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1. 发明专利

TW200922744A 研磨頭及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨头及研磨设备
公开(公告)号：TW200922744A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096144634
申请日：2007-11-23
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. , 不二越機械工業股份有限公司 FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
发明人： 村壽 , 北川幸司 , 森田幸治 , 岸田敬實 , 荒川悟
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明係一種研磨頭,是針對至少由一略圓盤狀的中板、以及被覆該中板的至少底面部與側面部之一橡膠膜所組成,具有由上述中板與上述橡膠膜所包圍的一空間部,並構成可利用壓力調整機構來改變上述空間部的壓力,於上述橡膠膜的底面部保持一工作件的背面,使該工作件的表面與貼附在平台上的研磨布滑動接觸來進行研磨之形態的研磨頭,其中上述中板與上述橡膠膜,於上述中板的至少底面部的整體,係未接觸而具有間隙。藉此,提供一種研磨頭等,於橡膠夾頭方式的研磨頭中,可不受中板的剛性、平面度的影響,而對工作件整體施加均勻的研磨荷重。
简体摘要：本发明系一种研磨头,是针对至少由一略圆盘状的中板、以及被覆该中板的至少底面部与侧面部之一橡胶膜所组成,具有由上述中板与上述橡胶膜所包围的一空间部,并构成可利用压力调整机构来改变上述空间部的压力,于上述橡胶膜的底面部保持一工作件的背面,使该工作件的表面与贴附在平台上的研磨布滑动接触来进行研磨之形态的研磨头,其中上述中板与上述橡胶膜,于上述中板的至少底面部的整体,系未接触而具有间隙。借此,提供一种研磨头等,于橡胶夹头方式的研磨头中,可不受中板的刚性、平面度的影响,而对工作件整体施加均匀的研磨荷重。

2. 发明专利

TW200908199A 晶圓支撐治具及具備此治具之縱型熱處理用晶舟以及晶圓支撐治具的製造方法审中-公开
简体标题：晶圆支撑治具及具备此治具之纵型热处理用晶舟以及晶圆支撑治具的制造方法
公开(公告)号：TW200908199A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097114269
申请日：2008-04-18
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林武史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67309 , H01L21/324 , H01L21/67306 , Y10T29/49826 , Y10T29/49885 , Y10T29/4997
摘要：本發明係一種晶圓支撐治具,是至少具有在熱處理時用以載置支撐被處理晶圓之支撐面的形態之晶圓支撐治具,其支撐上述被處理晶圓之支撐面的偏斜度Rsk係0
简体摘要：本发明系一种晶圆支撑治具,是至少具有在热处理时用以载置支撑被处理晶圆之支撑面的形态之晶圆支撑治具,其支撑上述被处理晶圆之支撑面的偏斜度Rsk系0

3. 发明专利

TW200841990A 研磨頭及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨头及研磨设备
公开(公告)号：TW200841990A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096139926
申请日：2007-10-24
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. , 不二越機械工業股份有限公司 FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
发明人： 村壽 , 北川幸司 , 森田幸治 , 岸田敬實 , 荒川悟
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/30
摘要：本發明係一種研磨頭,具備:一環狀剛性環;一橡膠環,以均勻的張力接著於該剛性環;一中板,結合於上述剛性環,與上述橡膠膜、上述剛性環一起形成一空間部;以及一環狀的模板,其外徑大於上述剛性環的內徑,與上述剛性環同心地設置於上述橡膠膜的底面部的周邊部;能以壓力調整機構改變上述空間部的壓力,工作件的背面保持於上述橡膠膜的底面部,該工作件的表面滑動接觸於已貼附於平台上的研磨布來進行研磨,其特徵在於:上述模板的內徑小於上述剛性環的內徑,該剛性環與模板之間的內徑差、和上述模板的內徑與外徑之間的差的比,為26%以上45%以下。藉此,能提供一種研磨頭,可安定地獲得一定的平坦性。
简体摘要：本发明系一种研磨头,具备:一环状刚性环;一橡胶环,以均匀的张力接着于该刚性环;一中板,结合于上述刚性环,与上述橡胶膜、上述刚性环一起形成一空间部;以及一环状的模板,其外径大于上述刚性环的内径,与上述刚性环同心地设置于上述橡胶膜的底面部的周边部;能以压力调整机构改变上述空间部的压力,工作件的背面保持于上述橡胶膜的底面部,该工作件的表面滑动接触于已贴附于平台上的研磨布来进行研磨,其特征在于:上述模板的内径小于上述刚性环的内径,该刚性环与模板之间的内径差、和上述模板的内径与外径之间的差的比,为26%以上45%以下。借此,能提供一种研磨头,可安定地获得一定的平坦性。

