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1. 发明专利

TWI276142B 以苯二亞胺衍生物摻雜有機半導體的方法 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN MIT CHINONDIIMINDERIVATEN 有权
简体标题：以苯二亚胺衍生物掺杂有机半导体的方法 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN MIT CHINONDIIMINDERIVATEN
公开(公告)号：TWI276142B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW093102560
申请日：2004-02-04
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：奧拉夫.屈爾 OLAF KUEHL , 霍斯特.哈特曼 HORST HARTMANN , 奧拉夫.柴卡 OLAF ZEIKA , 馬丁.普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER , 友善.陳 YOUXUAN ZHENG
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： C09K11/06 , C09B69/102 , C09B69/105 , C09B69/109 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0078 , H01L51/0079 , H01L51/008 , H01L51/0092 , H01L51/5052 , Y02B10/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係使用一種有機型鍵異構化合物作為摻雜有機半導電基體材料的有機摻雜物，以改變被摻雜的半導電基體材料的電學特性。為了使含有摻雜物的有機半導電材料在在製程中易於被操作/處理，並且使以含有摻雜物的有機半導電材料製造出來的電子元件具有可複製性，本發明建議以苯、苯衍生物、1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)、或是1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)衍生物作為此種有機型鍵異構化合物，在相同的蒸發條件下，本發明建議使用的這種有機型鍵異構化合物的揮發性小於四氟四氰二甲烷(Tetrafluoro-tetracyanochinodimethan)(F4TCNQ)的揮發性。
简体摘要：本发明系使用一种有机型键异构化合物作为掺杂有机半导电基体材料的有机掺杂物，以改变被掺杂的半导电基体材料的电学特性。为了使含有掺杂物的有机半导电材料在在制程中易于被操作/处理，并且使以含有掺杂物的有机半导电材料制造出来的电子组件具有可复制性，本发明建议以苯、苯衍生物、1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)、或是1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)衍生物作为此种有机型键异构化合物，在相同的蒸发条件下，本发明建议使用的这种有机型键异构化合物的挥发性小于四氟四氰二甲烷(Tetrafluoro-tetracyanochinodimethan)(F4TCNQ)的挥发性。

2. 发明专利

TW200608823A 具頻率轉換中心之頂放電冷光組件 TOP EMITTING, ELECTROLUMINESCENT COMPONENT WITH FREQENCY CONVERSION CENTRES 审中-公开
简体标题：具频率转换中心之顶放电冷光组件 TOP EMITTING, ELECTROLUMINESCENT COMPONENT WITH FREQENCY CONVERSION CENTRES
公开(公告)号：TW200608823A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094129792
申请日：2005-08-30
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：揚.賓恩史托克 JAN BIRNSTOCK , 馬丁.費瑟 MARTIN VEHSE , 卡爾.萊奧 KARL LEO
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/5262 , H01L51/5036 , H01L2251/5315
摘要：在有機發光二極體(OLED)元件之例子中，為改善耦合輸出效率，提供了一種頂部放光電致發光元件(100)，並且，這種頂部放光電致發光元件(100)包括：一基底(110)，最接近該基底之一第一電極(120)，離該基底一距離之一第二透明電極(140)，及設置於兩電極間之至少一有機層(130)。根據本發明之有機發光二極體(OLED)元件具有下列特徵，亦即：一耦合輸出層(150)設置於遠離該至少一有機層之該第二電極側，並且，該耦合輸出層包括頻率轉換中心(151)，其部分吸收該至少一有機層所散發的光線、並利用一改變頻率再度將該至少一有機層所散發的光線散發出去。利用這種方法，穿透該耦合輸出層之方向性光線可利用非方向性方式重新散發出去，藉以使部分光線能夠真正離開該耦合輸出層，其中，部分光線可利用全部反射繼續留存，而不會影響該耦合輸出層內部之頻率轉換中心。除此以外，本發明亦有關於一種有機發光二極體(OLED)元件之製造方法。
简体摘要：在有机发光二极管(OLED)组件之例子中，为改善耦合输出效率，提供了一种顶部放光电致发光组件(100)，并且，这种顶部放光电致发光组件(100)包括：一基底(110)，最接近该基底之一第一电极(120)，离该基底一距离之一第二透明电极(140)，及设置于两电极间之至少一有机层(130)。根据本发明之有机发光二极管(OLED)组件具有下列特征，亦即：一耦合输出层(150)设置于远离该至少一有机层之该第二电极侧，并且，该耦合输出层包括频率转换中心(151)，其部分吸收该至少一有机层所散发的光线、并利用一改变频率再度将该至少一有机层所散发的光线散发出去。利用这种方法，穿透该耦合输出层之方向性光线可利用非方向性方式重新散发出去，借以使部分光线能够真正离开该耦合输出层，其中，部分光线可利用全部反射继续留存，而不会影响该耦合输出层内部之频率转换中心。除此以外，本发明亦有关于一种有机发光二极管(OLED)组件之制造方法。

