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81. 发明专利

TW200918952A 固態可調式微光學裝置及方法 SOLID TUNABLE MICRO OPTICAL DEVICE AND METHOD 审中-公开
简体标题：固态可调式微光学设备及方法 SOLID TUNABLE MICRO OPTICAL DEVICE AND METHOD
公开(公告)号：TW200918952A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW096146626
申请日：2007-12-06
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：方維倫 FANG, WEILEUN , 李思源 LEE, SZ YUAN , 童璽文 TUNG, HSI WEN , 陳文誌 CHEN, WEN CHIH
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B26/0866
摘要：本案係指一種固態可調式微光學裝置,其包含具有一外框和一內框的一第一環,包含一圓弧表面且設置於該第一環上的一微透鏡,以及耦接於該第一環以變形該微透鏡的一變形裝置,其中,該外框和該內框至少其中之一非圓形。
简体摘要：本案系指一种固态可调式微光学设备,其包含具有一外框和一内框的一第一环,包含一圆弧表面且设置于该第一环上的一微透镜,以及耦接于该第一环以变形该微透镜的一变形设备,其中,该外框和该内框至少其中之一非圆形。

82. 发明专利

TW200910714A 電光晶體布拉格折射器及以其作為雷射Q調制器的方法 ELECTRO-OPTIC BRAGG DEFLECTOR AND METHOD OF USING IT AS LASER Q-SWITCH 审中-公开
简体标题：电光晶体布拉格折射器及以其作为激光Q调制器的方法 ELECTRO-OPTIC BRAGG DEFLECTOR AND METHOD OF USING IT AS LASER Q-SWITCH
公开(公告)号：TW200910714A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096132147
申请日：2007-08-29
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：蔣安忠 CHIANG, AN CHUNG , 林碩泰 LIN, SHOU TAI , 黃衍介 HUANG, YEN CHIEH , 林彥穎 LIN, YEN YIN , 張癸五 CHANG, GUEY WU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S3/115 , G02F1/292 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2201/305 , H01S3/0602 , H01S3/09415 , H01S3/108 , H01S3/1083 , H01S3/109 , H01S3/1673
摘要：本發明係關於一種週期性晶格極性方向反轉電光晶體布拉格折射器又可以簡稱為週期性極化反轉電光晶體布拉格折射器,其主要原理利用一週期性極化反轉晶體優越的電光效應:當施加一直流或交流電場於此一晶體上時,可於此晶體內產生週期性的折射率變化,而此一具有折射率變化的電光晶體,可以當成一布拉格折射器。本案另有關於一種週期性極化反轉電光晶體布拉格折射器,其可作為一雷射共振腔Q値調制器,用以架設一主動式電光Q調制雷射,施加特定調變電場於該週期性極化反轉晶體,讓雷射光被布拉格折射器折射,使得雷射共振腔於低損耗與高損耗兩種狀態中相互交換,達成雷射Q調制,形成一雷射脈衝。
简体摘要：本发明系关于一种周期性晶格极性方向反转电光晶体布拉格折射器又可以简称为周期性极化反转电光晶体布拉格折射器,其主要原理利用一周期性极化反转晶体优越的电光效应:当施加一直流或交流电场于此一晶体上时,可于此晶体内产生周期性的折射率变化,而此一具有折射率变化的电光晶体,可以当成一布拉格折射器。本案另有关于一种周期性极化反转电光晶体布拉格折射器,其可作为一激光共振腔Q値调制器,用以架设一主动式电光Q调制激光,施加特定调制电场于该周期性极化反转晶体,让激光光被布拉格折射器折射,使得激光共振腔于低损耗与高损耗两种状态中相互交换,达成激光Q调制,形成一激光脉冲。

83. 发明专利

TW200903536A 具交互耦合膜之電感元件 INDUCTOR WITH EXCHANGE-COUPLING FILM 审中-公开
简体标题：具交互耦合膜之电感组件 INDUCTOR WITH EXCHANGE-COUPLING FILM
公开(公告)号：TW200903536A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW096124105
申请日：2007-07-03
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：賴志煌 LAI, CHIH HUANG , 江若帆 JIANG, RUO FAN , 萊思慕夏恩 NAZMUN NAHAR SHAMS , 蔣肇謙 CHIANG, CHAO CHIEN
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F17/0006 , B82Y25/00 , H01F3/10 , H01F10/3218 , H01F17/04 , H01F41/046 , H01F2017/0066
摘要：本發明提供一種具交互耦合膜之電感元件,包含:一基材、一形成於該基材上的絕緣膜、一埋於該絕緣膜內的螺旋狀導體,及至少一交互耦合膜。該交互耦合膜是疊置於該絕緣膜,或夾置於該基材與絕緣膜之間。
简体摘要：本发明提供一种具交互耦合膜之电感组件,包含:一基材、一形成于该基材上的绝缘膜、一埋于该绝缘膜内的螺旋状导体,及至少一交互耦合膜。该交互耦合膜是叠置于该绝缘膜,或夹置于该基材与绝缘膜之间。