4. 发明专利

TW200826168A 半導體基板與電極的形成方法及太陽電池的製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板与电极的形成方法及太阳电池的制造方法
公开(公告)号：TW200826168A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096128275
申请日：2007-08-01
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. , 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：石川直揮 , 大塚寬之 , 渡部武紀 , 生島聰之 , 植栗豐敬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C8/14 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/05 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要：一種半導體基板,係至少形成有電極之半導體基板,該電極係具有二層以上之多層構造,該多層構造之中,至少與該半導體基板直接接合之第一電極層,係至少含有銀和玻璃料,以及含有鈦、鉍、鋯、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、鐵、鈷、鎳、矽、鋁、鍺、錫、鉛、鋅的氧化物中的至少一種來作為添加物;形成於該第一電極層上的電極層之中,至少與配線接合之最表層電極層,係至少含有銀和玻璃料,而未含有上述添加物。藉此,於半導體基板上形成一種電極,可減少接觸電阻與配線電阻,且具有充分的與半導體基板接著的强度以及藉由銲錫而與配線接著的强度。
简体摘要：一种半导体基板,系至少形成有电极之半导体基板,该电极系具有二层以上之多层构造,该多层构造之中,至少与该半导体基板直接接合之第一电极层,系至少含有银和玻璃料,以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物;形成于该第一电极层上的电极层之中,至少与配线接合之最表层电极层,系至少含有银和玻璃料,而未含有上述添加物。借此,于半导体基板上形成一种电极,可减少接触电阻与配线电阻,且具有充分的与半导体基板接着的强度以及借由焊锡而与配线接着的强度。

5. 发明专利

TW200818322A 矽晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW200818322A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096122799
申请日：2007-06-23
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：曲偉峰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3225
摘要：本發明是提供一種矽晶圓的製造方法,是至少具有在環境氣體中對矽晶圓施加RTA熱處理的製程之矽晶圓的製造方法,其特徵為:作為該環境氣體,是使用氮氣,且使用在此氮氣中混入小於100ppm濃度的氧氣而成之物,來進行熱處理。藉此,能夠提供一種謀求對矽晶圓施加RTA熱處理時之低溫化或短時間化、且抑制矽晶圓產生滑動差排,同時不必使用NH3亦能夠在矽晶圓內部形成空穴,來製造高品質的矽晶圓之方法。
简体摘要：本发明是提供一种硅晶圆的制造方法,是至少具有在环境气体中对硅晶圆施加RTA热处理的制程之硅晶圆的制造方法,其特征为:作为该环境气体,是使用氮气,且使用在此氮气中混入小于100ppm浓度的氧气而成之物,来进行热处理。借此,能够提供一种谋求对硅晶圆施加RTA热处理时之低温化或短时间化、且抑制硅晶圆产生滑动差排,同时不必使用NH3亦能够在硅晶圆内部形成空穴,来制造高品质的硅晶圆之方法。

6. 发明专利

TW200809020A 磊晶基板及液相磊晶成長方法审中-公开
简体标题：磊晶基板及液相磊晶成长方法
公开(公告)号：TW200809020A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096128744
申请日：2007-08-03
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人： 口晉 , 川崎真
IPC分类号： C30B , H01L
摘要：本發明提供一種磊晶基板,是藉由液相磊晶成長方法在基板上積層磊晶層而成的磊晶基板,其積層在上述基板上的磊晶層中的碳濃度輪廓,與基於由用以保持溶劑之碳製成的治具供給而得到的碳濃度�50%的濃度輪廓交叉。藉此,可以提供一種磊晶基板及液相磊晶成長方法,該磊晶基板具有被調整後的任意的碳濃度輪廓,而不是藉由治具來的自動摻雜所產生的固定的碳濃度輪廓。
简体摘要：本发明提供一种磊晶基板,是借由液相磊晶成长方法在基板上积层磊晶层而成的磊晶基板,其积层在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓,与基于由用以保持溶剂之碳制成的治具供给而得到的碳浓度�50%的浓度轮廓交叉。借此,可以提供一种磊晶基板及液相磊晶成长方法,该磊晶基板具有被调整后的任意的碳浓度轮廓,而不是借由治具来的自动掺杂所产生的固定的碳浓度轮廓。

7. 发明专利

TWI282637B 矽晶圓的製造方法以及矽晶圓有权
简体标题：硅晶圆的制造方法以及硅晶圆
公开(公告)号：TWI282637B
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：TW090125816
申请日：2001-10-18
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：戶部敏視 , 相原健
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3225
摘要：本發明係提供不僅增加BMD密度，同時，也可擴充 DZ層寬之熱處理方法，儘管是具有高BMD密度，可提供較以往具有更寬廣DZ層寬之矽晶圓。對於含有格子間氧之矽晶圓，藉使用快速加熱˙快速冷卻裝置進行熱處理(RTA處理)，從晶圓表面注入原子空孔將在深度方向之原子空孔濃度之最大位置形成於晶圓表面附近後，進行後退火熱處理(post anneal)將形成於該晶圓表面附近之原子空孔濃度之最大位置移動於晶圓內部。
简体摘要：本发明系提供不仅增加BMD密度，同时，也可扩充 DZ层宽之热处理方法，尽管是具有高BMD密度，可提供较以往具有更宽广DZ层宽之硅晶圆。对于含有格子间氧之硅晶圆，藉使用快速加热˙快速冷却设备进行热处理(RTA处理)，从晶圆表面注入原子空孔将在深度方向之原子空孔浓度之最大位置形成于晶圆表面附近后，进行后退火热处理(post anneal)将形成于该晶圆表面附近之原子空孔浓度之最大位置移动于晶圆内部。

