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1. 发明专利

TWI313983B 用於處理多個連續Top-k查詢的方法 A METHOD FOR PROCESSING MULTIPLE CONTINUOUS Top-k QUERIES 有权
简体标题：用于处理多个连续Top-k查找的方法 A METHOD FOR PROCESSING MULTIPLE CONTINUOUS Top-k QUERIES
公开(公告)号：TWI313983B
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：TW095120360
申请日：2006-06-08
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：沈進雄 SHEN, JIN-HSIUNG , 陳良弼 CHEN, ARBEE L. P.
IPC分类号： H04L , G06F
CPC分类号： G06F17/30516 , Y10S707/99931 , Y10S707/99932 , Y10S707/99934 , Y10S707/99935 , Y10S707/99948
摘要：一種用於處理多個連續Top-k查詢的方法,於一主伺服器以及複數副伺服器之間執行,具備以下步驟:(1)任意挑選多個副伺服器,並查詢被記錄數最多的K個累計値並統計之;(2)將上述從相同伺服器送出之相鄰的每兩個値進行計算的方式,求出兩者的平均値以作為閾値;及(3)以該多數個閾値作為測定該每個値變化的上、下限値,當有某個値超過或低於該上、下限値時,則回報至該主伺服器。
简体摘要：一种用于处理多个连续Top-k查找的方法,于一主服务器以及复数副服务器之间运行,具备以下步骤:(1)任意挑选多个副服务器,并查找被记录数最多的K个累计値并统计之;(2)将上述从相同服务器送出之相邻的每两个値进行计算的方式,求出两者的平均値以作为阈値;及(3)以该多数个阈値作为测定该每个値变化的上、下限値,当有某个値超过或低于该上、下限値时,则回报至该主服务器。

2. 发明专利

TWI312370B 低電遷移效應合金導線及其設計方法 CONDUCTION WIRES OF ELECTROMIGRATION EFFECT-INSIGNIFICANT ALLOYS AND THE DESIGNING METHOD THEREOF 失效
简体标题：低电迁移效应合金导线及其设计方法 CONDUCTION WIRES OF ELECTROMIGRATION EFFECT-INSIGNIFICANT ALLOYS AND THE DESIGNING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI312370B
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：TW092109152
申请日：2003-04-18
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：陳信文 CHEN, SINN-WEN
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C22C23/00 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22C23/02
摘要：本發明利用不同金屬材料具有正負不同有效電荷値之特性,將這些具有正負不同有效電荷値之金屬材料製備成合金。此合金之有效電荷値,為各組成金屬材料之莫耳分率、乘上各組成金屬材料有效電荷値之總和。此計算所得之有效電荷値總和,可以做為選擇合金組成種類與成份比例之依據。所製備之合金在電場作用下,合盒中傾向與電子流相同方向移動之原子、與傾向逆著電子流方向移動之原子互相牽引,形成了在電場下無電遷移效應或低電遷移效應之合金。
简体摘要：本发明利用不同金属材料具有正负不同有效电荷値之特性,将这些具有正负不同有效电荷値之金属材料制备成合金。此合金之有效电荷値,为各组成金属材料之莫耳分率、乘上各组成金属材料有效电荷値之总和。此计算所得之有效电荷値总和,可以做为选择合金组成种类与成份比例之依据。所制备之合金在电场作用下,合盒中倾向与电子流相同方向移动之原子、与倾向逆着电子流方向移动之原子互相牵引,形成了在电场下无电迁移效应或低电迁移效应之合金。

