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    • 2. 发明专利
    • 產生精確內部參考電壓之半導體記憶體元件
    • 产生精确内部参考电压之半导体内存组件
    • TW449899B
    • 2001-08-11
    • TW089104568
    • 2000-03-14
    • 沖電氣工業股份有限公司沖微設計股份有限公司
    • 宮本 健一
    • H01LG11C
    • G11C17/126G11C7/14G11C17/123
    • 一種半導體記憶體裝置具有一記憶體單元陣列,其輸出單元電流至複數個資料感測放大器以及參考電流至複數個參考放大器。參考放大器將參考電流轉換成為參考電壓。資料感測放大器使用參考電壓,將單元電流轉換成為資料電壓信號。依據本發明之第一觀念,將參考電流從兩條平行電流路徑供應至一參考放大器,每一電流路徑具有大致相同數目之兩種型態電晶體,其中一種型態之電晶體是經常導通的,而另一種型態之電晶體則為導通或不導通。每一資料感測放大器與其所連接之參考放大器接收來自該記憶體單元陣列之具有相同佈置部份之電流。
    • 一种半导体内存设备具有一内存单元数组,其输出单元电流至复数个数据传感放大器以及参考电流至复数个参考放大器。参考放大器将参考电流转换成为参考电压。数据传感放大器使用参考电压,将单元电流转换成为数据电压信号。依据本发明之第一观念,将参考电流从两条平行电流路径供应至一参考放大器,每一电流路径具有大致相同数目之两种型态晶体管,其中一种型态之晶体管是经常导通的,而另一种型态之晶体管则为导通或不导通。每一数据传感放大器与其所连接之参考放大器接收来自该内存单元数组之具有相同布置部份之电流。
    • 3. 发明专利
    • 半導體儲存元件
    • 半导体存储组件
    • TW525172B
    • 2003-03-21
    • TW089104567
    • 2000-03-14
    • 沖電氣工業股份有限公司沖微設計股份有限公司
    • 長友 雅彥
    • G11C
    • G11C16/3427G11C16/10G11C16/34G11C16/3418
    • 一種半導體儲存元件。當資料寫入記憶胞11的動作完成,且重置訊號RST被設定在"H"的狀態時,由寫入控制電路60輸出的控制電壓MCD會被設定為接地電壓GND,以開始釋放在汲極線DL上的電荷。當一段特定長的時間過去以後,由延遲電路50輸出的重置訊號RST1會被設定在"H"狀態,且來自資列寫入電路40的輸出訊號會被設定為接地電壓,以開始釋放源極線SL上的電荷。因為汲極線DL的放電早於源極線的放電,在重置操作期間,記憶胞11的汲極與源極之間的電位差並不會增加,藉此可以確保不會有電流流到記憶胞11。因此,因為臨限電壓的增加而導致錯誤的資料寫入與延遲存取的狀況就可以被避免。
    • 一种半导体存储组件。当数据写入记忆胞11的动作完成,且重置信号RST被设置在"H"的状态时,由写入控制电路60输出的控制电压MCD会被设置为接地电压GND,以开始释放在汲极线DL上的电荷。当一段特定长的时间过去以后,由延迟电路50输出的重置信号RST1会被设置在"H"状态,且来自资列写入电路40的输出信号会被设置为接地电压,以开始释放源极线SL上的电荷。因为汲极线DL的放电早于源极线的放电,在重置操作期间,记忆胞11的汲极与源极之间的电位差并不会增加,借此可以确保不会有电流流到记忆胞11。因此,因为临限电压的增加而导致错误的数据写入与延迟存取的状况就可以被避免。