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1. 发明专利

TW200936828A 氮化鎵塊狀晶體(BULK CRYSTALS)及其生長方法 GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD 审中-公开
简体标题：氮化镓块状晶体(BULK CRYSTALS)及其生长方法 GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD
公开(公告)号：TW200936828A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097136138
申请日：2008-09-19
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：橋本忠朗 HASHIMOTO, TADAO , 中村秀治 NAKAMURA, SHUJI
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B29/406 , C30B7/10
摘要：本發明係關於一種具有曝露的{10-10}m-平面及曝露的(000-1)N-極性c-平面之多面體形之氮化鎵晶體,其中曝露的(000-1)N-極性c-平面之表面積大於10mm^2且曝露的{10-10}m-平面之總表面積大於(000-1)N-極性c-平面之表面積的一半。藉由一具有比常用者更高的溫度及溫度差之氨熱法,及利用含具有上區及下區的高壓容器之高壓來生長氮化鎵塊狀晶體。高壓容器之下區的溫度係在550℃或以上,高壓容器之上區的溫度係設定在500℃或以上,且下區與上區之間的溫度差係維持在30℃或以上。使用沿c-軸具有最長尺寸及具有曝露的大面積m-平面之氮化鎵種晶。
简体摘要：本发明系关于一种具有曝露的{10-10}m-平面及曝露的(000-1)N-极性c-平面之多面体形之氮化镓晶体,其中曝露的(000-1)N-极性c-平面之表面积大于10mm^2且曝露的{10-10}m-平面之总表面积大于(000-1)N-极性c-平面之表面积的一半。借由一具有比常用者更高的温度及温度差之氨热法,及利用含具有上区及下区的高压容器之高压来生长氮化镓块状晶体。高压容器之下区的温度系在550℃或以上,高压容器之上区的温度系设置在500℃或以上,且下区与上区之间的温度差系维持在30℃或以上。使用沿c-轴具有最长尺寸及具有曝露的大面积m-平面之氮化镓种晶。

2. 发明专利

TW200924239A 具有連接至一子鑲崁之P型表面以提高光提取效率之發光二極體 LIGHT EMITTING DIODES WITH A P-TYPE SURFACE BONDED TO A TRANSPARENT SUBMOUNT TO INCREASE LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY 审中-公开
简体标题：具有连接至一子镶崁之P型表面以提高光提取效率之发光二极管 LIGHT EMITTING DIODES WITH A P-TYPE SURFACE BONDED TO A TRANSPARENT SUBMOUNT TO INCREASE LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY
公开(公告)号：TW200924239A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097128667
申请日：2008-07-29
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：磯憲司 ISO, KENJI , 淺水啓州 ASAMIZU, HIROKUNI , 齊藤真 SAITO, MAKOTO , 佐藤均 SATO, HITOSHI , 史蒂芬P 丹巴爾斯 DENBAARS, STEVEN P. , 中村秀治 NAKAMURA, SHUJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種基於(Al,Ga,In)N之發光二極體(LED),包括該LED之一與一透明子鑲崁材料連接的一p型表面以提高在該p型表面之光提取,其中該LED是一無基板薄膜。
简体摘要：一种基于(Al,Ga,In)N之发光二极管(LED),包括该LED之一与一透明子镶崁材料连接的一p型表面以提高在该p型表面之光提取,其中该LED是一无基板薄膜。

3. 发明专利

TW200903805A 用於氮表面基於氮化物電子之極化所感應之障壁 POLARIZATION-INDUCED BARRIERS FOR N-FACE NITRIDE-BASED ELECTRONICS 审中-公开
简体标题：用于氮表面基于氮化物电子之极化所感应之障壁 POLARIZATION-INDUCED BARRIERS FOR N-FACE NITRIDE-BASED ELECTRONICS
公开(公告)号：TW200903805A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097119407
申请日：2008-05-26
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：烏麥許K 米西拉 MISHRA, UMESH K. , 托瑪斯A 派拉丘葛提瑞茲 GUTIERREZ, TOMAS A. PALACIOS , 黃文海 WONG, MAN HOI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要：一種用於製造一用於一氮表面(N表面)基於氮化物電子裝置之電位障壁之方法,其包含使用一定位於一第一第III族氮化物層與一第二第III族氮化物層之間之第III族氮化物中間層之厚度與極化所感應之電場,來相對於該第二第III族氮化物層之能帶,將該第一第III族氮化物層之能帶偏移,例如升高或降低一預定數量。該第一第III族氮化物層與第二第III族氮化物層各具有與該第III族氮化物中間層之極化係數相比為一更高或更低的極化係數。
简体摘要：一种用于制造一用于一氮表面(N表面)基于氮化物电子设备之电位障壁之方法,其包含使用一定位于一第一第III族氮化物层与一第二第III族氮化物层之间之第III族氮化物中间层之厚度与极化所感应之电场,来相对于该第二第III族氮化物层之能带,将该第一第III族氮化物层之能带偏移,例如升高或降低一预定数量。该第一第III族氮化物层与第二第III族氮化物层各具有与该第III族氮化物中间层之极化系数相比为一更高或更低的极化系数。

