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71. 发明专利

TW201911554A 具有增強近紅外量子效率及調變轉移功能之互補式金氧半導體影像感測器审中-公开
简体标题：具有增强近红外量子效率及调制转移功能之互补式金属氧化物半导体影像传感器
公开(公告)号：TW201911554A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107117242
申请日：2018-05-21
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：趙誠 , ZHAO, CHENG , 楊存宇 , YANG, CUNYU , 陸震偉 , LU, CHEN-WEI , 林志強 , LIN, ZHIQIANG
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/33 , H04N5/335 , H04N5/3745
摘要：本發明揭示一種影像感測器，其包括：一半導體材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光電二極體，其形成於該半導體材料中，自該受照表面延伸以接收穿過該受照表面之一入射光，其中該接收入射光在該光電二極體中產生電荷；一轉移閘極，其電耦合至該光電二極體以回應於一轉移信號而自該光電二極體轉移該等產生電荷；一浮動擴散區，其電耦合至該轉移閘極以接收自該光電二極體轉移之該等電荷；及一近紅外(NIR)量子效率(QE)及調變轉移功能(MTF)增強結構。該NIR QE及MTF增強結構包括：一NIR QE增強子結構，其在該光電二極體之一光敏區域內包括至少一NIR QE增強元件，其中該NIR QE增強子結構經組態以藉由繞射、偏轉及反射之至少一者來修改該半導體材料之該受照表面處之該入射光以重新分佈該光電二極體內之該入射光以提高該影像感測器之光學敏感度(其包含NIR光敏感度)；及一MTF增強子結構，其面向該NIR QE增強子結構安置於該半導體材料之該非受照表面上，其中該MTF增強結構具有對應於該NIR QE增強子結構之一幾何形狀以確保該入射光在重新分佈之後仍在該光電二極體內。
简体摘要：本发明揭示一种影像传感器，其包括：一半导体材料，其具有一受照表面及一非受照表面；一光电二极管，其形成于该半导体材料中，自该受照表面延伸以接收穿过该受照表面之一入射光，其中该接收入射光在该光电二极管中产生电荷；一转移闸极，其电耦合至该光电二极管以回应于一转移信号而自该光电二极管转移该等产生电荷；一浮动扩散区，其电耦合至该转移闸极以接收自该光电二极管转移之该等电荷；及一近红外(NIR)量子效率(QE)及调制转移功能(MTF)增强结构。该NIR QE及MTF增强结构包括：一NIR QE增强子结构，其在该光电二极管之一光敏区域内包括至少一NIR QE增强组件，其中该NIR QE增强子结构经组态以借由绕射、偏转及反射之至少一者来修改该半导体材料之该受照表面处之该入射光以重新分布该光电二极管内之该入射光以提高该影像传感器之光学敏感度(其包含NIR光敏感度)；及一MTF增强子结构，其面向该NIR QE增强子结构安置于该半导体材料之该非受照表面上，其中该MTF增强结构具有对应于该NIR QE增强子结构之一几何形状以确保该入射光在重新分布之后仍在该光电二极管内。

72. 发明专利

TWI650951B ＡＤ變換裝置及攝像裝置有权
简体标题：ＡＤ变换设备及摄像设备
公开(公告)号：TWI650951B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW107103155
申请日：2018-01-30
申请人：美商科點半導體有限公司 , TECHPOINT, INC.
发明人：笠井弦 , KASAI, GEN
IPC分类号： H03M1/12 , H03K23/00 , H04N5/3745

73. 发明专利

TW201832549A 用於水平雜訊消減之隨機取樣审中-公开
简体标题：用于水平噪声消减之随机采样
公开(公告)号：TW201832549A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106145188
申请日：2017-12-22
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：喬韓森羅伯 , JOHANSSON, ROBERT
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/3745
摘要：一種進行用於水平雜訊消減之隨機取樣之實例性設備包含經耦合以自一像素陣列接收影像資料之讀出電路，讀出電路包含耦合至複數個位元線中之各別者以回應於複數個取樣與保持(S&H)控制信號而對影像資料進行取樣與保持之複數個S&H電路，複數個S&H電路中之每一者包含一S&H電容器及一S&H開關。S&H電容器對各別影像資料進行取樣與保持，且S&H開關耦合於一各別位元線與各別S&H電容器之間，且進一步經耦合以接收複數個S&H控制信號中之一各別者以斷開/閉合S&H開關，其中複數個S&H開關中之每一者在一不同時間被斷開以將其各別S&H電容器與各別位元線解耦。
简体摘要：一种进行用于水平噪声消减之随机采样之实例性设备包含经耦合以自一像素数组接收影像数据之读出电路，读出电路包含耦合至复数个比特线中之各别者以回应于复数个采样与保持(S&H)控制信号而对影像数据进行采样与保持之复数个S&H电路，复数个S&H电路中之每一者包含一S&H电容器及一S&H开关。S&H电容器对各别影像数据进行采样与保持，且S&H开关耦合于一各别比特线与各别S&H电容器之间，且进一步经耦合以接收复数个S&H控制信号中之一各别者以断开/闭合S&H开关，其中复数个S&H开关中之每一者在一不同时间被断开以将其各别S&H电容器与各别比特线解耦。

74. 发明专利

TWI627864B 在影像感測器中具有斜面產生器隔離之水平條帶減少有权
简体标题：在影像传感器中具有斜面产生器隔离之水平条带减少
公开(公告)号：TWI627864B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW106108826
申请日：2017-03-17
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：鄧黎平 , DENG, LIPING , 瞿旻 , QU, MIN , 袁碧 , YUAN, BI , 林盈侃 , LIN, YINGKAN
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3745

