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1. 发明专利

TW200513653A 多級射頻放大器之功率增益及損耗的分析裝置及方法审中-公开
简体标题：多级射频放大器之功率增益及损耗的分析设备及方法
公开(公告)号：TW200513653A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW092127461
申请日：2003-10-03
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP
发明人：朱浚 CHU, CHUN HSUEH
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H03F3/195
摘要：本發明係一種多級射頻放大器之功率增益及損耗的分析裝置及方法，因應過去之多級微波射頻電路分析之不易，故提出新的施行方式。係將一多級射頻放大器先簡化其架構，並將待分析設定的電路部分提出，而尚未分析設定之其他電路部分，則將其視為一個單一中間級架構。在行此簡化步驟後，可專心分析該待設定調整的電路部分，並調整之使其達到最佳增益狀態。如此層層剝離分析，不但可有系統的簡化分析步驟，並且可得知各級電路對於整個電路的貢獻及其反應，而能對其有更深入的了解，可更快速地找出問題關鍵並加以改進。
简体摘要：本发明系一种多级射频放大器之功率增益及损耗的分析设备及方法，因应过去之多级微波射频电路分析之不易，故提出新的施行方式。系将一多级射频放大器先简化其架构，并将待分析设置的电路部分提出，而尚未分析设置之其他电路部分，则将其视为一个单一中间级架构。在行此简化步骤后，可专心分析该待设置调整的电路部分，并调整之使其达到最佳增益状态。如此层层剥离分析，不但可有系统的简化分析步骤，并且可得知各级电路对于整个电路的贡献及其反应，而能对其有更深入的了解，可更快速地找出问题关键并加以改进。

2. 发明专利

TWI228871B 高頻多樣選擇性預除器有权
简体标题：高频多样选择性预除器
公开(公告)号：TWI228871B
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW092126245
申请日：2003-09-23
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP.
发明人：劉鳳銘 , 陳正維
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K23/667
摘要：一種高頻多樣選擇性預除器，可將輸入訊號依照使用者所須之除頻比例加以除頻，得到使用者所預期的除頻頻率。其電路由複數個邏輯閘及複數個D型正反器(D-flip-flop)所組成，係包括有：第一除頻器，其接受一輸入訊號後，經由除頻處理，形成一除頻頻率之除頻器；第二除頻器，連接至該第一除頻器，並且經由複數個選擇訊號與複數個及閘(AND)作為選擇開關，將第一除頻器之除頻結果再進一步除頻，為一可擴充選擇除頻頻率之電路；模組控制器(module control)，其用以將複數個選擇訊號與一外部控制訊號(MC)經由或閘(OR)執行邏輯運算後連接至第一級除頻器，更進一步地控制第一除頻器之除頻頻率；輸出選擇電路，連接至第二除頻器，並搭配複數個選擇訊號做為選擇訊號輸出之裝置。此高頻多樣選擇性預除器，係能提供多樣化的除頻頻率，讓使用者能有效地控制整體電路之除頻功能，達成降地製作成本之目標。
简体摘要：一种高频多样选择性预除器，可将输入信号依照用户所须之除频比例加以除频，得到用户所预期的除频频率。其电路由复数个逻辑门及复数个D型正反器(D-flip-flop)所组成，系包括有：第一除频器，其接受一输入信号后，经由除频处理，形成一除频频率之除频器；第二除频器，连接至该第一除频器，并且经由复数个选择信号与复数个及闸(AND)作为选择开关，将第一除频器之除频结果再进一步除频，为一可扩充选择除频频率之电路；模块控制器(module control)，其用以将复数个选择信号与一外部控制信号(MC)经由或闸(OR)运行逻辑运算后连接至第一级除频器，更进一步地控制第一除频器之除频频率；输出选择电路，连接至第二除频器，并搭配复数个选择信号做为选择信号输出之设备。此高频多样选择性预除器，系能提供多样化的除频频率，让用户能有效地控制整体电路之除频功能，达成降地制作成本之目标。

3. 发明专利

TW200536271A 震盪信號產生方法及裝置审中-公开
简体标题：震荡信号产生方法及设备
公开(公告)号：TW200536271A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093112129
申请日：2004-04-30
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP
发明人：馬思平 , 陳韶華
IPC分类号： H03L
CPC分类号： H03K3/013 , H03K3/012 , H03K3/0231
摘要：一種震盪信號產生方法，包括：以充電至高觸發準位後進行放電，且放電至低觸發準位後進行充電的方式產生震盪信號；以及，於充電、放電初期加速充電、放電，之後再恢復正常速度充電、放電；本發明利用加速充放電作為線性補償，使得所產生的震盪信號同時具有可消除相雜訊、跳動以及調變線性度絕佳之特性。
简体摘要：一种震荡信号产生方法，包括：以充电至高触发准位后进行放电，且放电至低触发准位后进行充电的方式产生震荡信号；以及，于充电、放电初期加速充电、放电，之后再恢复正常速度充电、放电；本发明利用加速充放电作为线性补偿，使得所产生的震荡信号同时具有可消除相噪声、跳动以及调制线性度绝佳之特性。

