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1. 发明专利

TW200935266A 模擬技術(二) SIMULATION TECHNIQUES 审中-公开
简体标题：仿真技术(二) SIMULATION TECHNIQUES
公开(公告)号：TW200935266A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097143678
申请日：2008-11-12
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：喬彼得 CHOW, PETER
IPC分类号： G06F , G05B
CPC分类号： G05B17/02 , G06F17/5018 , G06F2217/16
摘要：一種用於藉獲得需被模擬的實體系統之一數値逼近而評估一實體系統中產生的波傳播之方法,該方法包含:界定一計算域,該計算域包含一具有至少二維及多個第一-網格單元之第一網格,以及一具有至少二維及多個第二-網格單元之第二網格,其中該第二網格是該第一網格之至少部分的一細化,且其中每個第一-網格單元及第二-網格單元具有一或多個解點,在該一或多個解點上可獲得表示需被模擬的實體系統之一物理量的値,其中界定該計算域包含界定該第二網格在該至少二維之其中一者內具有相較於該第一網格的一第一細化因數,且在該至少二維之其中另一者內具有相較於該第一網格的一第二細化因數,且界定該第一細化因數不同於該第二細化因數;以及執行一更新程序以獲得在一給定時間階段每個單元之至少一解點的一値。
简体摘要：一种用于藉获得需被仿真的实体系统之一数値逼近而评估一实体系统中产生的波传播之方法,该方法包含:界定一计算域,该计算域包含一具有至少二维及多个第一-网格单元之第一网格,以及一具有至少二维及多个第二-网格单元之第二网格,其中该第二网格是该第一网格之至少部分的一细化,且其中每个第一-网格单元及第二-网格单元具有一或多个解点,在该一或多个解点上可获得表示需被仿真的实体系统之一物理量的値,其中界定该计算域包含界定该第二网格在该至少二维之其中一者内具有相较于该第一网格的一第一细化因子,且在该至少二维之其中另一者内具有相较于该第一网格的一第二细化因子,且界定该第一细化因子不同于该第二细化因子;以及运行一更新进程以获得在一给定时间阶段每个单元之至少一解点的一値。

2. 发明专利

TWI311784B 用於形成絕緣薄膜之組成物及用於製造半導體裝置的方法 COMPOSITION FOR FORMING INSULATING FILM AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：用于形成绝缘薄膜之组成物及用于制造半导体设备的方法 COMPOSITION FOR FORMING INSULATING FILM AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI311784B
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW095122095
申请日：2006-06-20
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：尾崎史朗 OZAKI, SHIROU , 中田義弘 NAKATA, YOSHIHIRO , 矢野映 YANO, EI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31633 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
摘要：該用以製造一半導體裝置之方法包含在一基材上形成一為多孔性材料之第一絕緣薄膜之步驟;在該第一絕緣薄膜之上形成一第二絕緣薄膜之步驟,該第二絕緣薄膜包含一含有30-90% Si-CH3鍵結的矽化合物;以及以UV輻射照射該具有該第二絕緣薄膜成形於該第一絕緣薄膜上之第一絕緣薄膜以固化該第一絕緣薄膜。因此,具有一排除甲基之波長的UV輻射係充份地被該第二絕緣薄膜所吸收,藉此該第一絕緣薄膜被該UV固化優先地高度强化,且該第一絕緣薄膜可具有增加之薄膜密度而不使該介電常數增加。
简体摘要：该用以制造一半导体设备之方法包含在一基材上形成一为多孔性材料之第一绝缘薄膜之步骤;在该第一绝缘薄膜之上形成一第二绝缘薄膜之步骤,该第二绝缘薄膜包含一含有30-90% Si-CH3键结的硅化合物;以及以UV辐射照射该具有该第二绝缘薄膜成形于该第一绝缘薄膜上之第一绝缘薄膜以固化该第一绝缘薄膜。因此,具有一排除甲基之波长的UV辐射系充份地被该第二绝缘薄膜所吸收,借此该第一绝缘薄膜被该UV固化优先地高度强化,且该第一绝缘薄膜可具有增加之薄膜密度而不使该介电常数增加。