3. 发明专利

TW200525472A 主動矩陣顯示器像素 PIXEL FOR AN ACTIVE MATRIX DISPLAY 审中-公开
简体标题：主动矩阵显示器像素 PIXEL FOR AN ACTIVE MATRIX DISPLAY
公开(公告)号：TW200525472A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW094100672
申请日：2005-01-10
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：卡爾‧萊奧 KARL LEO , 奧利弗‧施奈德 OLIVER SCHNEIDER
IPC分类号： G09G , H05B
CPC分类号： H01L51/5052 , G09G3/3233 , G09G3/3241 , G09G3/325 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/002 , H01L51/0051 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
摘要：本發明與一用於主動矩陣顯示器的像素有關，其包含一有機發光二極體(OLED)(19–23)與具有一用以驅動該發光二極體(19–23)之驅動器電晶體及具有一電容器的驅動器電路，該驅動器電晶體的載電流路徑與該發光二極體(19–23)串聯連接，並至少迂迴於一操作電壓源的兩極之間，其中該發光二極體(19–23)的一傳送層(20)係被摻雜而引起該傳送層(20)的電導度增加，並與該驅動器電晶體的汲極接點(15)電連接。
简体摘要：本发明与一用于主动矩阵显示器的像素有关，其包含一有机发光二极管(OLED)(19–23)与具有一用以驱动该发光二极管(19–23)之驱动器晶体管及具有一电容器的驱动器电路，该驱动器晶体管的载电流路径与该发光二极管(19–23)串联连接，并至少迂回于一操作电压源的两极之间，其中该发光二极管(19–23)的一发送层(20)系被掺杂而引起该发送层(20)的电导度增加，并与该驱动器晶体管的汲极接点(15)电连接。

4. 发明专利

TWI265648B 摻雜有機半導體材料及其製造方法 DOTIERTE ORGANISCHE HALBLEITERMATERIALIEN SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 有权
简体标题：掺杂有机半导体材料及其制造方法 DOTIERTE ORGANISCHE HALBLEITERMATERIALIEN SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
公开(公告)号：TWI265648B
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW093120074
申请日：2004-07-02
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾‧維爾納 ANSGAR WERNER , 豐弘‧李 FENGHONG LI , 馬丁‧普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0062 , H01L51/5052 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種製造具有較高之載流子密度及較有效之載流子遷移率的摻雜有機半導體材料的方法，這種製造方法使用一種摻雜物(1)進行摻雜，當摻雜物(1)被摻雜入有機半導體材料後，氫、一氧化碳、氮、或是氫氧根會被分離出來，而且至少會有一個電子被移入半導體材料或是從半導體材料被移出。這種製造方法的特徵是以一種未帶電荷的有機化合物作為摻雜物(1)。
此外，本發明的內容還包括以上述方法製造出來的摻雜有機半導體材料。本發明之半導體材料的特徵是在摻雜薄膜層中至少含有一種有機化合物的陽離子(2)，其中有機化合物(1)的未帶電荷型式在空氣中並不穩定。
简体摘要：本发明系一种制造具有较高之载流子密度及较有效之载流子迁移率的掺杂有机半导体材料的方法，这种制造方法使用一种掺杂物(1)进行掺杂，当掺杂物(1)被掺杂入有机半导体材料后，氢、一氧化碳、氮、或是氢氧根会被分离出来，而且至少会有一个电子被移入半导体材料或是从半导体材料被移出。这种制造方法的特征是以一种未带电荷的有机化合物作为掺杂物(1)。此外，本发明的内容还包括以上述方法制造出来的掺杂有机半导体材料。本发明之半导体材料的特征是在掺杂薄膜层中至少含有一种有机化合物的阳离子(2)，其中有机化合物(1)的未带电荷型式在空气中并不稳定。

