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1. 发明专利

TW202027212A 調溫裝置审中-公开
简体标题：调温设备
公开(公告)号：TW202027212A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108140056
申请日：2019-11-05
申请人：日商科理克股份有限公司 , KELK LTD.
发明人：小林敦 , KOBAYASHI, ATSUSHI , 堀越真人 , HORIKOSHI, MASATO , 大久保英明 , OHKUBO, HIDEAKI , 清澤航 , KIYOSAWA, WATARU
IPC分类号： H01L21/683 , H01L35/30 , H01L21/3065
摘要：調溫裝置包括：頂板，其支持基板；底板，其以在與頂板之間形成內部空間之方式與頂板連接；熱電模組板，其配置於內部空間中；熱交換板，其配置於內部空間中，且與熱電模組板進行熱交換；第1結合構件，其透過熱電模組板及熱交換板而將頂板與底板結合，且於頂板及底板上分別固定；以及第2結合構件，其透過熱電模組板及熱交換板而將頂板與底板結合，且固定於頂板上，可與底板相對移動。
简体摘要：调温设备包括：顶板，其支持基板；底板，其以在与顶板之间形成内部空间之方式与顶板连接；热电模块板，其配置于内部空间中；热交换板，其配置于内部空间中，且与热电模块板进行热交换；第1结合构件，其透过热电模块板及热交换板而将顶板与底板结合，且于顶板及底板上分别固定；以及第2结合构件，其透过热电模块板及热交换板而将顶板与底板结合，且固定于顶板上，可与底板相对移动。

2. 发明专利

TW201019410A 半導體晶圓之溫度控制裝置及溫度控制方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之温度控制设备及温度控制方法
公开(公告)号：TW201019410A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098137998
申请日：2009-11-10
申请人：科理克股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：武知弘明 , 高橋典夫 , 清澤航 , 圓山重直 , 小宮敦樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67005 , H01L21/67109
摘要：使矽晶圓等之半導體晶圓之基本溫度高速地上升至目標溫度、或下降至目標溫度，據以縮短半導體元件製造時間，且使半導體晶圓之面內溫度分布高精度成為所欲溫度分布(使面內均勻、或使面內溫度分布在各部分不同)，藉此能高品質地製造半導體元件，再者能量效率優異，裝置構成簡單。控制手段，在使半導體晶圓之溫度上升以控制於目標溫度時，切換成將高溫槽內之高於目標溫度之溫度之高溫循環液供應至載台內流路，並控制各複數個區域之熱電元件使半導體晶圓之溫度與目標溫度一致且使半導體晶圓之面內溫度分布成為所欲溫度分布。
简体摘要：使硅晶圆等之半导体晶圆之基本温度高速地上升至目标温度、或下降至目标温度，据以缩短半导体组件制造时间，且使半导体晶圆之面内温度分布高精度成为所欲温度分布(使面内均匀、或使面内温度分布在各部分不同)，借此能高品质地制造半导体组件，再者能量效率优异，设备构成简单。控制手段，在使半导体晶圆之温度上升以控制于目标温度时，切换成将高温槽内之高于目标温度之温度之高温循环液供应至载台内流路，并控制各复数个区域之热电组件使半导体晶圆之温度与目标温度一致且使半导体晶圆之面内温度分布成为所欲温度分布。

3. 发明专利

TWI696795B 流體加熱裝置有权
简体标题：流体加热设备
公开(公告)号：TWI696795B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108106727
申请日：2019-02-27
申请人：日商科理克股份有限公司 , KELK LTD.
发明人：渡邊大介 , WATANABE, DAISUKE , 向順二 , MUKO, JUNJI
IPC分类号： F24H3/00 , F24H9/18 , H01L21/306

4. 发明专利

TW202022302A 調溫裝置與調溫裝置的製造方法审中-公开
简体标题：调温设备与调温设备的制造方法
公开(公告)号：TW202022302A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108140399
申请日：2019-11-07
申请人：日商科理克股份有限公司 , KELK LTD.
发明人：小林敦 , KOBAYASHI, ATSUSHI , 大久保英明 , OHKUBO, HIDEAKI
IPC分类号： F28D1/04 , H01L35/00 , H01L21/67
摘要：調溫裝置，具備：具有流路槽之流路板、與流路槽對向之傳熱板、以及與傳熱板連接之熱電模組板。流路板之表面粗糙度為0.20[μm]以上、0.25[μm]以下。
简体摘要：调温设备，具备：具有流路槽之流路板、与流路槽对向之传热板、以及与传热板连接之热电模块板。流路板之表面粗糙度为0.20[μm]以上、0.25[μm]以下。

5. 发明专利

TWI694229B 液體加熱裝置及洗淨系統有权
简体标题：液体加热设备及洗净系统
公开(公告)号：TWI694229B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108106728
申请日：2019-02-27
申请人：日商科理克股份有限公司 , KELK LTD.
发明人：三村和弘 , MIMURA, KAZUHIRO
IPC分类号： F24H1/10 , B08B3/04 , H01L21/30