84. 发明专利

TWI304394B 磁感應元件及其製程、驅動架構以及驅動方法 MAGNETIC ELEMENT AND MANUFACTURING PROCESS, DRIVING STRUCTURE AND DRIVING METHOD THEREFOR 有权
简体标题：磁感应组件及其制程、驱动架构以及驱动方法 MAGNETIC ELEMENT AND MANUFACTURING PROCESS, DRIVING STRUCTURE AND DRIVING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TWI304394B
公开(公告)日：2008-12-21
申请号：TW095124215
申请日：2006-07-03
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：楊學安 YANG, HUSEH-AN , 方維倫 FANG, WEILEUN , 湯宗霖 TANG, TSUNG-LIN
IPC分类号： B81C , B81B , G02B
CPC分类号： G02B26/085
摘要：本案涉及一種磁感應元件及其製程、驅動架構以及驅動方法,其中該驅動方法,包含步驟:a)將該磁感應元件置於一第一磁場中;b)提供一磁場產生裝置,其中該磁感應元件位於該磁場產生裝置所產生一第二磁場中;以及c)藉由調控該磁場產生裝置所產生的該第二磁場以使該磁感應元件產生一感應電流,其中,因為該感應電流與該永久磁場間會產生一勞倫茲力而驅動該磁感應元件。
简体摘要：本案涉及一种磁感应组件及其制程、驱动架构以及驱动方法,其中该驱动方法,包含步骤:a)将该磁感应组件置于一第一磁场中;b)提供一磁场产生设备,其中该磁感应组件位于该磁场产生设备所产生一第二磁场中;以及c)借由调控该磁场产生设备所产生的该第二磁场以使该磁感应组件产生一感应电流,其中,因为该感应电流与该永久磁场间会产生一劳伦兹力而驱动该磁感应组件。

85. 发明专利

TWI303677B 形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法及其製品有权
简体标题：形成金氧半晶体管组件用之基板的制作方法及其制品
公开(公告)号：TWI303677B
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW094141332
申请日：2005-11-24
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：郭瑞年 KWO, RAY NIEN , 洪銘輝 HONG, MING HWEI , 李威縉 , 張翔筆 , 吳彥達 , 李昆育 , 李毅君
IPC分类号： C30B
CPC分类号： H01L21/28194 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/02269 , H01L21/0228 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：本發明提供一種形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法,包含下列步驟:(A)在一壓力為1�10-6Torr以下之減壓環境中提供一完成表面重建之基底及一固態金屬氧化物源,其中,該固態金屬氧化物源是選自於下列所構成之群組:氧化鉿、氧化鋁、氧化鈧、氧化釔、氧化鈦、氧化鎵釓及稀土族金屬氧化物:及(B)氣化該固態金屬氧化物源,致使該固態金屬氧化物源呈相互鍵結的金屬氧化物分子束,並在一低於該固態金屬氧化物源之再結晶溫度的工作溫度下,於該基底上沉積一呈非晶態的第一金屬氧化物膜,進而製得一形成金氧半電晶體元件用之基板。
简体摘要：本发明提供一种形成金氧半晶体管组件用之基板的制作方法,包含下列步骤:(A)在一压力为1�10-6Torr以下之减压环境中提供一完成表面重建之基底及一固态金属氧化物源,其中,该固态金属氧化物源是选自于下列所构成之群组:氧化铪、氧化铝、氧化钪、氧化钇、氧化钛、氧化镓钆及稀土族金属氧化物:及(B)气化该固态金属氧化物源,致使该固态金属氧化物源呈相互键结的金属氧化物分子束,并在一低于该固态金属氧化物源之再结晶温度的工作温度下,于该基底上沉积一呈非晶态的第一金属氧化物膜,进而制得一形成金氧半晶体管组件用之基板。

