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    • 1. 发明专利
    • 評估測量値之方法 METHOD FOR EVALUATING A MEASURE VALUE
    • 评估测量値之方法 METHOD FOR EVALUATING A MEASURE VALUE
    • TW200938819A
    • 2009-09-16
    • TW098106070
    • 2009-02-26
    • 英飛康股份有限公司 INFICON GMBH
    • 威格里 彼得 WAEGLI, PETER慕里斯 費利克斯 MULLIS, FELIX
    • G01J
    • G01K11/3206G01B9/02044G01B9/0209G01B2290/25G01L9/0079
    • 為使用一測量單元(5)來評估一測量値(12),該測量單元(5)包含一空腔(11),其對光線產生一種光學路徑長度差(dGap),該空腔(11)中的光學路徑長度差依據該測量値(12)的變化而發生變化,該測量値(12)的評估包括以下各步驟:‧藉助於光波導(4),經由配置在該光波導(4)之路徑中的耦合器(3),將白光源(2)的光(1)導入至空腔(11)中,‧藉助於該耦合器(3),將由空腔(11)反射回到光波導中的光(1')之至少一部份射出,且引導該反射的光(1')至光譜儀(6),‧以該光譜儀(6)來測得該反射的光(1')之光譜且產生光譜儀信號(8),‧將此光譜儀信號(8)引導至一計算單元(9)﹐其中此光譜儀信號(8)藉該計算單元(9)直接轉換成干涉光譜,且由該干涉光譜的强度曲線來求出各別的振幅極端値的位置,各別的該位置因此直接表示該空腔中光學路徑長度差之各別的値,其包括該測量値(12)。
    • 为使用一测量单元(5)来评估一测量値(12),该测量单元(5)包含一空腔(11),其对光线产生一种光学路径长度差(dGap),该空腔(11)中的光学路径长度差依据该测量値(12)的变化而发生变化,该测量値(12)的评估包括以下各步骤:‧借助于光波导(4),经由配置在该光波导(4)之路径中的耦合器(3),将白光源(2)的光(1)导入至空腔(11)中,‧借助于该耦合器(3),将由空腔(11)反射回到光波导中的光(1')之至少一部份射出,且引导该反射的光(1')至光谱仪(6),‧以该光谱仪(6)来测得该反射的光(1')之光谱且产生光谱仪信号(8),‧将此光谱仪信号(8)引导至一计算单元(9)﹐其中此光谱仪信号(8)藉该计算单元(9)直接转换成干涉光谱,且由该干涉光谱的强度曲线来求出各别的振幅极端値的位置,各别的该位置因此直接表示该空腔中光学路径长度差之各别的値,其包括该测量値(12)。
    • 4. 发明专利
    • 校正方法及測定槽裝置之操作 PROCESS FOR CALIBRATION AND OPERATION FOR MEASURING CELL ARRANGEMENT
    • 校正方法及测定槽设备之操作 PROCESS FOR CALIBRATION AND OPERATION FOR MEASURING CELL ARRANGEMENT
    • TW200907315A
    • 2009-02-16
    • TW097123830
    • 2008-06-26
    • 英飛康股份有限公司 INFICON GMBH
    • 克利斯汀柏格 BERG, CHRISTIAN卡斯坦史崔特索 STRIETZEL, CARSTEN
    • G01L
    • G01L27/005G01L21/00