3. 发明专利

TW200929235A 應用於反及閘快閃記憶體之內建式自我修復方法及其系統 BUILT-IN SELF-REPAIR METHOD FOR NAND FLASH MEMORY AND SYSTEM THEREOF 审中-公开
简体标题：应用于反及闸闪存之内置式自我修复方法及其系统 BUILT-IN SELF-REPAIR METHOD FOR NAND FLASH MEMORY AND SYSTEM THEREOF
公开(公告)号：TW200929235A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW096149151
申请日：2007-12-21
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING-HUA UNIVERSITY
发明人：蕭裕穎 HSIAO, YU YING , 吳誠文 WU, CHENG WEN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/4401 , G11C16/04 , G11C29/44 , G11C29/72 , G11C29/81 , G11C2029/1208
摘要：本發明係提供一種應用於反及閘快閃記憶體之內建式自我修復方法及其系統,該系統包含一內建式自我測試電路、一內建式備用記憶體分析電路、一記憶體模組和一儲存元件。該記憶體模組包含待修復之一主記憶體和用以置換損壞記憶單元之備用記憶體。該內建式自我測試電路係用以測試該主記憶體,而該內建式多餘分析電路係分配該備用記憶體予該主記憶體。
简体摘要：本发明系提供一种应用于反及闸闪存之内置式自我修复方法及其系统,该系统包含一内置式自我测试电路、一内置式备用内存分析电路、一内存模块和一存储组件。该内存模块包含待修复之一主内存和用以置换损坏记忆单元之备用内存。该内置式自我测试电路系用以测试该主内存,而该内置式多余分析电路系分配该备用内存予该主内存。

4. 发明专利

TWI311344B 一種自動對準場效電晶體結構與其製作方法 A SELF-ALIGNED FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：一种自动对准场效应管结构与其制作方法 A SELF-ALIGNED FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI311344B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW095141322
申请日：2006-11-08
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING-HUA UNIVERSITY
发明人：楊偉昌 YANG, WEI-CHANG , 游萃蓉 YEW, TRI-RUNG
IPC分类号： H01L
摘要：一種自組裝場效電晶體,此自組裝場效電晶體結構包括基底、介電層、導體電極與奈米碳管。基底中可具有經定義的背面導體電極作為閘極。介電層配置於基底上。導體電極配置於介電層上作為源極、汲極。圖形化之源極及汲極導體電極含金屬矽化物如矽化鈷作為奈米碳管成長催化劑。奈米碳管配置於介電層上。奈米碳管配置於介電層上,且與源極、汲極等導體電極電性連接。
简体摘要：一种自组装场效应管,此自组装场效应管结构包括基底、介电层、导体电极与奈米碳管。基底中可具有经定义的背面导体电极作为闸极。介电层配置于基底上。导体电极配置于介电层上作为源极、汲极。图形化之源极及汲极导体电极含金属硅化物如硅化钴作为奈米碳管成长催化剂。奈米碳管配置于介电层上。奈米碳管配置于介电层上,且与源极、汲极等导体电极电性连接。

5. 发明专利

TW200921780A 鋸齒狀多層膜的製作方法 METHOD FOR FORMING A CORRUGATION MULTILAYER 审中-公开
简体标题：锯齿状多层膜的制作方法 METHOD FOR FORMING A CORRUGATION MULTILAYER
公开(公告)号：TW200921780A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096143266
申请日：2007-11-15
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃承揚 HUANG, CHEN YANG , 顧浩民 KU, HAO MIN , 朱正煒 CHU, CHENG WEI , 趙煦 CHAO, SHIUH
IPC分类号： H01L , G02B
CPC分类号： C23C14/083 , B82Y20/00 , C23C14/04 , C23C14/10 , C23C14/34 , G02B6/1225
摘要：一種鋸齒狀多層膜的製作方法,是先取得一個週期性基板,且於週期性基板上形成一層鋸齒狀修整層,其中可以離子束濺鍍系統(Ion Beam Sputtering System)與偏壓蝕刻系統(Bias Etching System)製作上述鋸齒狀修整層。接著,重複進行以下步驟a和b:a)藉由離子束濺鍍系統在前述鋸齒狀修整層上形成一層第一披覆膜層;以及b)藉由離子束濺鍍系統進行沉積,並藉由偏壓蝕刻系統進行修整,以於第一披覆膜層上形成鋸齒狀外貌的第二披覆膜層。依照上述方法能夠製作自我複製式鋸齒狀多層膜。
简体摘要：一种锯齿状多层膜的制作方法,是先取得一个周期性基板,且于周期性基板上形成一层锯齿状修整层,其中可以离子束溅镀系统(Ion Beam Sputtering System)与偏压蚀刻系统(Bias Etching System)制作上述锯齿状修整层。接着,重复进行以下步骤a和b:a)借由离子束溅镀系统在前述锯齿状修整层上形成一层第一披覆膜层;以及b)借由离子束溅镀系统进行沉积,并借由偏压蚀刻系统进行修整,以于第一披覆膜层上形成锯齿状外貌的第二披覆膜层。依照上述方法能够制作自我复制式锯齿状多层膜。

