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1. 发明专利

TWI301784B 具有堅固之密封邊緣的底墊 SUBPAD HAVING ROBUST, SEALED EDGES 有权
简体标题：具有坚固之密封边缘的底垫 SUBPAD HAVING ROBUST, SEALED EDGES
公开(公告)号：TWI301784B
公开(公告)日：2008-10-11
申请号：TW092115741
申请日：2003-06-10
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：約瑟西恩西爾羅 CIANCIOLO, JOSEPH , 布萊恩倫巴多 LOMBARDO, BRIAN SCOTT
IPC分类号： B24D
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/22 , H01L21/3212
摘要：一種使用在包括半導體晶圓及其它工件的化學機械研
磨與平坦化在內之各種研磨應用中之封包的(encapsulated)
帶子及密封的墊子被提供。該密封的帶子及密封的墊子的
特徵在於,一介於該墊子或該帶子的一研磨層與該墊子或
帶子的底墊層之間的堅固密封。該堅固密封係藉由將一聚
合物直接澆鑄(casting)於該底墊層上完成的。該底墊層的
邊緣可包括一或多個功能性特徵結構,這些功能性特徵結
構在該底墊層被覆蓋了一澆鑄的聚合物時可加强一不透水
及抗泥漿(slurry)密封的形成。一種藉由將一底墊層用一
聚合物質封包起來,而來製造一堅固的密封於該研磨層與
底墊的邊緣區之間的方法被亦被提供。
简体摘要：一种使用在包括半导体晶圆及其它工件的化学机械研磨与平坦化在内之各种研磨应用中之封包的(encapsulated) 带子及密封的垫子被提供。该密封的带子及密封的垫子的特征在于,一介于该垫子或该带子的一研磨层与该垫子或带子的底垫层之间的坚固密封。该坚固密封系借由将一聚合物直接浇铸(casting)于该底垫层上完成的。该底垫层的边缘可包括一或多个功能性特征结构,这些功能性特征结构在该底垫层被覆盖了一浇铸的聚合物时可加强一不透水及抗泥浆(slurry)密封的形成。一种借由将一底垫层用一聚合物质封包起来,而来制造一坚固的密封于该研磨层与底垫的边缘区之间的方法被亦被提供。

2. 发明专利

TWI275567B 用以製造經安定化之氧化鋯的方法 METHOD FOR MANUFACTURING STABILIZED ZIRCONIA 失效
简体标题：用以制造经安定化之氧化锆的方法 METHOD FOR MANUFACTURING STABILIZED ZIRCONIA
公开(公告)号：TWI275567B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW091136277
申请日：2002-12-16
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：夫拉狄米爾.比羅夫 BELOV, VIADIMIR , 艾琳娜.比羅夫 BELOV, IRINA
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G25/00 , C01G25/02 , C01P2002/54
摘要：本發明方法係經由先將鹼式碳酸鋯粒子與安定劑化合物接觸而製造經安定化的氧化鋯。此步驟係使鹼式碳酸鋯粒子與該安定劑化合物透過異相接觸反應而形成經安定化的氧化鋯先質。該安定劑化合物係用以安定化選自包括下列的群組中之相結構：四方相，立方相和四方相與立方相的混合物。接著將該經安定化的氧化鋯先質燒以移除掉氣態副產物並形成經安定化之氧化鋯粉末。該經安定化的氧化鋯粉末具有選自包括下列的群組中之相結構：四方、立方與四方和立方的混合物。
简体摘要：本发明方法系经由先将碱式碳酸锆粒子与安定剂化合物接触而制造经安定化的氧化锆。此步骤系使碱式碳酸锆粒子与该安定剂化合物透过异相接触反应而形成经安定化的氧化锆先质。该安定剂化合物系用以安定化选自包括下列的群组中之相结构：四方相，立方相和四方相与立方相的混合物。接着将该经安定化的氧化锆先质烧以移除掉气态副产物并形成经安定化之氧化锆粉末。该经安定化的氧化锆粉末具有选自包括下列的群组中之相结构：四方、立方与四方和立方的混合物。