8. 发明专利

TW200707801A 發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200707801A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095114610
申请日：2006-04-25
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：萩本和德
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種發光元件,其具有透過金屬層貼合發光層部與Si基板之構造,且不易產生貼合强度或反射率之降低等。係將形成反射面之主金屬層形成在化合物半導體層50之第二主表面,並且以覆蓋該主金屬層10c之方式配置熔點不滿364℃之AuSn系焊材所構成的第一焊材層10s1。另一方面,在Si基板7之第一主表面配置熔點不滿364℃之AuSn系焊材所構成的第二焊材層10s2。接著,一邊將第一焊材層10s1與第二焊材層10s2彼此重疊並加壓,一邊以AuSn系焊材熔點以上且不滿364℃之溫度來進行貼合熱處理,藉此使該等第一焊材層10s1與第二焊材層10s2結合並加以貼合。
简体摘要：本发明提供一种发光组件,其具有透过金属层贴合发光层部与Si基板之构造,且不易产生贴合强度或反射率之降低等。系将形成反射面之主金属层形成在化合物半导体层50之第二主表面,并且以覆盖该主金属层10c之方式配置熔点不满364℃之AuSn系焊材所构成的第一焊材层10s1。另一方面,在Si基板7之第一主表面配置熔点不满364℃之AuSn系焊材所构成的第二焊材层10s2。接着,一边将第一焊材层10s1与第二焊材层10s2彼此重叠并加压,一边以AuSn系焊材熔点以上且不满364℃之温度来进行贴合热处理,借此使该等第一焊材层10s1与第二焊材层10s2结合并加以贴合。

9. 发明专利

TW200707611A 半導體晶圓之摻雜物污染的評價方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之掺杂物污染的评价方法
公开(公告)号：TW200707611A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095104451
申请日：2006-02-09
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：名古屋孝俊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/14 , G01N27/90
摘要：本發明提供一種半導體晶圓之摻雜物污染的評價方法,其中藉由渦電流法測定半導體體積(bulk)部的電阻率,藉由表面光電壓法測定該半導體晶圓表層的電阻率,由前述渦電流法所測定得到的體積部電阻率之値與由表面光電壓法所測定得到的表層電阻率之値的差異,來求得前述半導體晶圓的摻雜污染量。藉此,能夠提供一種半導體晶圓的摻雜物污染的評價方法,能夠以非接觸、非破壞的方式、且正確地求得在半導體晶圓的表層整體的摻雜物污染量。
简体摘要：本发明提供一种半导体晶圆之掺杂物污染的评价方法,其中借由涡电流法测定半导体体积(bulk)部的电阻率,借由表面光电压法测定该半导体晶圆表层的电阻率,由前述涡电流法所测定得到的体积部电阻率之値与由表面光电压法所测定得到的表层电阻率之値的差异,来求得前述半导体晶圆的掺杂污染量。借此,能够提供一种半导体晶圆的掺杂物污染的评价方法,能够以非接触、非破坏的方式、且正确地求得在半导体晶圆的表层整体的掺杂物污染量。

10. 发明专利

TW200639966A 用於固持半導體晶圓的抓持件、其固持方法以及相關之形狀測定裝置失效
简体标题：用于固持半导体晶圆的抓持件、其固持方法以及相关之形状测定设备
公开(公告)号：TW200639966A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095108858
申请日：2006-03-15
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. , 日本ADE股份有限公司 JAPAN ADE LTD.
发明人：大西理 , 金谷晃一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68707 , H01L21/67288 , H01L21/683
摘要：一種把持半導體晶圓用的抓持件、把持方法以及形狀測量裝置，係於測量半導體晶圓形狀時，把持該半導體晶圓之細長狀把持用抓持件，該把持用抓持件中，把持該半導體晶圓一側係呈圓弧形狀，該圓弧形狀部之側面上，沿著該側面設有把持該半導體晶圓邊緣的溝，該溝係從晶圓之周圍抵接該半導體晶圓邊緣，把持該半導體晶圓。藉此，把持晶圓時，即使抓持件有傾斜的情形，亦能以一定之狀態穩定地把持晶圓。
简体摘要：一种把持半导体晶圆用的抓持件、把持方法以及形状测量设备，系于测量半导体晶圆形状时，把持该半导体晶圆之细长状把持用抓持件，该把持用抓持件中，把持该半导体晶圆一侧系呈圆弧形状，该圆弧形状部之侧面上，沿着该侧面设有把持该半导体晶圆边缘的沟，该沟系从晶圆之周围抵接该半导体晶圆边缘，把持该半导体晶圆。借此，把持晶圆时，即使抓持件有倾斜的情形，亦能以一定之状态稳定地把持晶圆。

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