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81. 发明专利

TW233372B 利用擴散障礙覆層技術的積體電路場氧化物製造方法失效
简体标题：利用扩散障碍覆层技术的集成电路场氧化物制造方法
公开(公告)号：TW233372B
公开(公告)日：1994-11-01
申请号：TW083103546
申请日：1994-04-21
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：吳俊元 , 盧火鐵
IPC分类号： H01L
摘要：一種利用擴散障礙覆層技術的積體電路場氧化物製造方法，包括下列步驟：提供一矽基底；在該矽基底表面上形成一墊氧化層；在該墊氧化層表面上形成一氮化矽層；蝕刻該氮化矽層和該墊氧化層的指定區域直到該矽基底為止，用以形成開口，露出該矽基底欲形成場氧化物的部分；氧化該開口內的該矽基底，用以形成一二氧化矽層；去除該二氧化矽層，用以在該矽基底上形成一個凹陷部；沈積一擴散障礙層覆蓋在該基底上；經由該開口將離子佈值進入該矽基底，用以在該凹陷部下方形成一通道停止層；回蝕刻該擴散障礙層以留下在該開口和該凹陷部側壁上的擴散障礙間隔層；氧化該凹陷部下方的該矽基底以形成場氧化物，其中該擴散障礙間隔層用以防止鳥嘴效應且該氧化增加的體積填補了該凹陷部的深度；以及去除該氮化矽層、該墊氧化層、及該擴散障礙間隔層，完成積體電路的場氧化物結構。
简体摘要：一种利用扩散障碍覆层技术的集成电路场氧化物制造方法，包括下列步骤：提供一硅基底；在该硅基底表面上形成一垫氧化层；在该垫氧化层表面上形成一氮化硅层；蚀刻该氮化硅层和该垫氧化层的指定区域直到该硅基底为止，用以形成开口，露出该硅基底欲形成场氧化物的部分；氧化该开口内的该硅基底，用以形成一二氧化硅层；去除该二氧化硅层，用以在该硅基底上形成一个凹陷部；沉积一扩散障碍层覆盖在该基底上；经由该开口将离子布值进入该硅基底，用以在该凹陷部下方形成一信道停止层；回蚀刻该扩散障碍层以留下在该开口和该凹陷部侧壁上的扩散障碍间隔层；氧化该凹陷部下方的该硅基底以形成场氧化物，其中该扩散障碍间隔层用以防止鸟嘴效应且该氧化增加的体积填补了该凹陷部的深度；以及去除该氮化硅层、该垫氧化层、及该扩散障碍间隔层，完成集成电路的场氧化物结构。

82. 发明专利

TW201232628A 一種鰭式場效應電晶體的製造方法 METHOD FOR FABRICATING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：一种鳍式场效应晶体管的制造方法 METHOD FOR FABRICATING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201232628A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100103728
申请日：2011-01-31
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡騰群 , 吳俊元 , 劉志建 , 林進富 , 簡金城
IPC分类号： H01L
摘要：一種鰭式場效應電晶體的製造方法,包括下述步驟:首先,提供一基板。然後,在基板中形成矽鰭片,並於矽鰭片以及基板上形成閘介電層。接著,於閘介電層上形成多晶矽層。然後,平坦化多晶矽層,並將平坦化後的多晶矽層加以圖案化,以定義多晶矽閘極,並暴露出一部份的矽鰭片。之後再於多晶矽閘極兩側的矽鰭片中分別形成源極以及汲極。
简体摘要：一种鳍式场效应晶体管的制造方法,包括下述步骤:首先,提供一基板。然后,在基板中形成硅鳍片,并于硅鳍片以及基板上形成闸介电层。接着,于闸介电层上形成多晶硅层。然后,平坦化多晶硅层,并将平坦化后的多晶硅层加以图案化,以定义多晶硅闸极,并暴露出一部份的硅鳍片。之后再于多晶硅闸极两侧的硅鳍片中分别形成源极以及汲极。