86. 发明专利

TW200844911A 動態緊急指示裝置、方法及系統审中-公开
简体标题：动态紧急指示设备、方法及系统
公开(公告)号：TW200844911A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096116082
申请日：2007-05-07
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：洪簡廷州 CHIEN, TING CHOU , 潘孟鉉 PAN, MENG SHIUAN , 蔡佳宏 TSAI, CHIA HUNG , 曾煜棋 TSENG, YU CHEE
IPC分类号： G08B , G08C
摘要：本發明以無線感測網路為基礎,製作一個能動態改變指示方向的逃生指示裝置,本裝置可以偵測事件發生地點,動態導引人員遠離危險區域,由較安全的出口離開,保障人員安全。本發明之緊急指示裝置具備感測器、無線網路收發器、中央處理器及指示器,其特徵為:感測器,用以偵測各種特殊狀態,並將特殊狀態信號傳送至該中央處理器;無線網路收發器,連接於該中央處理器,用以透過無線網路而使各個緊急指示裝置相互溝通;中央處理器,接收來自該感測器之特殊狀態信號並利用該無線網路收發器將該特殊狀態信號送至其他緊急指示裝置,藉以計算逃生路徑,並輸出指示信號至指示器;以及指示器,接收來自該中央處理器的指示信號,並顯示出逃生路徑。
简体摘要：本发明以无线传感网络为基础,制作一个能动态改变指示方向的逃生指示设备,本设备可以侦测事件发生地点,动态导引人员远离危险区域,由较安全的出口离开,保障人员安全。本发明之紧急指示设备具备传感器、无线网络收发器、中央处理器及指示器,其特征为:传感器,用以侦测各种特殊状态,并将特殊状态信号发送至该中央处理器;无线网络收发器,连接于该中央处理器,用以透过无线网络而使各个紧急指示设备相互沟通;中央处理器,接收来自该传感器之特殊状态信号并利用该无线网络收发器将该特殊状态信号送至其他紧急指示设备,借以计算逃生路径,并输出指示信号至指示器;以及指示器,接收来自该中央处理器的指示信号,并显示出逃生路径。

87. 发明专利

TW200844437A 可攜式光學檢測晶片及其製造方法 PORTABLE OPTICAL DETECTION CHIP AND MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题：可携式光学检测芯片及其制造方法 PORTABLE OPTICAL DETECTION CHIP AND MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW200844437A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096115534
申请日：2007-05-02
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：曾繁根 TSENG, FAN GANG , 洪國永 HUNG, KUOYUNG
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： H01L31/107 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L31/02327
摘要：本發明係提供一種可攜式光學檢測晶片,其係包含一基材、複數個雪崩型感光元件模組及複數個平面鏡。該複數個雪崩型感光元件模組係設於該基材上,各該模組包含複數個雪崩型感光元件及複數個透鏡,又各該透鏡係疊置於一該雪崩型感光元件上。該複數個平面鏡係設於各該模組之間,並將各該模組相互分隔開來。
简体摘要：本发明系提供一种可携式光学检测芯片,其系包含一基材、复数个雪崩型感光组件模块及复数个平面镜。该复数个雪崩型感光组件模块系设于该基材上,各该模块包含复数个雪崩型感光组件及复数个透镜,又各该透镜系叠置于一该雪崩型感光组件上。该复数个平面镜系设于各该模块之间,并将各该模块相互分隔开来。

88. 发明专利

TW200842715A 最佳化嵌入式處理器之多集合內容切換之方法 METHOD OF OPTIMIZING MULTI-SET CONTEXT SWITCH FOR EMBEDDED PROCESSORS 审中-公开
简体标题：最优化嵌入式处理器之多集合内容切换之方法 METHOD OF OPTIMIZING MULTI-SET CONTEXT SWITCH FOR EMBEDDED PROCESSORS
公开(公告)号：TW200842715A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096131014
申请日：2007-08-22
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING-HUA UNIVERSITY
发明人：李政崑 LEE, JENQ KUEN , 謝坤員 HSIEH, KUN YUAN , 林永嘉 LIN, YUNG CHIA
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F9/3012 , G06F9/30123 , G06F9/462
摘要：本發明係關於一種最佳化嵌入式處理器之多集合內容切換的方法,該方法包括以下步驟:基於與複數個暫存器之每一者之一使用頻率相關聯的一有效範圍相關內容切換程序將複數個暫存器分割成複數個暫存器組;根據一當前任務之有效集合資訊來儲存第一目標暫存器之內容,其中該等第一目標暫存器選自該等暫存器組;由一作業系統確定下一任務且根據該下一任務更新該有效集合資訊;及根據該經更新的有效集合資訊來恢復第二目標暫存器之內容,其中該等第二目標暫存器選自該等暫存器組。
简体摘要：本发明系关于一种最优化嵌入式处理器之多集合内容切换的方法,该方法包括以下步骤:基于与复数个寄存器之每一者之一使用频率相关联的一有效范围相关内容切换进程将复数个寄存器分割成复数个寄存器组;根据一当前任务之有效集合信息来存储第一目标寄存器之内容,其中该等第一目标寄存器选自该等寄存器组;由一操作系统确定下一任务且根据该下一任务更新该有效集合信息;及根据该经更新的有效集合信息来恢复第二目标寄存器之内容,其中该等第二目标寄存器选自该等寄存器组。

