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1. 发明专利

TW200807424A 積體電路之一次可程式化記憶體的程式化方法审中-公开
简体标题：集成电路之一次可进程化内存的进程化方法
公开(公告)号：TW200807424A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095127152
申请日：2006-07-25
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：趙伯寅 CHAO, PO YIN , 袁國元 YUAN, KUO YUAN , 林祥民 LIN, HSIANG MIN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/18 , G11C2216/26
摘要：本發明公開了積體電路一次可程式化記憶體的程式化方法,系統記憶體能夠以兩種寫入模式,分別寫入指令集或標準參數,使積體電路的內部結構簡化;且標準參數寫入於系統記憶體內,充分利用了系統記憶體的有效空間;使積體電路廠商無需針對不同應用提前寫入各種校正參數;積體電路廠商可以藉以提高生產效率,降低生產成本。本發明的測量電路不需要額外外接存儲元件,節省最終系統產品的元件,降低最終的電子測量裝置的成本。由於本發明提供的測量電路具有自我燒錄校正參數的功能,可在最終系統產品製造完成後,直接進行自我校正,使其校正程式簡化,對於應用廠商或積體電路廠商均可以藉以降低生產成本。
简体摘要：本发明公开了集成电路一次可进程化内存的进程化方法,系统内存能够以两种写入模式,分别写入指令集或标准参数,使集成电路的内部结构简化;且标准参数写入于系统内存内,充分利用了系统内存的有效空间;使集成电路厂商无需针对不同应用提前写入各种校正参数;集成电路厂商可以借以提高生产效率,降低生产成本。本发明的测量电路不需要额外外置存储组件,节省最终系统产品的组件,降低最终的电子测量设备的成本。由于本发明提供的测量电路具有自我刻录校正参数的功能,可在最终系统产品制造完成后,直接进行自我校正,使其校正进程简化,对于应用厂商或集成电路厂商均可以借以降低生产成本。

2. 发明专利

TW200725628A 一次程式化記憶體及其資料燒錄方法失效
简体标题：一次进程化内存及其数据刻录方法
公开(公告)号：TW200725628A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW094144706
申请日：2005-12-16
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳曉龍 , 黃一洲
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
摘要：一種一次程式化記憶體,係包括數位介面、熔絲控制電路、熔絲資料暫存器以及可程式化熔絲陣列。此數位介面係以接收使用者端所傳來之熔絲資料。而熔絲控制電路係根據熔絲資料輸出程式化信號。接著,熔絲資料暫存器係以接收及暫時儲存熔絲資料。然後,可程式化熔絲陣列係具有多數個可程式化資料熔絲,此可程式化熔絲陣列係以接收及根據程式化信號與熔絲資料燒斷可程式化資料熔絲。
简体摘要：一种一次进程化内存,系包括数码界面、熔丝控制电路、熔丝数据寄存器以及可进程化熔丝数组。此数码界面系以接收用户端所传来之熔丝数据。而熔丝控制电路系根据熔丝数据输出进程化信号。接着,熔丝数据寄存器系以接收及暂时存储熔丝数据。然后,可进程化熔丝数组系具有多数个可进程化数据熔丝,此可进程化熔丝数组系以接收及根据进程化信号与熔丝数据烧断可进程化数据熔丝。

3. 发明专利

TW200737206A 具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法失效
简体标题：具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法
公开(公告)号：TW200737206A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095109446
申请日：2006-03-20
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法,熔絲連接修整電壓源,第一檢查電路與第二檢查電路被系統電壓源所驅動,檢查電路依據熔絲之第一端與第二端的電位差,以判斷熔絲是否被燒斷。
简体摘要：一种具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法,熔丝连接修整电压源,第一检查电路与第二检查电路被系统电压源所驱动,检查电路依据熔丝之第一端与第二端的电位差,以判断熔丝是否被烧断。

4. 发明专利

TW200736627A 熔絲檢查電路及其檢查方法失效
简体标题：熔丝检查电路及其检查方法
公开(公告)号：TW200736627A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095109448
申请日：2006-03-20
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種熔絲檢查電路及其檢查方法,第一檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第一端的電壓値,以輸出第一參考電壓,第二檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第二端的電壓値,以輸出第二參考電壓,類比比較器根據第一參考電壓與第二參考電壓的差値,判斷熔絲是否已被燒斷,於熔絲的燒錄過程中,第一參考電壓與第二參考電壓之差値較小,以延長類比比較器的反應時間,於熔絲的讀取過程中,第一參考電壓與第二參考電壓之差値較大,以縮短類比比較器的反應時間。
简体摘要：一种熔丝检查电路及其检查方法,第一检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第一端的电压値,以输出第一参考电压,第二检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第二端的电压値,以输出第二参考电压,模拟比较器根据第一参考电压与第二参考电压的差値,判断熔丝是否已被烧断,于熔丝的刻录过程中,第一参考电压与第二参考电压之差値较小,以延长模拟比较器的反应时间,于熔丝的读取过程中,第一参考电压与第二参考电压之差値较大,以缩短模拟比较器的反应时间。

