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    • 71. 发明专利
    • 熱發射電子器件 THERMIONIC EMISSION DEVICE
    • 热发射电子器件 THERMIONIC EMISSION DEVICE
    • TW200935485A
    • 2009-08-16
    • TW097105425
    • 2008-02-15
    • 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
    • 柳鵬 LIU, PENG劉亮 LIU, LIANG姜開利 JIANG, KAI-LI范守善 FAN, SHOU-SHAN
    • H01J
    • 本發明涉及一種熱發射電子器件,其包括:一絕緣基底,該絕緣基底具有複數個等大且等間隔設置的凹槽;複數個行電極引線與列電極引線分別平行且等間隔設置於絕緣基底上,該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交叉設置,每兩個相鄰的行電極引線與每兩個相鄰的列電極引線形成一個網格,且行電極引線與列電極引線之間電絕緣;複數個熱電子發射單元,每個熱電子發射單元包括一第一電極、一第二電極和一熱電子發射體,該第一電極與第二電極間隔設置於所述的每個網格中,並分別與所述行電極引線和列電極引線電連接,所述熱電子發射體與所述第一電極和第二電極電連接。其中,所述絕緣基底的每個凹槽分別對應於所述每個網格設置。
    • 本发明涉及一种热发射电子器件,其包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有复数个等大且等间隔设置的凹槽;复数个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上,该复数个行电极引线与复数个列电极引线相互交叉设置,每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格,且行电极引线与列电极引线之间电绝缘;复数个热电子发射单元,每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体,该第一电极与第二电极间隔设置于所述的每个网格中,并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接,所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接。其中,所述绝缘基底的每个凹槽分别对应于所述每个网格设置。
    • 73. 发明专利
    • 矽線之製備方法 METHOD FOR MAKING SILICON WIRE
    • 硅线之制备方法 METHOD FOR MAKING SILICON WIRE
    • TWI311545B
    • 2009-07-01
    • TW095101548
    • 2006-01-16
    • 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
    • 姚湲 YAO YUAN徐立國 XU, LI-GUO范守善 FAN, SHOU-SHAN
    • C01BH01L
    • 本發明提供一種矽線之製備方法,其藉由銅作為催化劑製備矽線,該方法包括以下步驟:提供一基底;於基底上引入銅作為催化劑;以及將帶有銅催化劑之基底置於高溫反應爐中並充入反應氣體及惰性保護氣體一併加熱以生成矽線。藉由銅催化劑生長矽線,製備過程中所需之反應溫度較低,製備原料及反應設備均採用半導體工廠之標準配置且銅材料的價格較低,故而製備成本較低。另,高性能之半導體器件中部分結構由銅材料製成,引入銅催化劑製備矽線對半導體器件污染較小因而可廣泛應用於光學、電子等半導體領域。
    • 本发明提供一种硅线之制备方法,其借由铜作为催化剂制备硅线,该方法包括以下步骤:提供一基底;于基底上引入铜作为催化剂;以及将带有铜催化剂之基底置于高温反应炉中并充入反应气体及惰性保护气体一并加热以生成硅线。借由铜催化剂生长硅线,制备过程中所需之反应温度较低,制备原料及反应设备均采用半导体工厂之标准配置且铜材料的价格较低,故而制备成本较低。另,高性能之半导体器件中部分结构由铜材料制成,引入铜催化剂制备硅线对半导体器件污染较小因而可广泛应用于光学、电子等半导体领域。
    • 76. 发明专利
    • 場發射電子器件 FIELD EMISSION ELECTRON DEVICE
    • 场发射电子器件 FIELD EMISSION ELECTRON DEVICE
    • TW200929322A
    • 2009-07-01
    • TW096150083
    • 2007-12-26
    • 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
    • 柳鵬 LIU, PENG劉亮 LIU, LIANG姜開利 JIANG, KAI-LI范守善 FAN, SHOU-SHAN
    • H01J
    • 一種場發射電子器件,其包括:一絕緣基底;多個行電極引線與列電極引線分別平行且等間隔設置於絕緣基底上,該多個行電極引線與多個列電極引線相互交叉設置,每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網格;多個電子發射單元,每個電子發射單元對應一個網格設置,每個電子發射單元進一步包括間隔設置的一陰極電極與一陽極電極,且該陰極電極和陽極電極分別與上述行電極引線與列電極引線電連接,以及一陰極發射體,該陰極發射體一端與陰極電極電連接;其中,所述陰極發射體的另一端與陽極電極間隔設置。
    • 一种场发射电子器件,其包括:一绝缘基底;多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上,该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置,每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一个网格;多个电子发射单元,每个电子发射单元对应一个网格设置,每个电子发射单元进一步包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极,且该阴极电极和阳极电极分别与上述行电极引线与列电极引线电连接,以及一阴极发射体,该阴极发射体一端与阴极电极电连接;其中,所述阴极发射体的另一端与阳极电极间隔设置。