3. 发明专利

TW200930207A 多層配線基板及其製造方法 MULTILAYER WIRING BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：多层配线基板及其制造方法 MULTILAYER WIRING BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200930207A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097130678
申请日：2008-08-12
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：松井亞紀子 MATSUI, AKIKO
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/4623 , H05K1/0237 , H05K3/429 , H05K2201/09063 , H05K2201/09536 , H05K2201/096 , H05K2201/1059 , H05K2203/063 , Y10T29/49126
摘要：一種多層配線基板,係藉製備一第一配線基板、一第二配線基板、及一接合片而製成。該第一配線基板設有一具有一第一貫穿孔之通孔,且一導電膜形成在該第一貫穿孔中。該第二配線基板在一與該第一配線基板位置實質相對應之位置處設有一第二貫穿孔,且該接合片在一與該等第一與第二配線基板位置實質相對應之位置處設有一第三貫穿孔。該第一配線基板與該第二配線基板係堆疊且藉熱與壓力結合在一起,且該接合片設置於其間。
简体摘要：一种多层配线基板,系藉制备一第一配线基板、一第二配线基板、及一接合片而制成。该第一配线基板设有一具有一第一贯穿孔之通孔,且一导电膜形成在该第一贯穿孔中。该第二配线基板在一与该第一配线基板位置实质相对应之位置处设有一第二贯穿孔,且该接合片在一与该等第一与第二配线基板位置实质相对应之位置处设有一第三贯穿孔。该第一配线基板与该第二配线基板系堆栈且藉热与压力结合在一起,且该接合片设置于其间。

4. 发明专利

TW200930189A 印刷配線板單元及其製造方法 PRINTED WIRING BOARD UNIT AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：印刷配线板单元及其制造方法 PRINTED WIRING BOARD UNIT AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200930189A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097133556
申请日：2008-09-02
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：末廣光男 SUEHIRO, MITSUO
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/3421 , H05K1/141 , H05K3/308 , H05K3/3494 , H05K3/368 , H05K2201/10303 , H05K2201/10318 , H05K2201/1059 , H05K2203/081 , Y02P70/613 , Y10T29/49169
摘要：一導電銷針係被插入一在一第一表面與第一表面反側所界定的一第二表面之間穿透過一基材之通孔中,使得導電銷針自基材的第一表面直立站起。一電子組件隨後被安裝在自第一表面直立站起之導電銷針的梢端上。導電銷針在一電子組件安裝於導電銷針的梢端上之前被插入通孔中。因此極易將導電銷針插入通孔中。相較於導電銷針首先被結合至一電子組件之案例,可使操作者免除一插入導電銷針之麻煩操作。可以有效率方式安裝電子組件。
简体摘要：一导电销针系被插入一在一第一表面与第一表面反侧所界定的一第二表面之间穿透过一基材之通孔中,使得导电销针自基材的第一表面直立站起。一电子组件随后被安装在自第一表面直立站起之导电销针的梢端上。导电销针在一电子组件安装于导电销针的梢端上之前被插入通孔中。因此极易将导电销针插入通孔中。相较于导电销针首先被结合至一电子组件之案例,可使操作者免除一插入导电销针之麻烦操作。可以有效率方式安装电子组件。

5. 发明专利

TW200920194A 佈線基板及其製造方法 WIRING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：布线基板及其制造方法 WIRING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200920194A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097138682
申请日：2008-10-08
申请人：新光電氣工業股份有限公司 SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. , 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：深瀨克哉 KATSUYA FUKASE , 橫內貴志男 KISHIO YOKOUCHI , 吉村英明 HIDEAKI YOSHIMURA
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/445 , H05K1/056 , H05K3/4046 , H05K3/4602 , H05K3/4608 , H05K2201/0323 , H05K2201/09827 , H05K2201/10234 , H05K2201/10416 , Y10T29/49124
摘要：提供一種佈線基板。該佈線基板包括:一核心基板,由一導電材料所形成且內部具有一通孔;一絕緣層,形成於該核心基板之第一及第二表面上;佈線圖案,經由該絕緣層形成於該第一及第二表面上;以及一介層,形成於該通孔中且電性連接至該等佈線圖案。該介層包括:一導體球及一導體部。該導體球具有一導電面及一覆蓋該導電面之絕緣構件。從該絕緣構件暴露該導電面之一部分。該導體部係電性連接至該暴露導電面及該等佈線圖案。在該介層與該核心基板間插入該絕緣構件及該絕緣層中之至少一者。
简体摘要：提供一种布线基板。该布线基板包括:一内核基板,由一导电材料所形成且内部具有一通孔;一绝缘层,形成于该内核基板之第一及第二表面上;布线图案,经由该绝缘层形成于该第一及第二表面上;以及一介层,形成于该通孔中且电性连接至该等布线图案。该介层包括:一导体球及一导体部。该导体球具有一导电面及一覆盖该导电面之绝缘构件。从该绝缘构件暴露该导电面之一部分。该导体部系电性连接至该暴露导电面及该等布线图案。在该介层与该内核基板间插入该绝缘构件及该绝缘层中之至少一者。