4. 发明专利

TW200842207A 用於電解與電合成的閘限電極 GATED ELECTRODES FOR ELECTROLYSIS AND ELECTROSYNTHESIS 审中-公开
简体标题：用于电解与电合成的闸限电极 GATED ELECTRODES FOR ELECTROLYSIS AND ELECTROSYNTHESIS
公开(公告)号：TW200842207A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096143967
申请日：2007-11-20
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：拉卡希K 拉爾 LAL, RAKESH K. , 申立坤 SHEN, LIKUN , 伍米希K 米希拉 MISHRA, UMESH K.
IPC分类号： C25B
CPC分类号： C25B1/003 , C25B11/0447 , Y02P20/135
摘要：本發明揭示一種用以改變在至少一工作電極附近之一電解質中之一電位與電場的閘控電極結構。該閘控電極結構可以包含相對於一工作電極而受到適當偏壓之閘極電極。藉由相對於該工作電極施加一適當的靜態或動態(隨時間變化的)閘極電位,來修改在介於該工作電極與該電解質之間的一介面區域中之電位與電場,並增加向該電解質中各狀態及從該電解質中各狀態之電子發射,從而促進一電化學、電解或電合成反應並減低電極過電壓/過電位。
简体摘要：本发明揭示一种用以改变在至少一工作电极附近之一电解质中之一电位与电场的闸控电极结构。该闸控电极结构可以包含相对于一工作电极而受到适当偏压之闸极电极。借由相对于该工作电极施加一适当的静态或动态(随时间变化的)闸极电位,来修改在介于该工作电极与该电解质之间的一界面区域中之电位与电场,并增加向该电解质中各状态及从该电解质中各状态之电子发射,从而促进一电化学、电解或电合成反应并减低电极过电压/过电位。

5. 发明专利

TW200834996A 非極性與半極性發光裝置 NON-POLAR AND SEMI-POLAR LIGHT EMITTING DEVICES 失效
简体标题：非极性与半极性发光设备 NON-POLAR AND SEMI-POLAR LIGHT EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200834996A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096147297
申请日：2007-12-11
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , 獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：史帝芬P 丹巴爾斯 DENBAARS, STEVEN P. , 馬修C 史密特 SCHMIDT, MATTHEW C. , 金光中 KIM, KWANG C. , 詹姆士S 史貝克 SPECK, JAMES S. , 中村秀治 NAKAMURA, SHUJI
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3404 , H01S5/34333
摘要：一種(AlN、GaN、InN)發光裝置(諸如,發光二極體(LED)),其中藉由在非極性或半極性第III族氮化物晶體幾何形態上製造裝置而實現高光產生效率。由於非極性與半極性發光裝置具有比c平面發光裝置明顯更低之壓電效應,因此可實現在較高電流密度下較高效率之發光裝置。
简体摘要：一种(AlN、GaN、InN)发光设备(诸如,发光二极管(LED)),其中借由在非极性或半极性第III族氮化物晶体几何形态上制造设备而实现高光产生效率。由于非极性与半极性发光设备具有比c平面发光设备明显更低之压电效应,因此可实现在较高电流密度下较高效率之发光设备。