6. 发明专利

TW200921690A 記憶體之修復方法及其系統 METHOD FOR REPAIRING MEMORY AND SYSTEM THEREOF 审中-公开
简体标题：内存之修复方法及其系统 METHOD FOR REPAIRING MEMORY AND SYSTEM THEREOF
公开(公告)号：TW200921690A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096141800
申请日：2007-11-06
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING-HUA UNIVERSITY
发明人：李旻昇 LEE, MINCENT , 吳誠文 WU, CHENG WEN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/4401 , G11C29/808
摘要：本發明之記憶體之修復系統包含一備用記憶體、一內建式自我測試電路、一內建式自我修復電路和一備用記憶體配置分析表。該備用記憶體係用以修復一待修復之主記憶體。該內建式自我測試電路用以測試該主記憶體,而該內建式自我修復電路用以分配該備用記憶體以修復該主記憶體。該備用記憶體配置分析表用以記錄該備用記憶體之複數個備用記憶單元之排列方式。
简体摘要：本发明之内存之修复系统包含一备用内存、一内置式自我测试电路、一内置式自我修复电路和一备用内存配置分析表。该备用内存系用以修复一待修复之主内存。该内置式自我测试电路用以测试该主内存,而该内置式自我修复电路用以分配该备用内存以修复该主内存。该备用内存配置分析表用以记录该备用内存之复数个备用记忆单元之排列方式。

7. 发明专利

TW200918953A 微光機電系統中的固態可調式微光學裝置及方法 SOLID TUNABLE MICRO OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR A MICRO-OPTO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM 审中-公开
简体标题：微光机电系统中的固态可调式微光学设备及方法 SOLID TUNABLE MICRO OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR A MICRO-OPTO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM
公开(公告)号：TW200918953A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW096146627
申请日：2007-12-06
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：方維倫 FANG, WEILEUN , 李思源 LEE, SZ YUAN , 童璽文 TUNG, HSI WEN , 陳文誌 CHEN, WEN CHIH
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B26/0866
摘要：本案係指一種固態可調式微光學裝置,其包含具有一第一外框和一第一內框的一第一環;具有一第一圓弧表面的一第一微透鏡,其設置於該第一環上;具有一第二外框和一第二內框的一第二環,其環繞該第一環;具有一第二圓弧表面的一第二微透鏡,其設置於該第二環上,並覆蓋在該第一環及該第一微透鏡上方;以及一溫度調整裝置,係用以調整該第一環及該第二環至少其中之一的溫度,並藉此變形該第一微透鏡及該第二微透鏡至少其中之一。
简体摘要：本案系指一种固态可调式微光学设备,其包含具有一第一外框和一第一内框的一第一环;具有一第一圆弧表面的一第一微透镜,其设置于该第一环上;具有一第二外框和一第二内框的一第二环,其环绕该第一环;具有一第二圆弧表面的一第二微透镜,其设置于该第二环上,并覆盖在该第一环及该第一微透镜上方;以及一温度调整设备,系用以调整该第一环及该第二环至少其中之一的温度,并借此变形该第一微透镜及该第二微透镜至少其中之一。

8. 发明专利

TW200910451A 半導體元件結構 SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE 失效
简体标题：半导体组件结构 SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200910451A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096130880
申请日：2007-08-21
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：龔正 GONG, JENG , 鍾文駿 CHUNG, WEN CHUN , 蘇如意 SU, RU YI , 楊富雄 YANG, FU HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0603 , H01L29/861
摘要：本發明係關於一種半導體元件結構,藉由在一元件漂移區中置入一絕緣介電質以調變漂移區的電場分佈及電流方向,提高元件的崩潰電壓耐受程度並降低導通電阻。
简体摘要：本发明系关于一种半导体组件结构,借由在一组件漂移区中置入一绝缘介电质以调制漂移区的电场分布及电流方向,提高组件的崩溃电压耐受程度并降低导通电阻。