75. 实用新型

TWM556048U 具最適化監視影像之運輸載具的監控系統有权
简体标题：具最适化监视影像之运输载具的监控系统
公开(公告)号：TWM556048U
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW106216476
申请日：2017-11-06
申请人：上宸科技開發有限公司 , SHANG CHEN TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO., LTD.
发明人：黃建勝 , HUANG, CHIEN-SHEN
IPC分类号： H04N5/3745 , B60R1/00

76. 发明专利

TWI615033B 彩色濾光片陣列、影像感測器及用以減少光譜串擾之方法有权
简体标题：彩色滤光片数组、影像传感器及用以减少光谱串扰之方法
公开(公告)号：TWI615033B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105135134
申请日：2015-08-20
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陸震偉 , LU, CHEN WEI , 李津 , LI, JIN , 錢胤 , QIAN, YIN , 戴戴森H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , G02B5/20
CPC分类号： H04N9/045 , G02B5/201 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H04N5/357 , H04N5/378

77. 发明专利

TW201801521A 用於高速下降低取樣的CMOS影像感測器讀出的系統及方法审中-公开
简体标题：用于高速下降低采样的CMOS影像传感器读出的系统及方法
公开(公告)号：TW201801521A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105135352
申请日：2016-11-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：趙亦平 , CHAO, CALVIN YI-PING , 葉尚府 , YEH, SHANG-FU , 張秦豪 , CHANG, CHIN-HAO , 李其霖 , LEE, CHIH-LIN , 周國煜 , CHOU, KUO-YU , 黃喬逸 , HUANG, CHIAO-YI
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/37455 , H04N5/3456 , H04N5/378
摘要：一種將來自CMOS (互補金屬氧化物半導體)影像感測器CIS中之單個行之複數個像素路由至複數個行類比/數位轉換器ADC之系統及方法。該CIS包括具有複數個列及複數個行之一像素元件陣列。複數個行輸出信號路徑耦接至該像素元件陣列之該複數個行中之每一者。行路由矩陣耦接至用於該複數個行中之每一者之複數個行輸出信號路徑中之每一者。複數個類比/數位轉換器ADC耦接至該行路由矩陣。該行路由矩陣經組態以在降低取樣讀取操作期間，將至少一個行輸出信號路徑路由至該複數個ADC中之每一者。
简体摘要：一种将来自CMOS (互补金属氧化物半导体)影像传感器CIS中之单个行之复数个像素路由至复数个行模拟/数码转换器ADC之系统及方法。该CIS包括具有复数个列及复数个行之一像素组件数组。复数个行输出信号路径耦接至该像素组件数组之该复数个行中之每一者。行路由矩阵耦接至用于该复数个行中之每一者之复数个行输出信号路径中之每一者。复数个模拟/数码转换器ADC耦接至该行路由矩阵。该行路由矩阵经组态以在降低采样读取操作期间，将至少一个行输出信号路径路由至该复数个ADC中之每一者。

78. 发明专利

TWI596944B 具有增強量子效率的影像感測器有权
简体标题：具有增强量子效率的影像传感器
公开(公告)号：TWI596944B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105102377
申请日：2016-01-26
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 麥西堤多明尼克 , MASSETTI, DOMINIC , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH WEI , 庫瑪亞文 , KUMAR, ARVIND , 鄭源偉 , ZHENG, YUANWEI , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴戴森H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H04N5/37457

79. 发明专利

TW201725739A 光電轉換元件及光電轉換模組审中-公开
简体标题：光电转换组件及光电转换模块
公开(公告)号：TW201725739A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105141778
申请日：2016-12-16
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山本晃永 , YAMAMOTO, KOEI , 中村重幸 , NAKAMURA, SHIGEYUKI , 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 里健一 , SATO, KENICHI
IPC分类号： H01L31/02 , H01L27/146 , H04N1/028 , H04N5/3745
CPC分类号： G01J1/02 , G01J1/42 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107
摘要：本發明係一種光電轉換元件，其具備：複數個像素，其等形成於共通之半導體基板，且各自包含雪崩光電二極體；第1配線，其形成於上述半導體基板上，與上述複數個像素中所含之二以上之第1像素電性連接，且將來自二以上之第1像素之輸出電流一併提取；第2配線，其形成於上述半導體基板上，與上述複數個像素中所含之二以上之第2像素電性連接，且將來自上述二以上之第2像素之輸出電流一併提取；且上述第1像素之受光面積大於上述第2像素之受光面積。
简体摘要：本发明系一种光电转换组件，其具备：复数个像素，其等形成于共通之半导体基板，且各自包含雪崩光电二极管；第1配线，其形成于上述半导体基板上，与上述复数个像素中所含之二以上之第1像素电性连接，且将来自二以上之第1像素之输出电流一并提取；第2配线，其形成于上述半导体基板上，与上述复数个像素中所含之二以上之第2像素电性连接，且将来自上述二以上之第2像素之输出电流一并提取；且上述第1像素之受光面积大于上述第2像素之受光面积。

80. 发明专利

TWI574514B 用於實施延伸範圍近似類比數位轉換器之方法及系統有权
简体标题：用于实施延伸范围近似模拟数码转换器之方法及系统
公开(公告)号：TWI574514B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW105102376
申请日：2016-01-26
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：米克爾森辛卓 , MIKKELSEN, SINDRE , 馬堤奈森托爾 , MARTINUSSEN, TORE
IPC分类号： H03M1/46 , H03M1/18 , H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N9/04
CPC分类号： H04N9/045 , H03M1/1295 , H03M1/468 , H04N5/37455 , H04N5/378

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