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    • 5. 发明专利
    • 碳質材料、碳質材料之製造方法、薄片化石墨之製造方法及薄片化石墨
    • 碳质材料、碳质材料之制造方法、薄片化石墨之制造方法及薄片化石墨
    • TW201228933A
    • 2012-07-16
    • TW100143802
    • 2011-11-29
    • 積水化學工業股份有限公司國立大學法人大分大學
    • 和田拓也豐田昌宏
    • C01BC25B
    • C25D5/54B82Y30/00B82Y40/00C01B32/184C01B32/22C01B32/225C01P2002/72
    • 本發明提供一種石墨烯間之對向狀態之不均較少的碳質材料及其製造方法,以及可容易且大量地獲得更薄片化之石墨的薄片化石墨之製造方法及薄片化石墨。本發明之碳質材料係於石墨烯積層體之石墨烯間插入有層間物質者,且係於XRD圖案中之2θ為7度~12度之範圍內、18度~24度之範圍內分別具有繞射波峰,且25度~27度之範圍內之繞射波峰高度低於18度~24度之繞射波峰高度,上述出現於2θ為7度~12度之範圍內的波峰之半值寬度為4度以下的膨脹化石墨;本發明之碳質材料之製造方法係將片狀石墨或片狀膨脹石墨之至少一部分浸漬於電解質水溶液中進行電化學處理;本發明之薄片化石墨之製造方法包含藉由對上述碳質材料施加剝離力而獲得薄片化石墨之步驟;本發明之薄片化石墨係藉由該薄片化石墨之製造方法而獲得。
    • 本发明提供一种石墨烯间之对向状态之不均较少的碳质材料及其制造方法,以及可容易且大量地获得更薄片化之石墨的薄片化石墨之制造方法及薄片化石墨。本发明之碳质材料系于石墨烯积层体之石墨烯间插入有层间物质者,且系于XRD图案中之2θ为7度~12度之范围内、18度~24度之范围内分别具有绕射波峰,且25度~27度之范围内之绕射波峰高度低于18度~24度之绕射波峰高度,上述出现于2θ为7度~12度之范围内的波峰之半值宽度为4度以下的膨胀化石墨;本发明之碳质材料之制造方法系将片状石墨或片状膨胀石墨之至少一部分浸渍于电解质水溶液中进行电化学处理;本发明之薄片化石墨之制造方法包含借由对上述碳质材料施加剥离力而获得薄片化石墨之步骤;本发明之薄片化石墨系借由该薄片化石墨之制造方法而获得。