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1. 发明专利

TWI701443B 可偵測不同電壓之電壓偵測電路架構有权
简体标题：可侦测不同电压之电压侦测电路架构
公开(公告)号：TWI701443B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108132798
申请日：2019-09-11
申请人：佑華微電子股份有限公司 , ALPHA MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林彥華 , LIN, YEN-HUA , 方文志 , FANG, WEN-CHIH , 黃永興 , HUANG, YUNG- HSING
IPC分类号： G01R19/165

2. 实用新型

TWM566441U 一種低功率消耗之可調電容式觸控偵測裝置有权
简体标题：一种低功率消耗之可调电容式触摸侦测设备
公开(公告)号：TWM566441U
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107203215
申请日：2015-10-01
申请人：佑華微電子股份有限公司
发明人：張雍明 , CHANG,YUNG-MING , 賴曉輝 , LAI,HSIAO-HUI , 王經憲 , WANG,CHING-HSIEN , 方文志 , FANG,WEN-CHIH
IPC分类号： H03K17/96 , G06F3/044

3. 发明专利

TWI416299B 逆向電壓保護器有权
简体标题：逆向电压保护器
公开(公告)号：TWI416299B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099124678
申请日：2010-07-27
申请人：佑華微電子股份有限公司 , ALPHA MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林彥華 , LIN, YEN HUA
IPC分类号： G05F1/569 , H02H3/18

4. 发明专利

TW201039556A 低電壓重置電路 LOW VOLTAGE RESET CIRCUIT 审中-公开
简体标题：低电压重置电路 LOW VOLTAGE RESET CIRCUIT
公开(公告)号：TW201039556A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW098114222
申请日：2009-04-29
申请人：佑華微電子股份有限公司
发明人：林彥華
IPC分类号： H03K
摘要：一種低電壓重置電路,係包括第一NMOS電晶體、第一PMOS電晶體、第二PMOS電晶體、第三PMOS電晶體、驅動電晶體、電阻、信號觸發電路、第一開關電晶體、第二開關電晶體、第三開關電晶體、第一反相器以及第三反相器,其中利用驅動電晶體來造出一個會隨溫度上升而下降的參考電壓,由於第一NMOS電晶體之臨界電壓會隨溫度上升而下降,導致電壓輸出信號會隨著溫度變化而改變,因此配合參考電壓會隨著溫度上升而下降的特性,可使得低電壓輸出訊號不容易隨著溫度變化而改變,進而改善電壓輸出信號不穩定的缺點。
简体摘要：一种低电压重置电路,系包括第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、驱动晶体管、电阻、信号触发电路、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第一反相器以及第三反相器,其中利用驱动晶体管来造出一个会随温度上升而下降的参考电压,由于第一NMOS晶体管之临界电压会随温度上升而下降,导致电压输出信号会随着温度变化而改变,因此配合参考电压会随着温度上升而下降的特性,可使得低电压输出信号不容易随着温度变化而改变,进而改善电压输出信号不稳定的缺点。

5. 发明专利

TW200847651A 支援動態字節長度的記憶體存取裝置审中-公开
简体标题：支持动态字节长度的内存存取设备
公开(公告)号：TW200847651A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096119470
申请日：2007-05-31
申请人：佑華微電子股份有限公司
发明人：鄧致超
IPC分类号： H03M
摘要：本發明揭露一種支援動態字節長度的記憶體存取裝置,特別是支援動態調整字節長度之編碼/解碼系統之並行式記憶體儲存與讀取功能。本發明之記憶體存取裝置,係一種新的並行式記憶體的存取方式,為並串並(parallel to serial to parallel,PSP)的存取方式,可藉由並行式方式儲存記憶體,避免編解碼系統的兼容性問題與其他元件的相容性問題,强化資料定址功能。本發明之記憶體存取裝置,透過並接輸入串接輸出模組與串接輸入並接輸出模組的組合,讓資料得以串行序列方式轉移或傳送,將資料線寬度需求不一的編碼器、解碼器、與並行式記憶體等元件連接起來,以實現存取與定址功能。
简体摘要：本发明揭露一种支持动态字节长度的内存存取设备,特别是支持动态调整字节长度之编码/译码系统之并行式内存存储与读取功能。本发明之内存存取设备,系一种新的并行式内存的存取方式,为并串并(parallel to serial to parallel,PSP)的存取方式,可借由并行式方式存储内存,避免编译码系统的兼容性问题与其他组件的兼容性问题,强化数据寻址功能。本发明之内存存取设备,透过并接输入串接输出模块与串接输入并接输出模块的组合,让数据得以串行串行方式转移或发送,将数据线宽度需求不一的编码器、译码器、与并行式内存等组件连接起来,以实现存取与寻址功能。