5. 发明专利

TW200629362A 摻雜有機半導體基質材料之摻質 DOPANT FOR DOPING AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL 审中-公开
简体标题：掺杂有机半导体基质材料之掺质 DOPANT FOR DOPING AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL
公开(公告)号：TW200629362A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094104131
申请日：2005-02-05
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：奧拉夫柴夫 OLAF ZEIKA , 霍斯特哈特曼 HORST HARTMANN , 塔特雅娜瓦爾 TATJANA WAHL
IPC分类号： H01L
摘要：本發明關於一種摻雜有機半導體基質材料之摻質，其中該摻質係由有機、消旋或衍生物化合物所組成族群選出。
简体摘要：本发明关于一种掺杂有机半导体基质材料之掺质，其中该掺质系由有机、消旋或衍生物化合物所组成族群选出。

6. 发明专利

TW200607779A 製造有機半導體材料之有機基質材料、有機半導體材料及電子組件 THE USE OF AN ORGANIC MATRIX MATERIAL FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ALSO TO AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL COMPRISING AN ORGANIC MATRIX MATERIAL AND AN ORGANIC DOPANT, AND ALSO TO AN ELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
简体标题：制造有机半导体材料之有机基质材料、有机半导体材料及电子组件 THE USE OF AN ORGANIC MATRIX MATERIAL FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ALSO TO AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL COMPRISING AN ORGANIC MATRIX MATERIAL AND AN ORGANIC DOPANT, AND ALSO TO AN ELECTRONIC COMPONENT
公开(公告)号：TW200607779A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094126284
申请日：2005-08-02
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：馬丁.普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER , 揚.布洛赫維茨-尼莫特 JAN BLOCHWITZ-NIMOTH , 安德里亞.路克斯 ANDREA LUX , 約瑟夫.薩爾貝克 JOSEF SALBECK
IPC分类号： C03C
摘要：本發明係關於一種用於製造有機半導體材料的有機基質材料的使用，其特徵在於該有機基質材料包括至少一部份螺雙芴化合物，及該有機基質材料的玻璃態化溫度為至少120oC及該基質材料的最高佔據分子域(HOMO)是位於5.4電子伏特的最大能階位準；及亦關於一種有機半導體材料及電子組件。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造有机半导体材料的有机基质材料的使用，其特征在于该有机基质材料包括至少一部份螺双芴化合物，及该有机基质材料的玻璃态化温度为至少120oC及该基质材料的最高占据分子域(HOMO)是位于5.4电子伏特的最大能阶位准；及亦关于一种有机半导体材料及电子组件。