83. 发明专利

TW500832B 一種防止靜電座於清洗過程中被腐蝕的方法有权
简体标题：一种防止静电座于清洗过程中被腐蚀的方法
公开(公告)号：TW500832B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW088109299
申请日：1999-06-04
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡正原 , 劉志建 , 吳俊元
IPC分类号： C23F
摘要：本發明提供一種防止一設於電漿真空艙內底部之靜電座於清洗過程中被腐蝕的方法。該靜電座包含有一導電基部(conductive substrate)用來做為進行一電漿製程時之下電極，以及一絕緣層設於該導電基部之表面用來電隔絕該半導體晶片與該導電基部。該清洗過程會對該電漿真空艙通入一含氟(F)之氣體來進行一電漿製程，以去除該電漿真空艙內壁之製程沉積物。該方法為於該清洗過程中，以一個碳化矽的陶瓷檔板置於該靜電座表面，並對該導電基部與該陶瓷檔板施加一直流電壓，使該陶瓷檔板得以因靜電作用而緊密貼住該靜電座表面，因此使該含氟之氣體不得經由該陶瓷檔板與該靜電座間之縫隙而侵蝕位於該陶瓷檔板下之絕緣層。
简体摘要：本发明提供一种防止一设于等离子真空舱内底部之静电座于清洗过程中被腐蚀的方法。该静电座包含有一导电基部(conductive substrate)用来做为进行一等离子制程时之下电极，以及一绝缘层设于该导电基部之表面用来电隔绝该半导体芯片与该导电基部。该清洗过程会对该等离子真空舱通入一含氟(F)之气体来进行一等离子制程，以去除该等离子真空舱内壁之制程沉积物。该方法为于该清洗过程中，以一个碳化硅的陶瓷档板置于该静电座表面，并对该导电基部与该陶瓷档板施加一直流电压，使该陶瓷档板得以因静电作用而紧密贴住该静电座表面，因此使该含氟之气体不得经由该陶瓷档板与该静电座间之缝隙而侵蚀位于该陶瓷档板下之绝缘层。

84. 发明专利

TW445582B 製作金屬導線的方法失效
简体标题：制作金属导线的方法
公开(公告)号：TW445582B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW088104007
申请日：1999-03-16
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：魏詠宗 , 吳俊元 , 盧火鐵
IPC分类号： H01L
摘要：一種製作金屬內連線的方法，將一絕緣層形成於介電層(dielectric layer)之上且定義出導線圖案(pattern),再形成一阻障層(barrier Iayer)於絕緣層與介電層的表面，然後將金屬晶種(seed)生成於此阻障層表面，以電鍍(electroplating)或其他方法在阻障層上形成一金屬層，最後以化學機械研磨法(chemical mechanical polishing, CMP)除去多餘的金屬層且將該金屬層予以回火處理(annealing)。由此法所製作之導線層,將減少碟陷(dishing)及陷蝕(erosion)的產生，亦可降低阻值及增進電子遷移阻抗(electromigration resistance),且因化學機械研磨所造成的導線表面粗糙及孔隙等缺陷( defect),亦可消除。
简体摘要：一种制作金属内连接的方法，将一绝缘层形成于介电层(dielectric layer)之上且定义出导线图案(pattern),再形成一阻障层(barrier Iayer)于绝缘层与介电层的表面，然后将金属晶种(seed)生成于此阻障层表面，以电镀(electroplating)或其他方法在阻障层上形成一金属层，最后以化学机械研磨法(chemical mechanical polishing, CMP)除去多余的金属层且将该金属层予以回火处理(annealing)。由此法所制作之导线层,将减少碟陷(dishing)及陷蚀(erosion)的产生，亦可降低阻值及增进电子迁移阻抗(electromigration resistance),且因化学机械研磨所造成的导线表面粗糙及孔隙等缺陷( defect),亦可消除。