5. 实用新型

TWM305902U 便於實現自校正功能的積體電路及其測量裝置失效
简体标题：便于实现自校正功能的集成电路及其测量设备
公开(公告)号：TWM305902U
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW095213070
申请日：2006-07-25
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：趙伯寅 CHAO, PO YIN , 袁國元 YUAN, KUO YUAN , 林祥民 LIN, HSIANG MIN
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01D18/008
摘要：本創作公開了一種積體電路及其測量裝置，該積體電路包含：微處理器、一次可程式化記憶體、電荷泵、開關電路，該電荷泵使能端與該微處理器連接，該開關電路控制端與該微處理器連接；該開關電路一輸入端與該電荷泵輸出端連接，另一輸入端與該微處理器電源連接，該開關電路輸出端與該一次可程式化記憶體連接，以提供該一次可程式化記憶體工作電壓及燒錄電壓。由於積體電路內的系統記憶體具有可選擇的工作電壓、燒錄電壓，可根據工作狀態作對應選擇，使最終應用的測量裝置不需要再額外多連接一個5.8 volt的VDD電壓，在燒錄校正的標準參數時，可以減少外接的電壓源，簡化校正程式；可以簡化生產時的校正程式所需的電壓，節省能源消耗。
简体摘要：本创作公开了一种集成电路及其测量设备，该集成电路包含：微处理器、一次可进程化内存、电荷泵、开关电路，该电荷泵使能端与该微处理器连接，该开关电路控制端与该微处理器连接；该开关电路一输入端与该电荷泵输出端连接，另一输入端与该微处理器电源连接，该开关电路输出端与该一次可进程化内存连接，以提供该一次可进程化内存工作电压及刻录电压。由于集成电路内的系统内存具有可选择的工作电压、刻录电压，可根据工作状态作对应选择，使最终应用的测量设备不需要再额外多连接一个5.8 volt的VDD电压，在刻录校正的标准参数时，可以减少外置的电压源，简化校正进程；可以简化生产时的校正进程所需的电压，节省能源消耗。

6. 发明专利

TW200807272A 具自校正功能的積體電路、測量裝置及參數自我燒錄方法审中-公开
简体标题：具自校正功能的集成电路、测量设备及参数自我刻录方法
公开(公告)号：TW200807272A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095127153
申请日：2006-07-25
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：趙伯寅 CHAO, PO YIN , 袁國元 YUAN, KUO YUAN , 林祥民 LIN, HSIANG MIN
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G01D3/022 , G01D3/08
摘要：本發明公開了一種積體電路、應用該積體電路的測量裝置,以及積體電路的參數自我燒錄方法,該積體電路包括一微處理器、一次可程式化記憶體,該一次可程式化記憶體中規劃有至少一指令集存儲區、一參數記憶區,所述參數記憶區用於儲存校正用標準參數;該微處理器根據該一次可程式化記憶體中的標準參數,計算相對應於該數位訊號之實際量測値。本發明的積體電路不需要額外外接存儲元件,節省最終系統產品的元件,降低最終的電子測量裝置的成本。由於本發明提供的積體電路具有自我燒錄校正參數的功能,可在最終系統產品製造完成後,直接進行自我校正,使其校正程式簡化,對於應用廠商或積體電路廠商均可以藉以降低生產成本。
简体摘要：本发明公开了一种集成电路、应用该集成电路的测量设备,以及集成电路的参数自我刻录方法,该集成电路包括一微处理器、一次可进程化内存,该一次可进程化内存中规划有至少一指令集存储区、一参数记忆区,所述参数记忆区用于存储校正用标准参数;该微处理器根据该一次可进程化内存中的标准参数,计算相对应于该数码信号之实际量测値。本发明的集成电路不需要额外外置存储组件,节省最终系统产品的组件,降低最终的电子测量设备的成本。由于本发明提供的集成电路具有自我刻录校正参数的功能,可在最终系统产品制造完成后,直接进行自我校正,使其校正进程简化,对于应用厂商或集成电路厂商均可以借以降低生产成本。