6. 发明专利

TW200830593A 透明無鏡發光二極體 TRANSPARENT MIRRORLESS LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：透明无镜发光二极管 TRANSPARENT MIRRORLESS LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200830593A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096143296
申请日：2007-11-15
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：史蒂芬P 丹巴爾 DENBAARS, STEVEN P. , 中村秀治 NAKAMURA, SHUJI , 詹姆士S 史貝克 SPECK, JAMES S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/16245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種(Al,Ga,In)N發光二極體(LED),其中多向光可在進入一成形之光學元件且隨後被提取至空氣之前自該LED之一或多個表面提取。特定言之,該(Al,Ga,In)N及透明接觸層(諸如,ITO或ZnO)嵌入於一成形之光學元件中或與該成形之光學元件組合,該成形之光學元件包含模製成一球形或倒錐形形狀之環氧樹脂、玻璃、矽或其他材料,其中進入該倒錐形形狀之大部分光位於一臨界角內且被提取。本發明亦藉由消除鏡面及/或鏡射表面來最小化該LED內之內反射,以便最小化該LED之發射層(或作用層)對該LED之光的再吸收。為輔助最小化內反射,可使用透明電極(諸如,ITO或ZnO)。藉由圖案化或各向異性蝕刻(亦即,形成微錐形)而進行之表面粗糙化亦可輔助光提取以及最小化內反射。
简体摘要：本发明提供一种(Al,Ga,In)N发光二极管(LED),其中多向光可在进入一成形之光学组件且随后被提取至空气之前自该LED之一或多个表面提取。特定言之,该(Al,Ga,In)N及透明接触层(诸如,ITO或ZnO)嵌入于一成形之光学组件中或与该成形之光学组件组合,该成形之光学组件包含模制成一球形或倒锥形形状之环氧树脂、玻璃、硅或其他材料,其中进入该倒锥形形状之大部分光位于一临界角内且被提取。本发明亦借由消除镜面及/或镜射表面来最小化该LED内之内反射,以便最小化该LED之发射层(或作用层)对该LED之光的再吸收。为辅助最小化内反射,可使用透明电极(诸如,ITO或ZnO)。借由图案化或各向异性蚀刻(亦即,形成微锥形)而进行之表面粗糙化亦可辅助光提取以及最小化内反射。

7. 发明专利

TW200741822A 半極性氮化(鋁,銦,鎵,硼)之改良成長方法 METHOD FOR IMPROVED GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N 失效
简体标题：半极性氮化(铝,铟,镓,硼)之改良成长方法 METHOD FOR IMPROVED GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N
公开(公告)号：TW200741822A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096102148
申请日：2007-01-19
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：約翰F 凱汀 KAEDING, JOHN F. , 李東宣 LEE, DONG-SEON , 麥克伊查 IZA, MICHAEL , 特洛伊J 貝克 BAKER, TROY J. , 佐藤均 SATO, HITOSHI , 班潔明A 哈斯凱 HASKELL, BENJAMIN A. , 詹姆士S 史培克 SPECK, JAMES S. , 史蒂芬P 丹巴爾 DENBAARS, STEVEN P. , 中村修二 NAKAMURA, SHUJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B23/025 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要：本發明揭示一種用於一半極性氮化(鋁,銦,鎵,硼)半導體薄膜使用一有意識誤切之基板的改良成長之方法。特定言之,該方法包含有意識地誤切一基板,將一基板裝載至一反應器中,在氮及/或氫及/或氨之一氣流下加熱該基板,將一InxGa1-xN成核層沈積於該經加熱之基板上,將一半極性氮化物半導體薄膜沈積於該InxGa1-xN成核層上,及在一氮超壓下冷卻該基板。
简体摘要：本发明揭示一种用于一半极性氮化(铝,铟,镓,硼)半导体薄膜使用一有意识误切之基板的改良成长之方法。特定言之,该方法包含有意识地误切一基板,将一基板装载至一反应器中,在氮及/或氢及/或氨之一气流下加热该基板,将一InxGa1-xN成核层沉积于该经加热之基板上,将一半极性氮化物半导体薄膜沉积于该InxGa1-xN成核层上,及在一氮超压下冷却该基板。

8. 发明专利

TW200735203A 用於生長平坦半極性的氮化鎵之技術 TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 审中-公开
简体标题：用于生长平坦半极性的氮化镓之技术 TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE
公开(公告)号：TW200735203A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095108150
申请日：2006-03-10
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：特洛伊J 貝克 BAKER, TROY J. , 班哲明A 黑斯克爾 HASKELL, BENJAMIN A. , 保羅T 費妮 FINI, PAUL T. , 史蒂芬P 丹巴爾斯 DENBAARS, STEVEN P. , 詹姆士S 史貝克 SPECK, JAMES S. , 中村修二 NAKAMURA, SHUJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
摘要：本發明揭示一種用於在一斜切尖晶石基板上生長平坦半極性的氮化物膜之方法,其中該平坦半極性的氮化物膜之一大區域係平行於該基板的表面。該等平坦膜與基板為:(1)生長在以特定方向斜切之一{100}尖晶石基板上的{1011}氮化鎵(GaN),(2)生長在一{110}尖晶石基板上的{1013}氮化鎵(GaN),(3)生長在一{1100}藍寶石基板上的{1122}氮化鎵(GaN),以及(4)生長在一{1100}藍寶石基板上的{1013}氮化鎵(GaN)。
简体摘要：本发明揭示一种用于在一斜切尖晶石基板上生长平坦半极性的氮化物膜之方法,其中该平坦半极性的氮化物膜之一大区域系平行于该基板的表面。该等平坦膜与基板为:(1)生长在以特定方向斜切之一{100}尖晶石基板上的{1011}氮化镓(GaN),(2)生长在一{110}尖晶石基板上的{1013}氮化镓(GaN),(3)生长在一{1100}蓝宝石基板上的{1122}氮化镓(GaN),以及(4)生长在一{1100}蓝宝石基板上的{1013}氮化镓(GaN)。

