))所界定之研磨區域(164、320、420、504)，該等邊界具有隨所研磨物品之研磨表面(116)之尺寸及所用研磨器(100)之類型而變之形狀及位置。該研磨區域具有若干區段((Z1–Z3)(Z1'–Z3')(Z1"–Z3")(Z1'"–Z3'"))，每一區段含有對應之溝槽((148,152,156)(304,308,324)(404,408,424)(520,524,528))，該等溝槽具有基於彼區段中之該晶圓之一或多個速度向量((V1–V4)(V1'–V4')(V1"–V4")(V1'"–V4'"))之方向而選擇之方位。
简体摘要：本发明系关于一种用于研磨一晶圆(112,516)或其它物品之研磨垫(104,300,400,500)。该研磨垫包括一研磨层(108)，其具有一由第一及第二边界((168,172)、(312,316)、(412,416)、(508,512))所界定之研磨区域(164、320、420、504)，该等边界具有随所研磨物品之研磨表面(116)之尺寸及所用研磨器(100)之类型而变之形状及位置。该研磨区域具有若干区段((Z1–Z3)(Z1'–Z3')(Z1"–Z3")(Z1'"–Z3'"))，每一区段含有对应之沟槽((148,152,156)(304,308,324)(404,408,424)(520,524,528))，该等沟槽具有基于彼区段中之该晶圆之一或多个速度矢量((V1–V4)(V1'–V4')(V1"–V4")(V1'"–V4'"))之方向而选择之方位。

10. 发明专利

TW200531783A 用於減少漿液消耗之具有溝槽排列的研磨墊 POLISHING PAD HAVING A GROOVE ARRANGEMENT FOR REDUCING SLURRY CONSUMPTION 审中-公开
简体标题：用于减少浆液消耗之具有沟槽排列的研磨垫 POLISHING PAD HAVING A GROOVE ARRANGEMENT FOR REDUCING SLURRY CONSUMPTION
公开(公告)号：TW200531783A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW093133217
申请日：2004-11-01
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：葛格利P 莫道奈 MULDOWNEY, GREGORY P.
IPC分类号： B24B , B24D , H01L
CPC分类号： B24B37/26
摘要：一種研磨墊(200)，其包括一具有用於研磨晶圓(220)之研磨區域(208)之研磨層(204)。該研磨層包括一組延伸至研磨區域中之流入溝槽(232)及一組延伸離開研磨區域之流出溝槽(236)。在研磨晶圓時，流入及流出溝槽彼此協同操作而增強研磨漿液之利用。
简体摘要：一种研磨垫(200)，其包括一具有用于研磨晶圆(220)之研磨区域(208)之研磨层(204)。该研磨层包括一组延伸至研磨区域中之流入沟槽(232)及一组延伸离开研磨区域之流出沟槽(236)。在研磨晶圆时，流入及流出沟槽彼此协同操作而增强研磨浆液之利用。

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