6. 发明专利

TWI505435B 附有感應器之基板及附有感應器之基板之製造方法有权
简体标题：附有感应器之基板及附有感应器之基板之制造方法
公开(公告)号：TWI505435B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW099104263
申请日：2010-02-11
申请人：科理克股份有限公司 , KELK LTD. , 愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：大場正和 , OBA, MASAKAZU , 小田正明 , ODA, MASAAKI
IPC分类号： H01L23/58 , G01L11/00
CPC分类号： G01K7/16 , G01K2007/422 , G01K2211/00 , G01L5/0047 , H01L22/10 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW202030568A 溫度控制系統及溫度控制方法审中-公开
简体标题：温度控制系统及温度控制方法
公开(公告)号：TW202030568A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108148562
申请日：2019-12-31
申请人：日商科理克股份有限公司 , KELK LTD.
发明人：小林敦 , KOBAYASHI, ATSUSHI , 大久保英明 , OHKUBO, HIDEAKI , 三村和弘 , MIMURA, KAZUHIRO , 鈴木徹 , SUZUKI, TORU
IPC分类号： G05D23/19
摘要：本發明之課題在於高精度地控制流體之溫度。本發明之溫度控制系統具備：循環流路，其包含溫度調整對象、及收容已調整為包含溫度調整對象之目標溫度之規定溫度範圍的流體之槽；以及第1溫度調整器，其於循環流路中配置於槽與溫度調整對象之間，對往溫度調整對象供給之流體之溫度進行調整。
简体摘要：本发明之课题在于高精度地控制流体之温度。本发明之温度控制系统具备：循环流路，其包含温度调整对象、及收容已调整为包含温度调整对象之目标温度之规定温度范围的流体之槽；以及第1温度调整器，其于循环流路中配置于槽与温度调整对象之间，对往温度调整对象供给之流体之温度进行调整。

8. 发明专利

TW202026789A 溫度控制裝置审中-公开
简体标题：温度控制设备
公开(公告)号：TW202026789A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108144633
申请日：2019-12-06
申请人：日商科理克股份有限公司 , KELK LTD.
发明人：三村和弘 , MIMURA, KAZUHIRO , 小林敦 , KOBAYASHI, ATSUSHI
IPC分类号： G05D23/19
摘要：本發明之溫度控制裝置，具備：平滑器，其具有流體流入之第1入口、自第1入口流入之流體流通之平滑化流路、及於平滑化流路中流通之流體流出之第1出口，使第1出口中之流體之溫度變動量小於第1入口中之流體之溫度變動量；溫度調整器，其具有自第1出口流出之流體流入之第2入口、自第2入口流入之流體流通之溫度調整流路、調整於溫度調整流路中流通之流體之溫度之溫度調整部、及於溫度調整流路中流通之流體流出之第2出口；第1溫度感測器，其於設定於平滑化流路之第1位置檢測流體之溫度；第2溫度感測器，其於較第2出口更下游之第2位置檢測流體之溫度；前饋控制部，其根據第1溫度感測器之檢測資料算出溫度調整部之溫度調整量；及反饋控制部，其根據第2溫度感測器之檢測資料算出溫度調整部之溫度調整量。
简体摘要：本发明之温度控制设备，具备：平滑器，其具有流体流入之第1入口、自第1入口流入之流体流通之平滑化流路、及于平滑化流路中流通之流体流出之第1出口，使第1出口中之流体之温度变动量小于第1入口中之流体之温度变动量；温度调整器，其具有自第1出口流出之流体流入之第2入口、自第2入口流入之流体流通之温度调整流路、调整于温度调整流路中流通之流体之温度之温度调整部、及于温度调整流路中流通之流体流出之第2出口；第1温度传感器，其于设置于平滑化流路之第1位置检测流体之温度；第2温度传感器，其于较第2出口更下游之第2位置检测流体之温度；前馈控制部，其根据第1温度传感器之检测数据算出温度调整部之温度调整量；及反馈控制部，其根据第2温度传感器之检测数据算出温度调整部之温度调整量。

9. 发明专利

TW201041114A 附有感應器之基板及附有感應器之基板之製造方法审中-公开
简体标题：附有感应器之基板及附有感应器之基板之制造方法
公开(公告)号：TW201041114A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099104263
申请日：2010-02-11
申请人：科理克股份有限公司 , 愛發科股份有限公司
发明人：大場正和 , 小田正明
IPC分类号： H01L , G01L
CPC分类号： G01K7/16 , G01K2007/422 , G01K2211/00 , G01L5/0047 , H01L22/10 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種可廉價地製造附有用以測量溫度及畸變之感應器之晶圓,且可精確度良好地測量溫度及畸變之附有感應器之基板及附有感應器之基板之製造方法。係於基板表面形成有基底膜,與於該基板表面未形成有基底膜的情況相比,該基底膜可提高奈米粒子分散墨水對基板之密合力,抑制奈米粒子分散墨水擴散至基板中,可抑制奈米粒子分散墨水中所含之金屬結晶的晶粒成長。係使用奈米粒子分散墨水於基板表面之基底膜表面描畫有感應器之配線圖案,且奈米粒子分散墨水經燒成、金屬化。
简体摘要：一种可廉价地制造附有用以测量温度及畸变之感应器之晶圆,且可精确度良好地测量温度及畸变之附有感应器之基板及附有感应器之基板之制造方法。系于基板表面形成有基底膜,与于该基板表面未形成有基底膜的情况相比,该基底膜可提高奈米粒子分散墨水对基板之密合力,抑制奈米粒子分散墨水扩散至基板中,可抑制奈米粒子分散墨水中所含之金属结晶的晶粒成长。系使用奈米粒子分散墨水于基板表面之基底膜表面描画有感应器之配线图案,且奈米粒子分散墨水经烧成、金属化。

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