7. 发明专利

TW200607388A 具至少一有機層之頂部發光電激發光組件 TOP-EMITTIERENDES, ELEKTROLUMINESZIERENDES BAUELEMENT MIT ZUMINDEST EINER ORGANISCHEN SCHICHT 审中-公开
简体标题：具至少一有机层之顶部发光电激发光组件 TOP-EMITTIERENDES, ELEKTROLUMINESZIERENDES BAUELEMENT MIT ZUMINDEST EINER ORGANISCHEN SCHICHT
公开(公告)号：TW200607388A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094123978
申请日：2005-07-14
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：揚.賓恩史托克 JAN BIRNSTOCK , 馬丁.費瑟 MARTIN VEHSE , 蒂爾曼.羅曼區克 TILMANN ROMAINCZYK
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L2251/5315
摘要：為了提高頂部發光有機發光二極體的光線輸出耦合效率，本發明提出一種頂部發光電激發光組件(100)，這種發光組件具有一個基片、一個靠近基片的第一個電極(120)、一個離基片較遠的第二個電極(140)、以及至少一個位於兩個電極之間的發光有機層(130)，發光組件發出的光線是穿透第二個電極發射出去。本發明的發光組件的特徵是：在第二個電極(140)離至少一個有機層(130)較遠的那一面上另外設置一個附加層(150)，這個附加層(150)含有作為散射中心之具光散射作用的異質(151，152，153)，且這個附加層對於發光組件產生之光線波長範圍的透光率大於0.6。這個附加層可以經由不同的濕式化學法及真空法被設置在第二個電極上，且在設置過程中或設置完成後可以在輸出耦合層內及／或在輸出耦合層上形成有助帶提高光線耦合效率的不均勻性。此外，本發明還提出一種製造這種發光組件的方法。
简体摘要：为了提高顶部发光有机发光二极管的光线输出耦合效率，本发明提出一种顶部发光电激发光组件(100)，这种发光组件具有一个基片、一个靠近基片的第一个电极(120)、一个离基片较远的第二个电极(140)、以及至少一个位于两个电极之间的发光有机层(130)，发光组件发出的光线是穿透第二个电极发射出去。本发明的发光组件的特征是：在第二个电极(140)离至少一个有机层(130)较远的那一面上另外设置一个附加层(150)，这个附加层(150)含有作为散射中心之具光散射作用的异质(151，152，153)，且这个附加层对于发光组件产生之光线波长范围的透光率大于0.6。这个附加层可以经由不同的湿式化学法及真空法被设置在第二个电极上，且在设置过程中或设置完成后可以在输出耦合层内及／或在输出耦合层上形成有助带提高光线耦合效率的不均匀性。此外，本发明还提出一种制造这种发光组件的方法。

8. 发明专利

TW200605417A 發光組件 LIGHT-EMITTING COMPONENT 审中-公开
简体标题：发光组件 LIGHT-EMITTING COMPONENT
公开(公告)号：TW200605417A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094124424
申请日：2005-07-19
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH , 弗朗霍夫學會 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT
发明人：凱.施密特 KAI SCHMIDT , 卡爾.萊奧 KARL LEO , 敦肯.希爾 DUNCAN HILL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/5262 , H01L51/5275
摘要：本發明與一種具有包含有機層(2)排列的層狀結構之發光裝置有關，特別是有機發光二極體，其提供一種具有一或更多全像層(1)的繞射排列，其將光自內部、非發光模式轉換為外部、發光模式。
简体摘要：本发明与一种具有包含有机层(2)排列的层状结构之发光设备有关，特别是有机发光二极管，其提供一种具有一或更多全像层(1)的绕射排列，其将光自内部、非发光模式转换为外部、发光模式。

9. 发明专利

TW200509428A 摻雜有機半導體材料及其製造方法 DOTIERTE ORGANISCHE HALBLEITERMATERIALIEN SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
简体标题：掺杂有机半导体材料及其制造方法 DOTIERTE ORGANISCHE HALBLEITERMATERIALIEN SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
公开(公告)号：TW200509428A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093120074
申请日：2004-07-02
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾‧維爾納 ANSGAR WERNER , 豐弘‧李 FENGHONG LI , 馬丁‧普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0062 , H01L51/5052 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種製造具有較高之載流子密度及較有效之載流子遷移率的摻雜有機半導體材料的方法，這種製造方法使用一種摻雜物(1)進行摻雜，當摻雜物(1)被摻雜入有機半導體材料後，氫、一氧化碳、氮、或是氫氧根會被分離出來，而且至少會有一個電子被移入半導體材料或是從半導體材料被移出。這種製造方法的特徵是以一種未帶電荷的有機化合物作為摻雜物(1)。此外，本發明的內容還包括以上述方法製造出來的摻雜有機半導體材料。本發明之半導體材料的特徵是在摻雜薄膜層中至少含有一種有機化合物的陽離子(2)，其中有機化合物(1)的未帶電荷型式在空氣中並不穩定。
简体摘要：本发明系一种制造具有较高之载流子密度及较有效之载流子迁移率的掺杂有机半导体材料的方法，这种制造方法使用一种掺杂物(1)进行掺杂，当掺杂物(1)被掺杂入有机半导体材料后，氢、一氧化碳、氮、或是氢氧根会被分离出来，而且至少会有一个电子被移入半导体材料或是从半导体材料被移出。这种制造方法的特征是以一种未带电荷的有机化合物作为掺杂物(1)。此外，本发明的内容还包括以上述方法制造出来的掺杂有机半导体材料。本发明之半导体材料的特征是在掺杂薄膜层中至少含有一种有机化合物的阳离子(2)，其中有机化合物(1)的未带电荷型式在空气中并不稳定。

