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    • 3. 发明专利
    • 用於形成具有高蝕刻速率的有機防反射膜的組合物
    • 用于形成具有高蚀刻速率的有机防反射膜的组合物
    • TW201903031A
    • 2019-01-16
    • TW107119378
    • 2018-06-05
    • 南韓商東進世美肯股份有限公司DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.
    • 盧孝貞ROH, HYO JUNG金知賢KIM, JI HYUN金昇振KIM, SEUNG JIN金炫辰KIM, HYUN JIN
    • C08L33/14C08F220/26C08F220/18C08F212/14C08F212/08C08K5/3492G03F7/11H01L21/027
    • 本發明揭露了具有防反射功能並有用於步驟的簡化且圖案輪廓優秀的具有高蝕刻速率的用於形成有機防反射膜的組合物及其形成方法。所述用於形成有機防反射膜的組合物包含:防反射高分子,包含由以下化學式1-1、化學式1-2及化學式1-3表示的重複單元;異氰脲酸酯化合物,包含一個以上的由以下化學式2表示的部分;以及有機溶劑,用於溶解所述成分,化學式1-1:、化學式1-2:、化學式1-3:、化學式2:。在化學式1-1至化學式1-3中,R1分別獨立地為氫或甲基,R2為氫、甲基或包含0~2個雜原子的碳數為1至5的烴基,R3為不包含發色團且包含0~2個雜原子的碳數為1至12的烴基,R4作為包含0~2個雜原子的碳數為6至20的鏈形或環形的飽和或不飽和烴基,為包含發色團的烴基。在化學式2中,R為氫或甲基,R’分別獨立地為包含0至6個的雜原子的碳數為1~15的鏈形或碳數為3~15的環形的飽和或不飽和烴基,R’’為包含0~8個的雜原子的碳數為1~15的鏈形或碳數為3~15的環形的飽和或不飽和烴基,R’’’分別獨立地為NH或O。R*分別獨立地為S或O,相鄰的官能團具有相同的元素。由化學式2表示的部分可藉由R’連接2個以上,x、y及z作為構成高分子的各個重複單元的莫耳百分比,X為30莫耳百分比至50莫耳百分比,y為10莫耳百分比至50莫耳百分比及z為10莫耳百分比至50莫耳百分比。
    • 本发明揭露了具有防反射功能并有用于步骤的简化且图案轮廓优秀的具有高蚀刻速率的用于形成有机防反射膜的组合物及其形成方法。所述用于形成有机防反射膜的组合物包含:防反射高分子,包含由以下化学式1-1、化学式1-2及化学式1-3表示的重复单元;异氰脲酸酯化合物,包含一个以上的由以下化学式2表示的部分;以及有机溶剂,用于溶解所述成分,化学式1-1:、化学式1-2:、化学式1-3:、化学式2:。在化学式1-1至化学式1-3中,R1分别独立地为氢或甲基,R2为氢、甲基或包含0~2个杂原子的碳数为1至5的烃基,R3为不包含发色团且包含0~2个杂原子的碳数为1至12的烃基,R4作为包含0~2个杂原子的碳数为6至20的链形或环形的饱和或不饱和烃基,为包含发色团的烃基。在化学式2中,R为氢或甲基,R’分别独立地为包含0至6个的杂原子的碳数为1~15的链形或碳数为3~15的环形的饱和或不饱和烃基,R’’为包含0~8个的杂原子的碳数为1~15的链形或碳数为3~15的环形的饱和或不饱和烃基,R’’’分别独立地为NH或O。R*分别独立地为S或O,相邻的官能团具有相同的元素。由化学式2表示的部分可借由R’连接2个以上,x、y及z作为构成高分子的各个重复单元的莫耳百分比,X为30莫耳百分比至50莫耳百分比,y为10莫耳百分比至50莫耳百分比及z为10莫耳百分比至50莫耳百分比。