6. 发明专利

TW200919507A 可動之微型裝置 MOVABLE MICRO-DEVICE 审中-公开
简体标题：可动之微型设备 MOVABLE MICRO-DEVICE
公开(公告)号：TW200919507A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097106433
申请日：2008-02-25
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：宓曉宇 MI, XIAOYU , 島內岳明 SHIMANOUCHI, TAKEAKI , 今井雅彥 IMAI, MASAHIKO , 上田知史 UEDA, SATOSHI
IPC分类号： H01G , B81B
CPC分类号： H01G5/16 , H01G5/011 , H01G5/06 , H03J3/20
摘要：一種微型裝置包括一可動部、一框架及一連接部。該可動部具有一主要部份、一第一電容器電極及一第一驅動器電極。該電容器電極與該驅動器電極具有由該主要部份延伸出來之電極齒,且該框架包括第二電容器與驅動器電極,其中該第二電容器電極具有朝該第一電容器電極延伸之電極齒,且該第二驅動器電極具有朝該第一驅動器電極延伸之電極齒。該連接部將該可動部連接至該框架上,且該等第一與第二電容器電極之電極齒在其初始位置時是重疊的。該可動部可轉動,以改變在該等第一與第二驅動器電極之間的重疊程度。
简体摘要：一种微型设备包括一可动部、一框架及一连接部。该可动部具有一主要部份、一第一电容器电极及一第一驱动器电极。该电容器电极与该驱动器电极具有由该主要部份延伸出来之电极齿,且该框架包括第二电容器与驱动器电极,其中该第二电容器电极具有朝该第一电容器电极延伸之电极齿,且该第二驱动器电极具有朝该第一驱动器电极延伸之电极齿。该连接部将该可动部连接至该框架上,且该等第一与第二电容器电极之电极齿在其初始位置时是重叠的。该可动部可转动,以改变在该等第一与第二驱动器电极之间的重叠程度。

7. 发明专利

TW200917248A 資訊處理裝置、記憶部控制裝置及記憶部控制方法失效
简体标题：信息处理设备、记忆部控制设备及记忆部控制方法
公开(公告)号：TW200917248A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096137532
申请日：2007-10-05
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：春日和則 KASUGA, KAZUNORI , 石橋修 ISHIBASHI, OSAMU
IPC分类号： G11C
摘要：本發明係提供資訊處理裝置1,包含有:第1記憶部2,係由記憶資料之複數晶胞所構成者;第2記憶部3,係可保存針對前述複數晶胞個別之再新間隔與再新動作實施狀況者;及,控制部,係可根據前述第2記憶部所保存之再新間隔與再新動作實施狀況分別對前述晶胞控制再新動作者,且,資訊處理裝置1可以針對各晶胞所設之再新間隔來對各晶胞控制再新動作。
简体摘要：本发明系提供信息处理设备1,包含有:第1记忆部2,系由记忆数据之复数晶胞所构成者;第2记忆部3,系可保存针对前述复数晶胞个别之再新间隔与再新动作实施状况者;及,控制部,系可根据前述第2记忆部所保存之再新间隔与再新动作实施状况分别对前述晶胞控制再新动作者,且,信息处理设备1可以针对各晶胞所设之再新间隔来对各晶胞控制再新动作。