4. 发明专利

TWI232942B 多級射頻放大器之功率增益及損耗的分析裝置及方法有权
简体标题：多级射频放大器之功率增益及损耗的分析设备及方法
公开(公告)号：TWI232942B
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW092127461
申请日：2003-10-03
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP.
发明人：朱浚 CHU, CHUN HSUEH
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H03F3/195
摘要：本發明係一種多級射頻放大器之功率增益及損耗的分析裝置及方法，因應過去之多級微波射頻電路分析之不易，故提出新的施行方式。係將一多級射頻放大器先簡化其架構，並將待分析設定的電路部分提出，而尚未分析設定之其他電路部分，則將其視為一個單一中間級架構。在行此簡化步驟後，可專心分析該待設定調整的電路部分，並調整之使其達到最佳增益狀態。如此層層剝離分析，不但可有系統的簡化分析步驟，並且可得知各級電路對於整個電路的貢獻及其反應，而能對其有更深入的了解，可更快速地找出問題關鍵並加以改進。
简体摘要：本发明系一种多级射频放大器之功率增益及损耗的分析设备及方法，因应过去之多级微波射频电路分析之不易，故提出新的施行方式。系将一多级射频放大器先简化其架构，并将待分析设置的电路部分提出，而尚未分析设置之其他电路部分，则将其视为一个单一中间级架构。在行此简化步骤后，可专心分析该待设置调整的电路部分，并调整之使其达到最佳增益状态。如此层层剥离分析，不但可有系统的简化分析步骤，并且可得知各级电路对于整个电路的贡献及其反应，而能对其有更深入的了解，可更快速地找出问题关键并加以改进。

5. 发明专利

TW200515600A 縮小化電晶體陣列佈局之方法及結構审中-公开
简体标题：缩小化晶体管数组布局之方法及结构
公开(公告)号：TW200515600A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW092128823
申请日：2003-10-17
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP
发明人：吳經國 , 王是琦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G06F17/5068
摘要：一種縮小化電晶體陣列佈局之方法及結構，適用於雙載子電晶體整合製程，並可將晶圓中之雜散電抗一致化，主要係包含有：複數個單位化元件，係由一第一元件與一第二元件所組成，並接受一輸入訊號，其中該第一元件與該第二元件可由複數個電晶體所組成；複數條走線，將該輸入訊號以多層次分支潰入該些單位化元件，於該些走線可提供所需之適當的電阻、電容、電感量，並使得該輸入訊號至該些單位化元件係為等距離；以及一多維佈局空間，係由該些單位化元件排列而成。此技術可應用於異質接面雙載子電晶體(HBT)或雙載子電晶體(BJT)，如此使得單位體積中可放置更多的電晶體數量，達成縮小化之功效，更因為能將晶圓中之雜散電抗一致化，可進而提高良率、降低單位成本。
简体摘要：一种缩小化晶体管数组布局之方法及结构，适用于双载子晶体管集成制程，并可将晶圆中之杂散电抗一致化，主要系包含有：复数个单位化组件，系由一第一组件与一第二组件所组成，并接受一输入信号，其中该第一组件与该第二组件可由复数个晶体管所组成；复数条走线，将该输入信号以多层次分支溃入该些单位化组件，于该些走线可提供所需之适当的电阻、电容、电感量，并使得该输入信号至该些单位化组件系为等距离；以及一多维布局空间，系由该些单位化组件排列而成。此技术可应用于异质接面双载子晶体管(HBT)或双载子晶体管(BJT)，如此使得单位体积中可放置更多的晶体管数量，达成缩小化之功效，更因为能将晶圆中之杂散电抗一致化，可进而提高良率、降低单位成本。

6. 发明专利

TWI270252B 震盪信號產生方法及裝置有权
简体标题：震荡信号产生方法及设备
公开(公告)号：TWI270252B
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW093112129
申请日：2004-04-30
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP.
发明人：馬思平 , 陳韶華 CHEN, SHAO HUA
IPC分类号： H03L
CPC分类号： H03K3/013 , H03K3/012 , H03K3/0231
摘要：一種震盪信號產生方法，包括：以充電至高觸發準位後進行放電，且放電至低觸發準位後進行充電的方式產生震盪信號；以及，於充電、放電初期加速充電、放電，之後再恢復正常速度充電、放電；本發明利用加速充放電作為線性補償，使得所產生的震盪信號同時具有可消除相雜訊、跳動以及調變線性度絕佳之特性。
简体摘要：一种震荡信号产生方法，包括：以充电至高触发准位后进行放电，且放电至低触发准位后进行充电的方式产生震荡信号；以及，于充电、放电初期加速充电、放电，之后再恢复正常速度充电、放电；本发明利用加速充放电作为线性补偿，使得所产生的震荡信号同时具有可消除相噪声、跳动以及调制线性度绝佳之特性。