3. 发明专利

TW200530354A 高選擇性膠態二氧化矽漿液 HIGH SELECTIVITY COLLOIDAL SILICA SLURRY 审中-公开
简体标题：高选择性胶态二氧化硅浆液 HIGH SELECTIVITY COLLOIDAL SILICA SLURRY
公开(公告)号：TW200530354A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW093134984
申请日：2004-11-15
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC. , HC史達克有限公司 H. C. STARCK GMBH
发明人：艾琳娜比羅夫 BELOV, IRINA , 羅薩布波 PUPPE, LOTHAR , 裘德帕森 PASSING, GERD W.
IPC分类号： C09G
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要：提出一種新穎的高選擇性水性漿料組成物及其用法。此組成物包括約5至約50重量％以未經改質的矽石為基礎的研磨顆粒和約0.001至約2.0重量％有機化合物於水溶液中，其中氧化矽相對於氮化矽之選擇性由約50至約700。
简体摘要：提出一种新颖的高选择性水性浆料组成物及其用法。此组成物包括约5至约50重量％以未经改质的硅石为基础的研磨颗粒和约0.001至约2.0重量％有机化合物于水溶液中，其中氧化硅相对于氮化硅之选择性由约50至约700。

4. 发明专利

TW200512308A 處理濺射靶以降低老化時間之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SPUTTERING TARGET TO REDUCE BURN-IN TIME 审中-公开
简体标题：处理溅射靶以降低老化时间之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SPUTTERING TARGET TO REDUCE BURN-IN TIME
公开(公告)号：TW200512308A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093124674
申请日：2004-08-17
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：彼得麥當勞 MCDONALD, PETER H.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407
摘要：一種使用低功率的濺射離子電漿，而可有效地降低靶的老化時間之乾式處理濺射靶的方法；如此製造的靶；以及用於靶處理的裝置。
简体摘要：一种使用低功率的溅射离子等离子，而可有效地降低靶的老化时间之干式处理溅射靶的方法；如此制造的靶；以及用于靶处理的设备。

5. 发明专利

TW200403349A 超細微-晶粒-銅基濺擊標靶 ULTRAFINE-GRAIN-COPPER-BASE SPUTTER TARGETS 审中-公开
简体标题：超细微-晶粒-铜基溅击标靶 ULTRAFINE-GRAIN-COPPER-BASE SPUTTER TARGETS
公开(公告)号：TW200403349A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092119578
申请日：2003-07-17
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：安德魯派瑞 PERRY, ANDREW C. , 保羅吉爾曼 GILMAN, PAUL S.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22F1/08
摘要：本發明之濺擊標靶具有一選自由高純度銅與銅基合金所組成之群組的成分，此濺擊標靶之晶粒結構被再結晶至少約99％；且濺擊標靶之表面具有（111）、（200）、（220）與（311）各者之至少約為10％的晶粒方位比。此外，該濺擊標靶具有小於約10微米之晶粒尺寸，以改善濺擊均勻性且降低濺擊標靶電弧。
简体摘要：本发明之溅击标靶具有一选自由高纯度铜与铜基合金所组成之群组的成分，此溅击标靶之晶粒结构被再结晶至少约99％；且溅击标靶之表面具有（111）、（200）、（220）与（311）各者之至少约为10％的晶粒方位比。此外，该溅击标靶具有小于约10微米之晶粒尺寸，以改善溅击均匀性且降低溅击标靶电弧。