85. 发明专利

TW428122B 相移式與二元式之整合光罩與其製作方法有权
简体标题：相移式与二元式之集成光罩与其制作方法
公开(公告)号：TW428122B
公开(公告)日：2001-04-01
申请号：TW088117377
申请日：1999-10-08
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：黃健朝 , 黃偉哲 , 吳俊元
IPC分类号： G03F
摘要：一種相移式與二元式之整合光罩與其製作方法。先提供一個透明的基底，然後依序形成相移層與遮蔽層於透明基底上。接著定義遮蔽層與相移層，形成多個第一開口與第二開口，暴露出透明基底之表面。最後定義遮蔽層，使遮蔽層只環繞第一開口之周圍。其中上述之第一開口之面積大於預定之最小面積，而第二開口之面積小於預定之最小面積。製作出第一開口周圍覆蓋有遮蔽層，而於第一與第二開口以外之其餘部分覆蓋有相移層之光罩。
简体摘要：一种相移式与二元式之集成光罩与其制作方法。先提供一个透明的基底，然后依序形成相移层与屏蔽层于透明基底上。接着定义屏蔽层与相移层，形成多个第一开口与第二开口，暴露出透明基底之表面。最后定义屏蔽层，使屏蔽层只环绕第一开口之周围。其中上述之第一开口之面积大于预定之最小面积，而第二开口之面积小于预定之最小面积。制作出第一开口周围覆盖有屏蔽层，而于第一与第二开口以外之其余部分覆盖有相移层之光罩。

86. 发明专利

TW404006B 介電層的製造方法有权
简体标题：介电层的制造方法
公开(公告)号：TW404006B
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：TW088100103
申请日：1999-01-06
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：劉志建 , 吳俊元 , 盧火鐵
IPC分类号： H01L
摘要：一種介電層的製造方法，在提供的半導體基底上形成並定義導電層，在定義過的導電層的側壁形成間隙壁。以未加偏壓、未冷卻的高密度電漿形成一層襯層，覆蓋半導體基底、導電層以及間隙壁。接著，利用高密度電漿化學氣相沈積法在襯層上，形成一層介電層，以填滿導電層之間的空隙。
简体摘要：一种介电层的制造方法，在提供的半导体基底上形成并定义导电层，在定义过的导电层的侧壁形成间隙壁。以未加偏压、未冷却的高密度等离子形成一层衬层，覆盖半导体基底、导电层以及间隙壁。接着，利用高密度等离子化学气相沉积法在衬层上，形成一层介电层，以填满导电层之间的空隙。

87. 发明专利

TW393381B 化學機械研磨裝置失效
简体标题：化学机械研磨设备
公开(公告)号：TW393381B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW088108618
申请日：1999-05-26
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：楊名聲 , 陳學忠 , 林滄榮 , 吳俊元
IPC分类号： B24B
摘要：一種化學機械研磨裝置，具有用以供給研漿的研漿供給裝置，用以承接研漿的研磨墊，用以控制晶圓的旋轉與升降，使晶圓得以與研磨墊及研漿接觸而進行研磨的研磨頭，以及，用以固定晶圓的晶片護圈。其中，在晶片護圈上有一個光發射裝置，會對研漿發射感應光，以及一個感光裝置，用以接收通過研漿的感應光，以判定研磨終點是否到達。
简体摘要：一种化学机械研磨设备，具有用以供给研浆的研浆供给设备，用以承接研浆的研磨垫，用以控制晶圆的旋转与升降，使晶圆得以与研磨垫及研浆接触而进行研磨的研磨头，以及，用以固定晶圆的芯片护圈。其中，在芯片护圈上有一个光发射设备，会对研浆发射感应光，以及一个感光设备，用以接收通过研浆的感应光，以判定研磨终点是否到达。