7. 发明专利

TWI220793B 縮小化電晶體陣列佈局之方法及結構有权
简体标题：缩小化晶体管数组布局之方法及结构
公开(公告)号：TWI220793B
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092128823
申请日：2003-10-17
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP.
发明人：吳經國 , 王是琦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G06F17/5068
摘要：一種縮小化電晶體陣列佈局之方法及結構，適用於雙載子電晶體整合製程，並可將晶圓中之雜散電抗一致化，主要係包含有：複數個單位化元件，係由一第一元件與一第二元件所組成，並接受一輸入訊號，其中該第一元件與該第二元件可由複數個電晶體所組成；複數條走線，將該輸入訊號以多層次分支潰入該些單位化元件，於該些走線可提供所需之適當的電阻、電容、電感量，並使得該輸入訊號至該些單位化元件係為等距離；以及一多維佈局空間，係由該些單位化元件排列而成。此技術可應用於異質接面雙載子電晶體(HBT)或雙載子電晶體(BJT)，如此使得單位體積中可放置更多的電晶體數量，達成縮小化之功效，更因為能將晶圓中之雜散電抗一致化，可進而提高良率、降低單位成本。
简体摘要：一种缩小化晶体管数组布局之方法及结构，适用于双载子晶体管集成制程，并可将晶圆中之杂散电抗一致化，主要系包含有：复数个单位化组件，系由一第一组件与一第二组件所组成，并接受一输入信号，其中该第一组件与该第二组件可由复数个晶体管所组成；复数条走线，将该输入信号以多层次分支溃入该些单位化组件，于该些走线可提供所需之适当的电阻、电容、电感量，并使得该输入信号至该些单位化组件系为等距离；以及一多维布局空间，系由该些单位化组件排列而成。此技术可应用于异质接面双载子晶体管(HBT)或双载子晶体管(BJT)，如此使得单位体积中可放置更多的晶体管数量，达成缩小化之功效，更因为能将晶圆中之杂散电抗一致化，可进而提高良率、降低单位成本。

8. 发明专利

TW591894B 一種震盪器特性曲線校正系統與裝置有权
简体标题：一种震荡器特性曲线校正系统与设备
公开(公告)号：TW591894B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW092117908
申请日：2003-07-01
申请人：立積電子股份有限公司 RICH WAVE TECHNOLOGY CORP
发明人：林漢紋
IPC分类号： H03L
CPC分类号： H03L7/16 , H03L1/022 , H03L7/08
摘要：一種震盪器特性曲線校正系統與裝置係利用一校正裝置，判斷是否需要改變該震盪器之特性曲線，輸出一校正信號給校正電路，藉由改變校正電路電路特性，進而選擇該震盪器之特性曲線。利用本發明，可以自動校正震盪器的頻率特性曲線，避免製程和溫度對頻率合成器的影響。而且出貨時就無須如需人工調校，除可減低人工調校的不確定性，更可以減低人工的成本。此外，利用本發明可以隨時校正震盪器的頻率特性曲線，更可以在出貨之後，繼續保證產品的品質。此接傳統技藝所無法達成之功效。五、(一)、本案代表圖為：第四圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
1-電源供應裝置 10-控制信號
2-震盪器 20-輸出頻率
3-校正裝置 30-校正信號
31-比較裝置 310-狀態參數
311-第一比較器 312-第二比較器
32-調整裝置 4-校正電路
5-回饋控制裝置
简体摘要：一种震荡器特性曲线校正系统与设备系利用一校正设备，判断是否需要改变该震荡器之特性曲线，输出一校正信号给校正电路，借由改变校正电路电路特性，进而选择该震荡器之特性曲线。利用本发明，可以自动校正震荡器的频率特性曲线，避免制程和温度对频率合成器的影响。而且出货时就无须如需人工调校，除可减低人工调校的不确定性，更可以减低人工的成本。此外，利用本发明可以随时校正震荡器的频率特性曲线，更可以在出货之后，继续保证产品的品质。此接传统技艺所无法达成之功效。五、(一)、本案代表图为：第四图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 1-电源供应设备 10-控制信号 2-震荡器 20-输出频率 3-校正设备 30-校正信号 31-比较设备 310-状态参数 311-第一比较器 312-第二比较器 32-调整设备 4-校正电路 5-回馈控制设备

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