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    • 10. 发明专利
    • 光阻用聚合物、光阻組成物及圖案製造方法與光阻用聚合物用原料化合物 POLYMER FOR RESIST, RESIST COMPOSITION, METHOD OF FABRICTING PATTERN, AND MATERIAL COMPOUND OF POLYMER FOR RESIST
    • 光阻用聚合物、光阻组成物及图案制造方法与光阻用聚合物用原料化合物 POLYMER FOR RESIST, RESIST COMPOSITION, METHOD OF FABRICTING PATTERN, AND MATERIAL COMPOUND OF POLYMER FOR RESIST
    • TW200540190A
    • 2005-12-16
    • TW094106913
    • 2005-03-08
    • 三菱麗陽股份有限公司 MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
    • 百瀨陽 MOMOSE, HIKARU大竹敦 OOTAKE, ATSUSHI中村雅 NAKAMURA, TADASHI上田昭史 UEDA, AKIFUMI
    • C08FG03FH01L
    • G03F7/0397C08F220/18C08F220/28C08F222/1006
    • 本發明提供一種光阻用聚合物,其用於深紫外線(DUV)準分子雷射微影時線邊粗糙度小且缺陷產生少。此光阻用聚合物含有下述式(1)或式(2)所示的酸分解性單元作為結構單元。094106913-p01.bmp(n表示2~24的整數;n=2時,J表示單鍵或取代基及/或含雜原子亦可的2價烴基;n≧3時,J表示取代基及/或含雜原子亦可的n價烴基;E表示聚合終止劑或鏈轉移劑或聚合起始劑的殘基;K^1及K^2各自分別表示亞烷基、環亞烷基、氧亞烷基、亞芳基、2價的唑咻環、2價的噁唑咻環以及2價的咪唑咻環所組成之族群中的至少一種;L^1及L^2各自分別表示–C(O)O–、–C(O)–以及–OC(O)–所組成之族群中至少一種;M^1、M^2、M^3各自分別表示亞烷基、環亞烷基、氧亞烷基、亞芳基所組成之族群中的至少一種;Y、Y^1、Y^2各自分別表示酸分解性鍵;再者,k1、k2、11、12、m1、m2以及m3為0或1;再者,R^1表示H或甲基)。094106913-p01.bmp
    • 本发明提供一种光阻用聚合物,其用于深紫外线(DUV)准分子激光微影时线边粗糙度小且缺陷产生少。此光阻用聚合物含有下述式(1)或式(2)所示的酸分解性单元作为结构单元。094106913-p01.bmp(n表示2~24的整数;n=2时,J表示单键或取代基及/或含杂原子亦可的2价烃基;n≧3时,J表示取代基及/或含杂原子亦可的n价烃基;E表示聚合终止剂或链转移剂或聚合起始剂的残基;K^1及K^2各自分别表示亚烷基、环亚烷基、氧亚烷基、亚芳基、2价的唑咻环、2价的恶唑咻环以及2价的咪唑咻环所组成之族群中的至少一种;L^1及L^2各自分别表示–C(O)O–、–C(O)–以及–OC(O)–所组成之族群中至少一种;M^1、M^2、M^3各自分别表示亚烷基、环亚烷基、氧亚烷基、亚芳基所组成之族群中的至少一种;Y、Y^1、Y^2各自分别表示酸分解性键;再者,k1、k2、11、12、m1、m2以及m3为0或1;再者,R^1表示H或甲基)。094106913-p01.bmp