6. 发明专利

TW573043B 環圈式濺鍍標靶及濺鍍方法有权
简体标题：环圈式溅镀标靶及溅镀方法
公开(公告)号：TW573043B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW091111998
申请日：2002-06-04
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：丹尼爾馬克斯 MARX, DANIEL R. , 瑞吉馬修 MATHEW, RAJAN , 艾爾佛瑞德斯諾曼 SNOWMAN, ALFRED , 查理斯費雪 FISHER, CHARLES R.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407
摘要：濺鍍標靶具有一設計用以均勻地沉積一物質於一基材上。該標靶包含一圓形碟片；及該圓碟具有一半徑及一頂面。該頂面具有一中心區於該半徑的內半部分內，一外環形區於該半徑的外半部分內及一基礎區將該中心區與該環形區分隔開來。該外環形區具有一突起高度用來延長該濺鍍標靶的壽命。該中心區具有一低於該外環形區的突起高度之突起高度用來提高在該基材上與中心區相鄰處的濺鍍沉積率。
简体摘要：溅镀标靶具有一设计用以均匀地沉积一物质于一基材上。该标靶包含一圆形盘片；及该圆碟具有一半径及一顶面。该顶面具有一中心区于该半径的内半部分内，一外环形区于该半径的外半部分内及一基础区将该中心区与该环形区分隔开来。该外环形区具有一突起高度用来延长该溅镀标靶的寿命。该中心区具有一低于该外环形区的突起高度之突起高度用来提高在该基材上与中心区相邻处的溅镀沉积率。

7. 发明专利

TW200533764A 組織化-細粒-粉末冶金之鉭濺射靶 TEXTURED-GRAIN-POWDER METALLURGY TANTALUM SPUTTER TARGET 审中-公开
简体标题：组织化-细粒-粉末冶金之钽溅射靶 TEXTURED-GRAIN-POWDER METALLURGY TANTALUM SPUTTER TARGET
公开(公告)号：TW200533764A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094107714
申请日：2005-03-14
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：侯格柯尼格斯曼 KOENIGSMANN, HOLGER J. , 保羅吉爾曼 GILMAN, PAUL S.
IPC分类号： C22C , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22C27/02 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/18 , B22F3/24
摘要：本案濺射靶包括具有從固結鉭粉形成的鉭粒之鉭體，且該鉭體具有一濺射面。該機射面具有一原子傳送方向用以從濺射面傳送出鉭原子以塗覆–基材。該鉭粒在離開濺射面的原子傳送方向中具有至少40％的(222)方向導向比例及低於15％的(110)方向導向比例以增加濺射均勻性，該鉭體不具有以電子後向散射繞射(Electron Back–Scattering Diffraction)可偵檢到的(200)–(222)方向譜帶，且其中該濺射靶具有至少99.99(％)之純度。
简体摘要：本案溅射靶包括具有从固结钽粉形成的钽粒之钽体，且该钽体具有一溅射面。该机射面具有一原子发送方向用以从溅射面发送出钽原子以涂覆–基材。该钽粒在离开溅射面的原子发送方向中具有至少40％的(222)方向导向比例及低于15％的(110)方向导向比例以增加溅射均匀性，该钽体不具有以电子后向散射绕射(Electron Back–Scattering Diffraction)可侦检到的(200)–(222)方向谱带，且其中该溅射靶具有至少99.99(％)之纯度。

8. 发明专利

TW200514862A 濺鍍靶 EXTENDED LIFE SPUTTER TARGET 审中-公开
简体标题：溅镀靶 EXTENDED LIFE SPUTTER TARGET
公开(公告)号：TW200514862A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW093126906
申请日：2004-09-06
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：瑞恩培羅 PERROT, RENE , 湯瑪士杭特 HUNT, THOMAS J. , 侯格柯尼格斯曼 KOENIGSMANN, HOLGER J. , 保羅吉爾曼 GILMAN, PAUL S.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B23K20/023 , C23C14/3407
摘要：提供一種製造濺鍍靶總成的方法及其產品。方法包括製造一背板，背板具有一平面形頂表面與一在其中的圓柱形凹部。然後，製造接近最後形狀的靶插入件，其具有一截頭圓錐形後表面–其對應於背板的圓柱形凹部–及一前表面。靶插入件的降伏強度大於背板的降伏強度，且高度大於背板中的圓柱形凹部的深度。其後，靶插入件熱壓進入背板的圓柱形凹部成為塑性變形的狀態，以擴散接合靶插入件至背板及形成靶總成。靶插入件突出於背板的平面形前表面上方。
简体摘要：提供一种制造溅镀靶总成的方法及其产品。方法包括制造一背板，背板具有一平面形顶表面与一在其中的圆柱形凹部。然后，制造接近最后形状的靶插入件，其具有一截头圆锥形后表面–其对应于背板的圆柱形凹部–及一前表面。靶插入件的降伏强度大于背板的降伏强度，且高度大于背板中的圆柱形凹部的深度。其后，靶插入件热压进入背板的圆柱形凹部成为塑性变形的状态，以扩散接合靶插入件至背板及形成靶总成。靶插入件突出于背板的平面形前表面上方。