8. 发明专利

TW200915532A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200915532A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097130237
申请日：2008-08-08
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/75 , H01L24/78 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/06136 , H01L2224/1134 , H01L2224/1308 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48799 , H01L2224/49171 , H01L2224/4943 , H01L2224/4945 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83099 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/8385 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85191 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/30107 , H01L2224/85186 , H01L2924/07025 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/0695 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：一種半導體裝置包括一個支承基座,在該支承基座上面是置放有一電極端子;一個安裝於該支承基座上的中間元件;一個半導體元件,該半導體元件的一部份是由該中間元件支承,而且是置於該支承基座上;及一個對應於該半導體元件之電極端子且是置於該中間元件或該支承基座上的凸狀元件;其中,該半導體元件的電極端子與該支承基座的電極端子是由一連接導線連接。
简体摘要：一种半导体设备包括一个支承基座,在该支承基座上面是置放有一电极端子;一个安装于该支承基座上的中间组件;一个半导体组件,该半导体组件的一部份是由该中间组件支承,而且是置于该支承基座上;及一个对应于该半导体组件之电极端子且是置于该中间组件或该支承基座上的凸状组件;其中,该半导体组件的电极端子与该支承基座的电极端子是由一连接导线连接。

9. 发明专利

TW200912637A 資訊處理裝置、資訊處理裝置之控制方法及控制程式审中-公开
简体标题：信息处理设备、信息处理设备之控制方法及控制进程
公开(公告)号：TW200912637A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW096133055
申请日：2007-09-05
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：福田高利 FUKUDA, TAKATOSHI
IPC分类号： G06F
摘要：本發明係有關於一種資訊處理裝置。本發明之課題係提供輕易特定異常原因之資訊處理裝置。本發明資訊處理裝置包含有其中由複數命令構成之程式業經展開之第1記憶體、從該第1記憶體讀取並執行該命令之控制部及可以無電源供給之狀態保持所儲存之資訊,儲存前述控制部所執行之該命令之歷程之第2記憶體。根據上述資訊處理裝置,由於儲存至發生異常為止之動作歷程,故可提供輕易特定異常原因之資訊處理裝置。
简体摘要：本发明系有关于一种信息处理设备。本发明之课题系提供轻易特定异常原因之信息处理设备。本发明信息处理设备包含有其中由复数命令构成之进程业经展开之第1内存、从该第1内存读取并运行该命令之控制部及可以无电源供给之状态保持所存储之信息,存储前述控制部所运行之该命令之历程之第2内存。根据上述信息处理设备,由于存储至发生异常为止之动作历程,故可提供轻易特定异常原因之信息处理设备。

10. 发明专利

TW200910320A 用於顯示器裝置之顯示器控制方法、及顯示器裝置 DISPLAY CONTROL METHOD USED IN A DISPLAY APPARATUS, AND DISPLAY APPARATUS 审中-公开
简体标题：用于显示器设备之显示器控制方法、及显示器设备 DISPLAY CONTROL METHOD USED IN A DISPLAY APPARATUS, AND DISPLAY APPARATUS
公开(公告)号：TW200910320A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW097121885
申请日：2008-06-12
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：六島裕一 ROKUSHIMA, HIROKAZU , 深田誠 FUKATA, MAKOTO
IPC分类号： G09G , H04N
CPC分类号： G09G5/006 , G09G2330/021 , G09G2370/047 , G09G2370/12 , G09G2370/20 , G09G2370/22
摘要：該顯示器控制方法包括下列步驟:做出該類比RGB信號是否存在或不存在之一第一決定,且當該類比RGB信號已被決定存在時,切換一輸入至該類比RGB信號並顯示由該類比RGB信號表達的一圖像;當該類比RGB信號已被決定不存在時,做出該數位信號是否存在或不存在之一第二決定,且當該數位信號已被決定存在時,切換該輸入至該數位信號並顯示由該數位信號表達的一圖像,及在該類比RGB信號及該數位信號都已被決定不存在的一段預先決定的時間之後,開始一省電模式。
简体摘要：该显示器控制方法包括下列步骤:做出该模拟RGB信号是否存在或不存在之一第一决定,且当该模拟RGB信号已被决定存在时,切换一输入至该模拟RGB信号并显示由该模拟RGB信号表达的一图像;当该模拟RGB信号已被决定不存在时,做出该数码信号是否存在或不存在之一第二决定,且当该数码信号已被决定存在时,切换该输入至该数码信号并显示由该数码信号表达的一图像,及在该模拟RGB信号及该数码信号都已被决定不存在的一段预先决定的时间之后,开始一省电模式。

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