9. 发明专利

TWI305524B 利用冰晶石與黏結合金製造Al2O3超硬瓷金的雙液相燒結製程方法有权
简体标题：利用冰晶石与黏结合金制造Al2O3超硬瓷金的双液相烧结制程方法
公开(公告)号：TWI305524B
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：TW094144614
申请日：2005-12-16
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：陳瑞凱
IPC分类号： C01F
摘要：一種利用冰晶石與黏結合金製造Al2O3超硬瓷金的雙液相燒結製程方法,係利用冰晶石與Al0.5CoCrCuFeNi高熵合金之配方,經過球磨及雙液相燒結等製程,進而得到高緻密高熵合金黏結Al2O3超硬瓷金的方法;其中,雙液相係包括冰晶石及高熵合金,該冰晶石液相時可熔解Al2O3,故與Al2O3的潤濕性良好,且Na與F雜質揮發後剩下的Al可以與Al0.5CoCrCuFeNi高熵合金化合成為高熵合金的一部分,藉由雙液相燒結潤濕性良好的特性,使Al2O3與Al0.5CoCrCuFeNi高熵合金可以緻密燒結成良好的複合材料者。
简体摘要：一种利用冰晶石与黏结合金制造Al2O3超硬瓷金的双液相烧结制程方法,系利用冰晶石与Al0.5CoCrCuFeNi高熵合金之配方,经过球磨及双液相烧结等制程,进而得到高致密高熵合金黏结Al2O3超硬瓷金的方法;其中,双液相系包括冰晶石及高熵合金,该冰晶石液相时可熔解Al2O3,故与Al2O3的润湿性良好,且Na与F杂质挥发后剩下的Al可以与Al0.5CoCrCuFeNi高熵合金化合成为高熵合金的一部分,借由双液相烧结润湿性良好的特性,使Al2O3与Al0.5CoCrCuFeNi高熵合金可以致密烧结成良好的复合材料者。

10. 发明专利

TW200847279A 利用原子層沉積法對III-V族半導體施予自我清潔的方法 METHOD FOR SELF-CLEANING TO III-V SEMICONDUCTOR BY ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
简体标题：利用原子层沉积法对III-V族半导体施予自我清洁的方法 METHOD FOR SELF-CLEANING TO III-V SEMICONDUCTOR BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
公开(公告)号：TW200847279A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096119521
申请日：2007-05-31
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：張哲豪 CHANG, CHE HAO , 吳泰伯 WU, TAI BOR , 洪銘輝 HONG, MING HWEI , 郭瑞年 KWO, RAY NIEN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種利用原子層沉積法對Ⅲ-V族半導體施予自我清潔的方法,包含以下步驟:(a)於一原子層沉積系統內引入一含有A(NR^1R^2)n之金屬醯胺類衍生物的前驅物;及(b)經由該前驅物與一Ⅲ-V族半導體基板上的一原生氧化物之間的配位基取代反應,以於該Ⅲ-V族半導體基板上形成一含有A之介電層並產生揮發性產物。A是選自Al、Ga、Gd、Y、La、Sc、Pr、Dy、Ce、Si、Ti、Zr、Hf或Ta。R^1與R^2可為相同或不相同,且R^1及R^2分別是選自C1~C2的烷基、C2~C3的烯基或氫。3≦n≦5。
简体摘要：本发明提供一种利用原子层沉积法对Ⅲ-V族半导体施予自我清洁的方法,包含以下步骤:(a)于一原子层沉积系统内引入一含有A(NR^1R^2)n之金属酰胺类衍生物的前驱物;及(b)经由该前驱物与一Ⅲ-V族半导体基板上的一原生氧化物之间的配位基取代反应,以于该Ⅲ-V族半导体基板上形成一含有A之介电层并产生挥发性产物。A是选自Al、Ga、Gd、Y、La、Sc、Pr、Dy、Ce、Si、Ti、Zr、Hf或Ta。R^1与R^2可为相同或不相同,且R^1及R^2分别是选自C1~C2的烷基、C2~C3的烯基或氢。3≦n≦5。

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