10. 发明专利

TWI287881B 以金屬複合物作為有機半導體基質材料之N型摻雜物、有機半導體材料及電子元件之應用方法、其摻雜物及配合價及其製造方法 USE OF A METAL COMPLEX AS AN N-DOPANT FOR AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL, ORGANIC SEMICONDUCTING MATERIAL AND ELECTRONIC COMPONENT, AND ALSO A DOPANT AND LIGAND AND PROCESS FOR PRODUCING SAME 有权
简体标题：以金属复合物作为有机半导体基质材料之N型掺杂物、有机半导体材料及电子组件之应用方法、其掺杂物及配合价及其制造方法 USE OF A METAL COMPLEX AS AN N-DOPANT FOR AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL, ORGANIC SEMICONDUCTING MATERIAL AND ELECTRONIC COMPONENT, AND ALSO A DOPANT AND LIGAND AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
公开(公告)号：TWI287881B
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW094108264
申请日：2005-03-17
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾.維爾納 ANSGAR WERNER , 奧拉夫.屈爾 OLAF KUEHL , 西蒙.格斯勒 SIMON GESSLER , 原田健太郎 KENTARO HARADA , 霍斯特.哈特曼 HORST HARTMANN , 安德爾.格呂辛 ANDRE GRUESSING , 米夏埃爾.李梅爾特 MICHAEL LIMMERT , 安德里亞.路克斯 ANDREA LUX
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係以一種金屬複合物作為摻雜有機半導體基質材料用的摻雜物，以改變有機半導體基質材料的電學特性，對有機半導體基質材料而言，這種金屬複合物係作為摻雜作用中的一種n型摻雜物。為了讓n型摻雜有機半導體也能夠使還原電位較低的基質材料達到較高的導電率，本發明建議以一種多電子的電中性金屬複合物作為摻雜化合物，此種金屬複合物具有一個核下原子，而且這種核心原子最好是一種價電子數至少是16的電中性或有帶電荷的過渡金屬原子。所使用的複合物可以是多核心的複合物，而且至少具有一個金屬－金屬鍵。至少有一種配合價可以和核心原子構成一種pi複合物，這種配合價可以是一種橋接配合價(尤其是hpp)、硼酸鹽(Borate)、Carboran、或是三氮環鏈烷(Triazacycloalkan)，或是從下列名單中選出的至少一種負碳離子(Carbanion)碳原子或二價原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亞甲鍺烷基(Germylen))、Sn、 Pb。本發明的範圍也包括新的n型摻雜物及其製造方法。
简体摘要：本发明系以一种金属复合物作为掺杂有机半导体基质材料用的掺杂物，以改变有机半导体基质材料的电学特性，对有机半导体基质材料而言，这种金属复合物系作为掺杂作用中的一种n型掺杂物。为了让n型掺杂有机半导体也能够使还原电位较低的基质材料达到较高的导电率，本发明建议以一种多电子的电中性金属复合物作为掺杂化合物，此种金属复合物具有一个核下原子，而且这种内核原子最好是一种价电子数至少是16的电中性或有带电荷的过渡金属原子。所使用的复合物可以是多内核的复合物，而且至少具有一个金属－金属键。至少有一种配合价可以和内核原子构成一种pi复合物，这种配合价可以是一种桥接配合价(尤其是hpp)、硼酸盐(Borate)、Carboran、或是三氮环链烷(Triazacycloalkan)，或是从下列名单中选出的至少一种负碳离子(Carbanion)碳原子或二价原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亚甲锗烷基(Germylen))、Sn、 Pb。本发明的范围也包括新的n型掺杂物及其制造方法。

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