9. 发明专利

TW200427548A 滲透度受控之底墊 CONTROLLED PENETRATION SUBPAD 审中-公开
简体标题：渗透度受控之底垫 CONTROLLED PENETRATION SUBPAD
公开(公告)号：TW200427548A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW092115743
申请日：2003-06-10
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：約瑟西恩西爾羅 CIANCIOLO, JOSEPH , 布萊恩倫巴多 LOMBARDO, BRIAN SCOTT
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/22
摘要：本發明提供一種無接縫拋光墊，其包含滲入多孔質底墊之深度為實質上均勻的無接縫拋光層。在一實施例中，該拋光墊包含對底墊施加可硬化流體而製成之拋光層。另一實施例中，以可硬化流體塗覆之前先以阻障層塗覆該底墊。各實施例中，拋光墊及／或阻障層之滲透深度為實質上均勻的深度。本發明又提供一種無接縫拋光墊之製造方法，該無接縫拋光墊包含滲入多孔質底墊之深度為實質上均勻的無接縫拋光層。
简体摘要：本发明提供一种无接缝抛光垫，其包含渗入多孔质底垫之深度为实质上均匀的无接缝抛光层。在一实施例中，该抛光垫包含对底垫施加可硬化流体而制成之抛光层。另一实施例中，以可硬化流体涂覆之前先以阻障层涂覆该底垫。各实施例中，抛光垫及／或阻障层之渗透深度为实质上均匀的深度。本发明又提供一种无接缝抛光垫之制造方法，该无接缝抛光垫包含渗入多孔质底垫之深度为实质上均匀的无接缝抛光层。

10. 发明专利

TWI224147B 結構化-晶粒-粉末冶金所製之鉭濺鍍標靶 TEXTURED-GRAIN-POWDER METALLURGY TANTALUM SPUTTER TARGET 有权
简体标题：结构化-晶粒-粉末冶金所制之钽溅镀标靶 TEXTURED-GRAIN-POWDER METALLURGY TANTALUM SPUTTER TARGET
公开(公告)号：TWI224147B
公开(公告)日：2004-11-21
申请号：TW091121246
申请日：2002-09-17
申请人：普雷瑟技術股份有限公司 PRAXAIR S. T. TECHNOLOGY, INC.
发明人：侯格.柯尼格斯曼 KOENIGSMANN, HOLGER J. , 保羅.吉爾曼 GILMAN, PAUL S.
IPC分类号： C22C , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/02 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C27/02 , B22F3/18
摘要：該濺鍍標靶包括一具有從固結鉭粉形成的鉭粒之鉭體及一濺鍍面。該濺鍍面具有一原子輸送方向用以從該濺鍍面輸送出鉭原子以塗覆一基板。該鉭粒在沿離開濺鍍面的原子輸送方面上具有至少40%(222)方向的取向比例及低於15%(110)方向的取向比例以增加濺鍍均勻性。
简体摘要：该溅镀标靶包括一具有从固结钽粉形成的钽粒之钽体及一溅镀面。该溅镀面具有一原子输送方向用以从该溅镀面输送出钽原子以涂覆一基板。该钽粒在沿离开溅镀面的原子输送方面上具有至少40%(222)方向的取向比例及低于15%(110)方向的取向比例以增加溅镀均匀性。

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