    • 為了對一真空測定單元配置進行校正,建議進行以下的方法:a)將該測定單元配置(1)與一校正裝置(10)相連接,將該測定終端(5)連接至一真空體積(58)且將該測定單元介面(8)經由一信號線(20)而連接至一校正運行控制器(11),且將該測定單元配置(1)接通;b)將該測定單元配置上的第一加熱溫度調整至一預設的固定値;c)藉由在真空體積(58)中產生至少一種預設壓力來進行該測定單元配置(1)之第一校正步驟,且同時測得該測定單元配置(1)和至少一參考測定單元(6)之真空測定信號,且將已測得的壓力値儲存在一校正資料記憶體(13)中;d)藉由一校正處理器(14)而由該測定單元配置(1)和該參考測定單元(6)所求出的差異値來求得多個補償値,且將這些差異値暫時儲存在該校正運行控制器(11)之校正資料記憶體(13)中;e)參考該參考測定單元(60),在不同的預設操作點所求出的不同的壓力値和溫度値時,藉由將已求出的補償値傳送至該測定單元資料記憶體(6)來調整該測定單元配置(1)。
    • 为了对一真空测定单元配置进行校正,建议进行以下的方法:a)将该测定单元配置(1)与一校正设备(10)相连接,将该测定终端(5)连接至一真空体积(58)且将该测定单元界面(8)经由一信号线(20)而连接至一校正运行控制器(11),且将该测定单元配置(1)接通;b)将该测定单元配置上的第一加热温度调整至一默认的固定値;c)借由在真空体积(58)中产生至少一种默认压力来进行该测定单元配置(1)之第一校正步骤,且同时测得该测定单元配置(1)和至少一参考测定单元(6)之真空测定信号,且将已测得的压力値存储在一校正数据内存(13)中;d)借由一校正处理器(14)而由该测定单元配置(1)和该参考测定单元(6)所求出的差异値来求得多个补偿値,且将这些差异値暂时存储在该校正运行控制器(11)之校正数据内存(13)中;e)参考该参考测定单元(60),在不同的默认操作点所求出的不同的压力値和温度値时,借由将已求出的补偿値发送至该测定单元数据内存(6)来调整该测定单元配置(1)。
    • 5. 发明专利
    • 真空量測計 VACUUM MEASURING GAUGE
    • 真空量测计 VACUUM MEASURING GAUGE
    • TW200639385A
    • 2006-11-16
    • TW095106989
    • 2006-03-02
    • 英飛康股份有限公司 INFICON GMBH
    • 沃夫拉姆可奈普 KNAPP, WOLFRAM馬丁烏斯特 WUEST, MARTIN
    • G01L
    • G01L21/32G01L21/12H01J1/3042H01J41/04
    • 一電子發射陰極(6)由附著至由不銹鋼組成之一側壁(2)之一導電射極層(7)與一閘極(9)組成,其被固定於該射極層(7)之一凹射極表面內部一微小距離。陰極(6)包圍一含有圓柱形格子狀陽極(5)之反應區域(3)與由一直軸向絲極組成之中央離子收集器(4)。反映反應區(3)中之氣體濃度之一離子收集器電流(IIC)以一電流表(11)量測,同時一閘極電壓(VG)被保持於射極層(7)之接地電壓與一較高陽極電壓(VA)之間,且以一陽極電流(IA)被保持固定之方式被整流。射極層(7)可由碳奈米管、鑽石狀碳、一金屬或一金屬混合物或一半導體材料組成,例如,矽可以碳化物或鉬覆鍍。然而,射極表面亦可為例如,藉化學蝕刻粗糙化之側壁的內部表面一部分。閘極(9)可為一柵或它可由覆蓋分佈於射極區域之隔片之金屬膜的補片(patch)或一覆蓋設置於射極表面上之一電子穿透層之金屬膜製成。
    • 一电子发射阴极(6)由附着至由不锈钢组成之一侧壁(2)之一导电射极层(7)与一闸极(9)组成,其被固定于该射极层(7)之一凹射极表面内部一微小距离。阴极(6)包围一含有圆柱形格子状阳极(5)之反应区域(3)与由一直轴向丝极组成之中央离子收集器(4)。反映反应区(3)中之气体浓度之一离子收集器电流(IIC)以一电流表(11)量测,同时一闸极电压(VG)被保持于射极层(7)之接地电压与一较高阳极电压(VA)之间,且以一阳极电流(IA)被保持固定之方式被整流。射极层(7)可由碳奈米管、钻石状碳、一金属或一金属混合物或一半导体材料组成,例如,硅可以碳化物或钼覆镀。然而,射极表面亦可为例如,藉化学蚀刻粗糙化之侧壁的内部表面一部分。闸极(9)可为一栅或它可由覆盖分布于射极区域之隔片之金属膜的补片(patch)或一覆盖设置于射极表面上之一电子穿透层之金属膜制成。