88. 发明专利

TW379407B 利用反轉罩幕製作渠溝隔離的結構與方法失效
简体标题：利用反转罩幕制作渠沟隔离的结构与方法
公开(公告)号：TW379407B
公开(公告)日：2000-01-11
申请号：TW087107201
申请日：1998-05-11
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳進來 , 吳俊元 , 盧火鐵
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76229
摘要：一種利用反轉罩幕製作渠溝隔離的結構與方法，對於具階梯覆蓋性較佳之絕緣物沈積，如常壓化學氣相沈積（AP-CVD）或次常壓化學氣相沈積（SA-CVD）形成之絕緣層，於較小渠溝上有較平坦表面，因此定義第一渠溝與第二渠溝的半導體基底，第一渠溝的寬度小於一固定寬度，而第二渠溝的寬度則大於此固定寬度，固定寬度例如約0.7μｍ。然後，在半導體基底上沈積絕緣層，並在絕緣層上形成反轉罩幕，使得反轉罩幕選擇性地覆蓋於絕緣層上，例如在第二渠溝上方覆蓋有反轉罩幕，而第一渠溝上方未覆蓋有反轉罩幕。然後，以反轉罩幕為罩幕，蝕刻絕緣層，留下反轉罩幕下之絕緣層。再去除反轉罩幕，並研磨突出於半導體基底的絕緣層。
简体摘要：一种利用反转罩幕制作渠沟隔离的结构与方法，对于具阶梯覆盖性较佳之绝缘物沉积，如常压化学气相沉积（AP-CVD）或次常压化学气相沉积（SA-CVD）形成之绝缘层，于较小渠沟上有较平坦表面，因此定义第一渠沟与第二渠沟的半导体基底，第一渠沟的宽度小于一固定宽度，而第二渠沟的宽度则大于此固定宽度，固定宽度例如约0.7μｍ。然后，在半导体基底上沉积绝缘层，并在绝缘层上形成反转罩幕，使得反转罩幕选择性地覆盖于绝缘层上，例如在第二渠沟上方覆盖有反转罩幕，而第一渠沟上方未覆盖有反转罩幕。然后，以反转罩幕为罩幕，蚀刻绝缘层，留下反转罩幕下之绝缘层。再去除反转罩幕，并研磨突出于半导体基底的绝缘层。

89. 发明专利

TW379406B 淺溝渠隔離法失效
简体标题：浅沟渠隔离法
公开(公告)号：TW379406B
公开(公告)日：2000-01-11
申请号：TW087106429
申请日：1998-04-27
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林建廷 , 葉文冠 , 吳俊元
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76229
摘要：一種淺溝渠隔離法，係在所提供的一基底中蝕刻出一溝渠之後，以高密度電漿沈積的方式沈積一層氧化層，使其將溝渠填滿。其厚度高於墊氧化層之上緣、但低於氮化矽層之上緣。然後，再於氧化層上沈積一層高硬度的終止層。由於以高密度電漿沈積的方式所形成之氧化層具有稜角分明的特點，再加上氮化矽的硬度較高於氧化物的特性，故而在以化學機械研磨氧化層的過程中，會先研磨去除氧化層中突起的稜角，而形成於較低窪處（溝渠上）之氧化層則有硬度較高且厚度較厚的氮化矽層保護，因而，可以防止填充溝渠之氧化物產生凹陷的現象，並且可獲得較佳之均勻度並避免刮痕的形成。
简体摘要：一种浅沟渠隔离法，系在所提供的一基底中蚀刻出一沟渠之后，以高密度等离子沉积的方式沉积一层氧化层，使其将沟渠填满。其厚度高于垫氧化层之上缘、但低于氮化硅层之上缘。然后，再于氧化层上沉积一层高硬度的终止层。由于以高密度等离子沉积的方式所形成之氧化层具有棱角分明的特点，再加上氮化硅的硬度较高于氧化物的特性，故而在以化学机械研磨氧化层的过程中，会先研磨去除氧化层中突起的棱角，而形成于较低洼处（沟渠上）之氧化层则有硬度较高且厚度较厚的氮化硅层保护，因而，可以防止填充沟渠之氧化物产生凹陷的现象，并且可获得较佳之均匀度并避免刮痕的形成。

90. 发明专利

TW379165B 化學機械研磨之方法有权
简体标题：化学机械研磨之方法
公开(公告)号：TW379165B
公开(公告)日：2000-01-11
申请号：TW088100116
申请日：1999-01-06
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：楊名聲 , 陳坤建 , 吳俊元 , 盧火鐵
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：一種化學機械研磨的方法。其中，在金屬填入介電質層中的開口之後，提供一研磨液，進行一化學機械研磨之主研磨步驟，並停止於介電質表面上，一阻障/粘著層的表面。接著，停止提供研磨液，取而代之地，使用一去離子化水，進行過研磨步驟，直到介質層表面上之阻障/粘著層去除為止。
简体摘要：一种化学机械研磨的方法。其中，在金属填入介电质层中的开口之后，提供一研磨液，进行一化学机械研磨之主研磨步骤，并停止于介电质表面上，一阻障/粘着层的表面。接着，停止提供研磨液，取而代之地，使用一去离子化水，进行过研磨步骤，直到介质层表面上之阻障/粘着层去除为止。

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