89. 发明专利

TW200841609A 上下文之調適性二進制算術解碼器之解碼方法 CABAC DECODING METHOD 审中-公开
简体标题：上下文之调适性二进制算术译码器之译码方法 CABAC DECODING METHOD
公开(公告)号：TW200841609A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW096111738
申请日：2007-04-03
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：陳建文 CHEN, JIAN WEN , 林永隆 LIN, YOUN LONG
IPC分类号： H03M
CPC分类号： H03M7/4006 , H04N19/44 , H04N19/46 , H04N19/61 , H04N19/91
摘要：本發明提出一種CABAC之解碼方法,其中該CABAC解碼器之算術引擎於一時脈循環中進行至少兩次係數之算術解碼或同時進行上下文讀取。於一時脈循環中進行二次係數之算術解碼包含下列步驟:(1)提供一視訊區塊,其中包含顯著旗標、最後顯著旗標、係數及其相對應的上下文(Context)(2)依序解出對應非零係數之顯著旗標及最後顯著旗標;以及(3)進行該非零之係數解碼,用以對該係數解出一般二進位碼(regular bin)及旁路二進位碼(bypass bin),其中該係數解碼之每一時脈循環中進行二次。
简体摘要：本发明提出一种CABAC之译码方法,其中该CABAC译码器之算术发动机于一时脉循环中进行至少两次系数之算术译码或同时进行上下文读取。于一时脉循环中进行二次系数之算术译码包含下列步骤:(1)提供一视频区块,其中包含显着旗标、最后显着旗标、系数及其相对应的上下文(Context)(2)依序解出对应非零系数之显着旗标及最后显着旗标;以及(3)进行该非零之系数译码,用以对该系数解出一般二进制码(regular bin)及旁路二进制码(bypass bin),其中该系数译码之每一时脉循环中进行二次。

90. 发明专利

TW200841467A 低起始電壓之互補式金氧半場效電晶體 CMOSFET WITH LOW THRESHOLD VOLTAGE 审中-公开
简体标题：低起始电压之互补式金氧半场效应管 CMOSFET WITH LOW THRESHOLD VOLTAGE
公开(公告)号：TW200841467A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW096113021
申请日：2007-04-13
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：荊鳳德 CHIN, FENG DER , 吳建宏 WU, CHIEN HUNG , 王水進 WANG, SHUI JINN , 黃惠良 HWANG, HUEY LIANG
IPC分类号： H01L
摘要：一種低起始電壓之互補式金氧半場效電晶體,包含:一具有一p型半導體區、一n型半導體區及一分隔半導體區的電性絕緣區之半導體基板、一覆蓋半導體基板並含Hf100-t-u-vLatOuNv非晶組成的閘極介電膜、一含有Ir3-xSix之化合物的p型閘極膜,及一含有Ta1-yNy之化合物的n型閘極膜。每半導體區具有相隔設置的源極及汲極。p型閘極膜與n型半導體區對應並疊置於閘極介電膜且實質不與其源極及汲極重疊設置。n型閘極膜與p型半導體區對應並疊置於閘極介電膜且實質不與其源極及汲極重疊設置。0.1≦x≦1.0;0.1≦y≦0.5;9≦t≦12;73≦u≦77;0
简体摘要：一种低起始电压之互补式金氧半场效应管,包含:一具有一p型半导体区、一n型半导体区及一分隔半导体区的电性绝缘区之半导体基板、一覆盖半导体基板并含Hf100-t-u-vLatOuNv非晶组成的闸极介电膜、一含有Ir3-xSix之化合物的p型闸极膜,及一含有Ta1-yNy之化合物的n型闸极膜。每半导体区具有相隔设置的源极及汲极。p型闸极膜与n型半导体区对应并叠置于闸极介电膜且实质不与其源极及汲极重叠设置。n型闸极膜与p型半导体区对应并叠置于闸极介电膜且实质不与其源极及汲极重叠设置。0.1≦x≦1.0;0.1≦y≦0.5;9≦t≦12;73≦u≦77;0<v≦10。

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