9. 发明专利

TW200730616A 用於固態照明應用之以鈰為主的磷光體材料 CERIUM BASED PHOSPHOR MATERIALS FOR SOLID-STATE LIGHTING APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：用于固态照明应用之以铈为主的磷光体材料 CERIUM BASED PHOSPHOR MATERIALS FOR SOLID-STATE LIGHTING APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200730616A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095136649
申请日：2006-10-02
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：安東尼K 齊譚 CHEETHAM, ANTHONY K. , 洛南P 樂拓金 LE TOQUIN, RONAN P.
IPC分类号： C09K , H01L
摘要：本發明係關於一種發射亮紅光之發光的摻鈰(Ce)化合物,其包含-氮化矽酸鈣三元系統,諸如CaSiN2-��O��:Ce^3+,該氮化矽酸鈣三元系統係於一具有~a=14.88之晶格參數的面心立方單位單元中結晶。該摻Ce之化合物可用於白光應用:(i)增强以藍LED及黃或綠磷光體為主之系統的光品質,(ii)作為與藍LED及綠磷光體組合之橙磷光體,或(iii)在一包含紫外線(UV)LED及紅、綠及藍(RGB)磷光體之機構中作為紅磷光體。在Ca位點上更小元素之取代或在Si位點上更大元素之取代導致發射波長向黃或橙區域衰減。
简体摘要：本发明系关于一种发射亮红光之发光的掺铈(Ce)化合物,其包含-氮化硅酸钙三元系统,诸如CaSiN2-��O��:Ce^3+,该氮化硅酸钙三元系统系于一具有~a=14.88之晶格参数的面心立方单位单元中结晶。该掺Ce之化合物可用于白光应用:(i)增强以蓝LED及黄或绿磷光体为主之系统的光品质,(ii)作为与蓝LED及绿磷光体组合之橘子磷光体,或(iii)在一包含紫外线(UV)LED及红、绿及蓝(RGB)磷光体之机构中作为红磷光体。在Ca位点上更小元素之取代或在Si位点上更大元素之取代导致发射波长向黄或橘子区域衰减。

10. 发明专利

TWI275644B 新穎嵌合TNF配位體 NOVEL CHIMERIC TNF LIGANDS 有权
简体标题：新颖嵌合TNF配位体 NOVEL CHIMERIC TNF LIGANDS
公开(公告)号：TWI275644B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW091135421
申请日：2002-12-06
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：查爾斯E. 普魯塞克 CHARLES E. PRUSSAK , 湯瑪斯J. 奇普斯 THOMAS J. KIPPS , 馬克J. 坎特威爾 MARK J. CANTWELL
IPC分类号： C12N , C07K
CPC分类号： C07K14/525 , A61K38/00 , C07K2319/00
摘要：本發明係關於一種可編碼嵌合TNFα之分離多核酸序列，其包括一種可編碼腫瘤壞死因子配位體(除TNFα以外)之功能部位或次功能部位的第一核酸序列，其中所編碼之功能部位或次功能部位可取代天然TNFα的分裂部位；以及第二可編碼天然TNFα的功能部位或次功能部位的核酸序列，後者所產生之功能部位可結合TNFα之接受器。該經編碼之嵌合TNFα明顯較不易自細胞表面分離，因此可增加能與細胞表面TNFα接受器結合之配位體濃度。因此，嵌合TNFα適用於能引發可表現TNFα接受器的細胞步入細胞凋亡之方法、能引發免疫系統細胞活化之方法及治療贅瘤性細胞之方法，其可利用將可編碼出能表現在細胞表面之嵌合TNFα的分離多核酸序列導入標的細胞以達成目的。
简体摘要：本发明系关于一种可编码嵌合TNFα之分离多核酸串行，其包括一种可编码肿瘤坏死因子配位体(除TNFα以外)之功能部位或次功能部位的第一核酸串行，其中所编码之功能部位或次功能部位可取代天然TNFα的分裂部位；以及第二可编码天然TNFα的功能部位或次功能部位的核酸串行，后者所产生之功能部位可结合TNFα之接受器。该经编码之嵌合TNFα明显较不易自细胞表面分离，因此可增加能与细胞表面TNFα接受器结合之配位体浓度。因此，嵌合TNFα适用于能引发可表现TNFα接受器的细胞步入细胞凋亡之方法、能引发免疫系统细胞活化之方法及治疗赘瘤性细胞之方法，其可利用将可编码出能表现在细胞表面之嵌合TNFα的分离多核酸串行导入标的细胞以达成目的。

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