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1. 发明专利

TW201728869A 用於測量薄層存在中的高度之裝置和方法审中-公开
简体标题：用于测量薄层存在中的高度之设备和方法
公开(公告)号：TW201728869A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105141398
申请日：2016-12-14
申请人：法格爾微科技公司 , FOGALE NANOTECH
发明人：皮爾均飛利浦 , PIEL, JEAN-PHILIPPE , 蘇武佑 , SU, JEFF WU YU , 斯奧依班尼特 , THOUY, BENOIT
IPC分类号： G01B11/06 , G01B9/02 , H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0675 , G01B9/02021 , G01B9/02027 , G01B9/02044 , G01B9/02057 , G01B9/02065 , G01B9/0209 , G01B2210/44 , G01B2210/48 , G01B2290/35
摘要：本發明係有關於一種用於在一例如是晶圓的量測物體(24)上測量高度及/或厚度之裝置，該裝置係包括(i)一第一低同調的干涉儀，其係被配置以用於在一光譜儀(18)中組合一參考光束(17)以及源自於該光在該量測物體(24)的介面上的反射的一量測光束(16)，以便於產生一具有頻譜調變頻率的凹槽的頻譜信號(41)、(ii)用於測量一項代表該相對的光學長度的位置資訊之裝置、(iii)電子及計算裝置(20)，其係被配置以用於判斷至少一代表在該量測光束(16)與該參考光束(17)之間的一光學路徑差異的頻譜調變頻率，並且用於藉由利用該項位置資訊以及該至少一頻譜調變頻率來判斷在該量測物體(24)上的至少一高度及/或厚度、以及(iv)用於測量距離及/或厚度的第二光學裝置(27)，其係利用在一與該量測射束(16)相反的第二面上入射在該量測物體(24)上的一第二量測射束(28)。本發明亦有關於一種被實施在此裝置中之方法。
简体摘要：本发明系有关于一种用于在一例如是晶圆的量测物体(24)上测量高度及/或厚度之设备，该设备系包括(i)一第一低同调的干涉仪，其系被配置以用于在一光谱仪(18)中组合一参考光束(17)以及源自于该光在该量测物体(24)的界面上的反射的一量测光束(16)，以便于产生一具有频谱调制频率的凹槽的频谱信号(41)、(ii)用于测量一项代表该相对的光学长度的位置信息之设备、(iii)电子及计算设备(20)，其系被配置以用于判断至少一代表在该量测光束(16)与该参考光束(17)之间的一光学路径差异的频谱调制频率，并且用于借由利用该项位置信息以及该至少一频谱调制频率来判断在该量测物体(24)上的至少一高度及/或厚度、以及(iv)用于测量距离及/或厚度的第二光学设备(27)，其系利用在一与该量测射束(16)相反的第二面上入射在该量测物体(24)上的一第二量测射束(28)。本发明亦有关于一种被实施在此设备中之方法。

2. 发明专利

TW201617972A 用於擷取藉由週期性圖案所遮罩的非週期性圖案之方法及實施該方法之裝置审中-公开
简体标题：用于截取借由周期性图案所遮罩的非周期性图案之方法及实施该方法之设备
公开(公告)号：TW201617972A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104124195
申请日：2015-07-27
申请人：法格爾微科技公司 , FOGALE NANOTECH
发明人：托伊班諾特 , THOUY, BENOIT
IPC分类号： G06K9/00 , G06T7/00 , H01L21/67 , H01L23/544
CPC分类号： G06T7/0004 , G06K9/00503 , G06K9/0051 , G06K9/36 , G06K19/06009 , G06T5/002 , G06T5/10 , G06T2207/20048 , G06T2207/20056 , G06T2207/30141 , G06T2207/30148 , H01L21/67294 , H01L23/544 , H01L2223/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/54433 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明是關於一種用於從包含週期性干涉圖案的測量訊號來擷取關注資訊(information of interest)之方法，其包含步驟：(i)藉由基於形態基準而實施該測量訊號的振幅譜之分析，產生代表該干涉圖案的頻率分量之濾波函數；(ii)將該濾波函數應用於該測量訊號，以便產生由該干涉圖案所實質構成的干涉訊號；及，(iii)藉由執行在該測量訊號與該干涉訊號之間的差異來計算濾波後的訊號。本發明還關於一種實施該種方法之裝置。
简体摘要：本发明是关于一种用于从包含周期性干涉图案的测量信号来截取关注信息(information of interest)之方法，其包含步骤：(i)借由基于形态基准而实施该测量信号的振幅谱之分析，产生代表该干涉图案的频率分量之滤波函数；(ii)将该滤波函数应用于该测量信号，以便产生由该干涉图案所实质构成的干涉信号；及，(iii)借由运行在该测量信号与该干涉信号之间的差异来计算滤波后的信号。本发明还关于一种实施该种方法之设备。