7. 发明专利

TW200727304A 熔絲修整電路與其操作方法失效
简体标题：熔丝修整电路与其操作方法
公开(公告)号：TW200727304A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095100142
申请日：2006-01-03
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種熔絲修整電路與其操作方法,係以提供一電壓源及一控制信號至開關上,而開關一端與熔絲之第一端連接,而熔絲之第二端連接至一接地電壓,以前述之控制信號控制該開關是否導通以燒斷該熔絲,經由檢測該熔絲的第一端與第二端之訊號輸出,以確認該熔絲是否燒斷。
简体摘要：一种熔丝修整电路与其操作方法,系以提供一电压源及一控制信号至开关上,而开关一端与熔丝之第一端连接,而熔丝之第二端连接至一接地电压,以前述之控制信号控制该开关是否导通以烧断该熔丝,经由检测该熔丝的第一端与第二端之信号输出,以确认该熔丝是否烧断。

8. 发明专利

TWI273367B 監控時脈校正方法及裝置失效
简体标题：监控时脉校正方法及设备
公开(公告)号：TWI273367B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW093129787
申请日：2004-10-01
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：陳奕彰 , 袁國元 YUAN, KUO YUAN , 廖英傑 , 賴世榮
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G04G3/00 , G01R35/04 , G06F1/14
摘要：一種監控時脈校正方法及裝置，由外部提供一時脈訊號源，並從監控晶片任一輸入端輸入後，此時監控晶片內部之暫存器輸出一訊號啟動校正控制單元，同時也啟動二計數單元，第一計數單元累計外部精準Clock數目，第二計數單元累計監控晶片內部時脈產生元件的Clock數目，第一計數單元累計外部精準Clock數到達一定數目而停止計數時，在同一時間第二計數單元也停止累計由監控晶片內部時脈產生器產生的Clock數目，並產生一中斷訊號通知監控晶片內部之微處理單元，進行比較第一計數單元所累計的外部精準Clock數目，以及第二計數單元所累計的監控晶片內部振盪器產生的Clock數目，即可對監控晶片內部振盪器做校正。
简体摘要：一种监控时脉校正方法及设备，由外部提供一时脉信号源，并从监控芯片任一输入端输入后，此时监控芯片内部之寄存器输出一信号启动校正控制单元，同时也启动二计数单元，第一计数单元累计外部精准Clock数目，第二计数单元累计监控芯片内部时脉产生组件的Clock数目，第一计数单元累计外部精准Clock数到达一定数目而停止计数时，在同一时间第二计数单元也停止累计由监控芯片内部时脉产生器产生的Clock数目，并产生一中断信号通知监控芯片内部之微处理单元，进行比较第一计数单元所累计的外部精准Clock数目，以及第二计数单元所累计的监控芯片内部振荡器产生的Clock数目，即可对监控芯片内部振荡器做校正。

9. 发明专利

TW200737219A 燒錄檢查方法及其電路失效
简体标题：刻录检查方法及其电路
公开(公告)号：TW200737219A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095109447
申请日：2006-03-20
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種燒錄檢查電路,一第一檢查電路被系統電壓源所驅動,檢查熔絲之第一端的電壓値,以輸出第一參考電壓,一第二檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第二端的電壓値,以輸出第二參考電壓,一比較器根據第一參考電壓與第二參考電壓的差値,判斷熔絲是否已被燒斷。
简体摘要：一种刻录检查电路,一第一检查电路被系统电压源所驱动,检查熔丝之第一端的电压値,以输出第一参考电压,一第二检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第二端的电压値,以输出第二参考电压,一比较器根据第一参考电压与第二参考电压的差値,判断熔丝是否已被烧断。

10. 发明专利

TWI269306B 一次程式化記憶體及其資料燒錄方法失效
简体标题：一次进程化内存及其数据刻录方法
公开(公告)号：TWI269306B
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：TW094144706
申请日：2005-12-16
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
摘要：一種一次程式化記憶體，係包括數位介面、熔絲控制電路、熔絲資料暫存器以及可程式化熔絲陣列。此數位介面係以接收使用者端所傳來之熔絲資料。而熔絲控制電路係根據熔絲資料輸出程式化信號。接著，熔絲資料暫存器係以接收及暫時儲存熔絲資料。然後，可程式化熔絲陣列係具有多數個可程式化資料熔絲，此可程式化熔絲陣列係以接收及根據程式化信號與熔絲資料燒斷可程式化資料熔絲。
简体摘要：一种一次进程化内存，系包括数码界面、熔丝控制电路、熔丝数据寄存器以及可进程化熔丝数组。此数码界面系以接收用户端所传来之熔丝数据。而熔丝控制电路系根据熔丝数据输出进程化信号。接着，熔丝数据寄存器系以接收及暂时存储熔丝数据。然后，可进程化熔丝数组系具有多数个可进程化数据熔丝，此可进程化熔丝数组系以接收及根据进程化信号与熔丝数据烧断可进程化数据熔丝。

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