6. 发明专利

TWI255418B 系統晶片式的聲音觸發控制器有权
简体标题：系统芯片式的声音触发控制器
公开(公告)号：TWI255418B
公开(公告)日：2006-05-21
申请号：TW091135377
申请日：2002-12-06
申请人：佑華微電子股份有限公司 ALPHA MICROELECTRONICS CORP.
发明人：嚴敏男 YEN, MING NAN
IPC分类号： G06F
摘要：一種系統晶片式的聲音觸發控制器，此控制器主要包含一個觸發源作為感應器，一位準調整器調整感應到的電壓作為收放音的選擇，一放大器將微弱的收放音電壓差放大成為一個足以推動後級的觸發信號，以及一觸發信號作為推動後級電路的信號源。此聲音觸發控制器只需一觸發源即可完成收放音的聲控功能，且不需外加多個電晶體、電阻及電容，只需一個電阻即可調整放大器的增益。此控制器大幅減小電路的整體體積，而可製作在一片晶片的積體電路內部，並且減少產品的製造成本。
简体摘要：一种系统芯片式的声音触发控制器，此控制器主要包含一个触发源作为感应器，一位准调整器调整感应到的电压作为收放音的选择，一放大器将微弱的收放音电压差放大成为一个足以推动后级的触发信号，以及一触发信号作为推动后级电路的信号源。此声音触发控制器只需一触发源即可完成收放音的声控功能，且不需外加多个晶体管、电阻及电容，只需一个电阻即可调整放大器的增益。此控制器大幅减小电路的整体体积，而可制作在一片芯片的集成电路内部，并且减少产品的制造成本。

7. 发明专利

TW362285B 多重住址線解碼的N﹢埋層位元線型僅讀記憶體電路失效
简体标题：多重住址线译码的N﹢埋层比特线型仅读内存电路
公开(公告)号：TW362285B
公开(公告)日：1999-06-21
申请号：TW085103787
申请日：1996-04-01
申请人：佑華微電子股份有限公司
发明人：翁啓培 , 劉衛宗
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關一種多重位址線解碼的N+埋層位元線型僅讀記憶體電路，尤指一種可彈性多重解碼分割記憶體資料區段的平格光罩式僅讀記憶體(FLAT CELL MASK ROM)電路裝置，其主要係以N+埋層位元線作為資料平格場效電晶體與定址用平格(FLAT CELL)場效電晶體並聯相接的源極或汲極，以多組位址線所形成的位址多晶字元線送入定址用平格場效電晶體則陣作為電晶體的閘極，於資料碼離子植入的同時，對定址用平格場效電晶體陣列作離子植入編碼定址，使得每一組位址線在每一個位址值相對應的定址並聯平格場效電晶體只有一個定址值為斷路，其它定址值的定址並聯平格場效電晶體陣列皆為通路，即可使每一組位址線所對應的記憶體細胞單元位置，因其他組位址線位址值之不同而對應到不同的記憶體細胞位置，且於每次作資料碼離子植入時，定址用平格場效電晶體列陣皆可再重新編碼，而達成多重位址線解碼，及將記憶體資料區段作彈性分割的N+埋層位元線型光罩式記憶體電路裝置。
简体摘要：本发明系有关一种多重位址线译码的N+埋层比特线型仅读内存电路，尤指一种可弹性多重译码分割内存数据区段的平格光罩式仅读内存(FLAT CELL MASK ROM)电路设备，其主要系以N+埋层比特线作为数据平格场效应管与寻址用平格(FLAT CELL)场效应管并联相接的源极或汲极，以多组位址线所形成的位址多晶字符线送入寻址用平格场效应管则阵作为晶体管的闸极，于数据码离子植入的同时，对寻址用平格场效应管数组作离子植入编码寻址，使得每一组位址线在每一个位址值相对应的寻址并联平格场效应管只有一个寻址值为断路，其它寻址值的寻址并联平格场效应管数组皆为通路，即可使每一组位址线所对应的内存细胞单元位置，因其他组位址线位址值之不同而对应到不同的内存细胞位置，且于每次作数据码离子植入时，寻址用平格场效应管列阵皆可再重新编码，而达成多重位址线译码，及将内存数据区段作弹性分割的N+埋层比特线型光罩式内存电路设备。