3. 发明专利

TW201614191A 表面輪廓量測裝置及監控處理中之晶圓的方法审中-公开
简体标题：表面轮廓量测设备及监控处理中之晶圆的方法
公开(公告)号：TW201614191A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104131407
申请日：2015-09-23
申请人：法格爾微科技公司 , FOGALE NANOTECH
发明人：法斯奎特吉勒斯 , FRESQUET, GILLES
IPC分类号： G01B11/24 , G01B11/30
CPC分类号： G01B11/2441 , G01B9/0203 , G01B11/303 , G01B21/30 , G01B2210/56 , G01N21/9501 , G01N2021/8841 , H01L22/12
摘要：本發明關於一種相對於出現在晶圓(12)的第一表面(13)之下的結構(14)而在該第一表面(13)上進行形狀之測量的裝置或設備，其包括：(i)輪廓量測元件(10)，其安排成以便根據至少一測量場而在晶圓(12)的該第一表面(13)上進行形狀的測量；(ii)成像元件(11)，其面對該輪廓量測元件(10)，並且安排成以便根據至少一成像場而在相反於晶圓(12)之第一表面(13)的第二表面上或透過該第二表面來獲取該等結構(14)的參考影像；該輪廓量測元件(10)和該成像元件(11)安排成使得該等測量和成像場在共同的參考框(15)裡的適當位置被參考。本發明也關於在這裝置或這設備中所實施的方法。
简体摘要：本发明关于一种相对于出现在晶圆(12)的第一表面(13)之下的结构(14)而在该第一表面(13)上进行形状之测量的设备或设备，其包括：(i)轮廓量测组件(10)，其安排成以便根据至少一测量场而在晶圆(12)的该第一表面(13)上进行形状的测量；(ii)成像组件(11)，其面对该轮廓量测组件(10)，并且安排成以便根据至少一成像场而在相反于晶圆(12)之第一表面(13)的第二表面上或透过该第二表面来获取该等结构(14)的参考影像；该轮廓量测组件(10)和该成像组件(11)安排成使得该等测量和成像场在共同的参考框(15)里的适当位置被参考。本发明也关于在这设备或这设备中所实施的方法。

4. 发明专利

TW201527908A 藉由非接觸式光學方法用以定位光刻遮罩的裝置和方法审中-公开
简体标题：借由非接触式光学方法用以定位光刻遮罩的设备和方法
公开(公告)号：TW201527908A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103141887
申请日：2014-12-03
申请人：法格爾微科技公司 , FOGALE NANOTECH
发明人：法斯奎特吉勒斯 , FRESQUET, GILLES , 瑞貝特吉恩那爾 , RIBETTE, GUENAEL
IPC分类号： G03F9/00 , G03F1/42
CPC分类号： G03F7/70733 , G03F9/703 , G03F9/7038 , G03F9/7088
摘要：本發明係有關於一種裝置，用以相對於晶圓表面來定位遮罩(10)以用於該晶圓(11)的曝光，其包含：(i)第一定位元件(20)，適用以相關於該遮罩(10)和該晶圓(11)的彼此來抓住並且移動該遮罩(10)和該晶圓(11)；(ii)成像元件(20，22，23，30)，適用以根據至少一視野(14)來產生該遮罩(10)以及該晶圓(11)表面的至少一成像，以使得在該視野(14)中同時成像該遮罩(10)和該晶圓(11)的定位標記(12，13)；以及(iii)至少一光學距離感測器(26)，適用以利用至少部份通過該成像元件的測量光束(15，28)，在該(等)視野中產生在該晶圓(11)表面和該遮罩(10)之間的一距離量測值。本發明亦有關於實施在此裝置的一種方法和一工具。
简体摘要：本发明系有关于一种设备，用以相对于晶圆表面来定位遮罩(10)以用于该晶圆(11)的曝光，其包含：(i)第一定比特件(20)，适用以相关于该遮罩(10)和该晶圆(11)的彼此来抓住并且移动该遮罩(10)和该晶圆(11)；(ii)成像组件(20，22，23，30)，适用以根据至少一视野(14)来产生该遮罩(10)以及该晶圆(11)表面的至少一成像，以使得在该视野(14)中同时成像该遮罩(10)和该晶圆(11)的定位标记(12，13)；以及(iii)至少一光学距离传感器(26)，适用以利用至少部份通过该成像组件的测量光束(15，28)，在该(等)视野中产生在该晶圆(11)表面和该遮罩(10)之间的一距离量测值。本发明亦有关于实施在此设备的一种方法和一工具。

5. 发明专利

TW202021756A 配備有電容偵測及電線之設備审中-公开
简体标题：配备有电容侦测及电线之设备
公开(公告)号：TW202021756A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108124224
申请日：2019-07-10
申请人：法商法格爾微科技公司 , FOGALE NANOTECH
发明人：查寇爾雅西內 , CHAKOUR, YACINE , 羅吉兒迪戴爾 , ROZIERE, DIDIER , 寇瑞爾維里艾倫 , COURTEVILLE, ALAIN
IPC分类号： B25J13/08 , B25J19/00 , B25J19/06
摘要：本發明係關於一種設備(200)，其包含：至少一個電容測量電極(108)，至少一個電容偵測電子器件(100)，及一個電線(202)，在偵測區(126)之中係包含至少一個電導線；該設備(200)還包含用於將該電線(202)定位在下列距離之間的至少一個間隔機構(204)：一個最小距離(Dmin)，超過該最小距離，一個參考電線和該至少一個測量電極所產生的耦合電容會小於一個預定臨限電容；一個最大距離(Dmax)，超過該最大距離，一個參考物體和該至少一個測量電極(108)所產生的耦合電容會小於該臨限電容。
简体摘要：本发明系关于一种设备(200)，其包含：至少一个电容测量电极(108)，至少一个电容侦测电子器件(100)，及一个电线(202)，在侦测区(126)之中系包含至少一个电导线；该设备(200)还包含用于将该电线(202)定位在下列距离之间的至少一个间隔机构(204)：一个最小距离(Dmin)，超过该最小距离，一个参考电线和该至少一个测量电极所产生的耦合电容会小于一个预定临限电容；一个最大距离(Dmax)，超过该最大距离，一个参考物体和该至少一个测量电极(108)所产生的耦合电容会小于该临限电容。

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