8. 发明专利

TW201714065A 一種低功率消耗之可調電容式觸控偵測裝置审中-公开
简体标题：一种低功率消耗之可调电容式触摸侦测设备
公开(公告)号：TW201714065A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104132411
申请日：2015-10-01
申请人：佑華微電子股份有限公司 , ALPHA MICROELECTRONICS CORP.
发明人：張雍明 , CHANG, YUNG MING , 賴曉輝 , LAI, HSIAO HUI , 王經憲 , WANG, CHING HSIEN , 方文志 , FANG, WEN CHIH
IPC分类号： G06F3/044 , G06F1/32
摘要：一種低功率消耗之可調電容式觸控按鍵偵測裝置，包括：至少一個電容式觸控按鍵、一觸控偵測單元、以及一節電控制單元；其中，該至少一個電容式觸控按鍵係為接收一使用者的觸控，以據此得到一感應電容值；該觸控偵測單元係連接於該至少一個電容式觸控按鍵以接收來自該至少一個電容式觸控按鍵所傳來的該感應電容值以判斷該至少一個電容式觸控按鍵是否受到使用者的觸碰；該節電控制單元則是根據一輸入之第一時脈，產生一第二時脈與至少一個控制訊號，以控制該電容式觸控按鍵偵測裝置的運作周期，以調節電力功率之消耗。
简体摘要：一种低功率消耗之可调电容式触摸按键侦测设备，包括：至少一个电容式触摸按键、一触摸侦测单元、以及一节电控制单元；其中，该至少一个电容式触摸按键系为接收一用户的触摸，以据此得到一感应电容值；该触摸侦测单元系连接于该至少一个电容式触摸按键以接收来自该至少一个电容式触摸按键所传来的该感应电容值以判断该至少一个电容式触摸按键是否受到用户的触碰；该节电控制单元则是根据一输入之第一时脉，产生一第二时脉与至少一个控制信号，以控制该电容式触摸按键侦测设备的运作周期，以调节电力功率之消耗。

9. 发明专利

TWI416301B 參考電壓與電流電路有权
简体标题：参考电压与电流电路
公开(公告)号：TWI416301B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099124677
申请日：2010-07-27
申请人：佑華微電子股份有限公司 , ALPHA MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林彥華 , LIN, YEN HUA
IPC分类号： G05F3/20

10. 发明专利

TW201317894A 一種可平行處理來自單一程式記憶體之單晶片雙核心微處理器架構审中-公开
简体标题：一种可平行处理来自单一进程内存之单芯片双内核微处理器架构
公开(公告)号：TW201317894A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100139599
申请日：2011-10-31
申请人：佑華微電子股份有限公司 , ALPHA MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林彥華 , LIN, YEN HUA , 張朝霖 , CHANG, CHAO LIN , 黃偉凱 , HUANG, WEI KAI , 陳宏瑋 , CHEN, HUNG WEI , 陳光耀 , CHEN, KUANG YAO
IPC分类号： G06F9/46 , G06F15/76
摘要：本發明提供一種可平行處理來自單一程式記憶體之單晶片雙核心微處理器架構，包含一石英震盪器、一時脈產生器、一資料記憶體、一開機重置模組、一程式記憶體、兩個處理核心(MCU-1、MCU-2)、以及一輸出/輸入墊。其中，石英震盪器係用於產生一系統時脈以提供給該時脈產生器，用以產生不同的指令時脈來控制處理核心MCU-1與處理核心MCU-2。該資料記憶體係提供處理核心MCU-1與處理核心MCU-2運算時所需的資料儲存空間，而開機重置模組係連接於該處理核心MCU-1與處理核心MCU-2，以在開機時重置處理核心MCU-1與處理核心MCU-2。程式記憶體係存有一連串之指令，以供處理核心MCU-1與處理核心MCU-2的取回及執行。輸出/輸入墊與處理核心MCU-1與處理核心MCU-2相連，係為處理核心MCU-1與處理核心MCU-2的輸出與輸入資料的連接口。
简体摘要：本发明提供一种可平行处理来自单一进程内存之单芯片双内核微处理器架构，包含一石英震荡器、一时脉产生器、一数据内存、一开机重置模块、一进程内存、两个处理内核(MCU-1、MCU-2)、以及一输出/输入垫。其中，石英震荡器系用于产生一系统时脉以提供给该时脉产生器，用以产生不同的指令时脉来控制处理内核MCU-1与处理内核MCU-2。该数据内存系提供处理内核MCU-1与处理内核MCU-2运算时所需的数据存储空间，而开机重置模块系连接于该处理内核MCU-1与处理内核MCU-2，以在开机时重置处理内核MCU-1与处理内核MCU-2。进程内存系存有一连串之指令，以供处理内核MCU-1与处理内核MCU-2的取回及运行。输出/输入垫与处理内核MCU-1与处理内核MCU-2相连，系为处理内核MCU-1与处理内核MCU-2的输出与输入数据的连接口。

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