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71. 发明专利

TW554398B 剝離方法及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：剥离方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW554398B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091117810
申请日：2002-08-07
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：高山徹 , 丸山純矢 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L21/76251 , H01L27/1214
摘要：本發明的目的在於提供一種剝離方法，不會損傷剝離層，不僅能夠剝離具有較小面積的剝離層，而且能夠剝離掉具有較大面積的剝離層整個表面。此外本發明的目的在於藉由將剝離層黏貼到多種基底上以提供一種輕型半導體裝置，及其製造方法。具體地，本發明的目的在於藉由黏貼多種元件，例如TFT，到柔性膜以提供一種輕型半導體裝置及其製造方法。即使第一材料層形成在基底上，第二材料層與上述第一材料層相鄰形成，進一步進行層疊膜形成，在500℃或更高的溫度進行熱處理或雷射光束照射處理，如果第一材料層在剝離之前具有位伸應力，第二材料層具有壓縮應力，藉由物理方式，可以容易地在第二材料層的的層內或介面中很好地分離該層。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种剥离方法，不会损伤剥离层，不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够剥离掉具有较大面积的剥离层整个表面。此外本发明的目的在于借由将剥离层黏贴到多种基底上以提供一种轻型半导体设备，及其制造方法。具体地，本发明的目的在于借由黏贴多种组件，例如TFT，到柔性膜以提供一种轻型半导体设备及其制造方法。即使第一材料层形成在基底上，第二材料层与上述第一材料层相邻形成，进一步进行层叠膜形成，在500℃或更高的温度进行热处理或激光光束照射处理，如果第一材料层在剥离之前具有位伸应力，第二材料层具有压缩应力，借由物理方式，可以容易地在第二材料层的的层内或界面中很好地分离该层。

72. 发明专利

TW281786B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW281786B
公开(公告)日：1996-07-21
申请号：TW083104759
申请日：1994-05-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：竹村保彥 , 宮永昭治 , 高山徹 , 張宏勇
IPC分类号： H01L
摘要：將鎳引入一個非晶矽薄膜上之一個周邊電路段（像素段除外）的一經預定之區域而自該區域結晶。在形成閘極電極及其他者後，源極，吸極和通道經由摻雜雜質予以形成並照射雷射而改良結晶。在此以後，形成電極／導線。藉以可以獲得一種活性矩陣型液晶顯示器其在周邊電路段中之薄膜電晶體（ＴＦＴ）係由結晶矽薄膜所組成其晶體係以平行於載子的流動之方向予以生長而其在像素段中之ＴＦＴｓ係由非晶矽薄膜所組成。
简体摘要：将镍引入一个非晶硅薄膜上之一个周边电路段（像素段除外）的一经预定之区域而自该区域结晶。在形成闸极电极及其他者后，源极，吸极和信道经由掺杂杂质予以形成并照射激光而改良结晶。在此以后，形成电极／导线。借以可以获得一种活性矩阵型液晶显示器其在周边电路段中之薄膜晶体管（ＴＦＴ）系由结晶硅薄膜所组成其晶体系以平行于载子的流动之方向予以生长而其在像素段中之ＴＦＴｓ系由非晶硅薄膜所组成。

73. 实用新型

TW171823U 影像感測器失效
简体标题：影像传感器
公开(公告)号：TW171823U
公开(公告)日：1991-10-21
申请号：TW080203738
申请日：1989-04-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：小玉光文 , 天知伸充 , 高山徹 , 深田武 , ?本直哉 , ?間光範
IPC分类号： H01L
摘要：由光敏半導體材料所製之一種改良之影像感測器有許多像素，每一像素包含一ｎ型半導體層．一ｐ型半導體層，及置於ｎ型及ｐ型層之間的本質半導體層．ｎ型及ｐ型層由具有高電阻係數之半導體材料製成．ｎ型及ｐ型層之高層阻係數用以防止串擾電流在像素之間流通。
简体摘要：由光敏半导体材料所制之一种改良之影像传感器有许多像素，每一像素包含一ｎ型半导体层．一ｐ型半导体层，及置于ｎ型及ｐ型层之间的本质半导体层．ｎ型及ｐ型层由具有高电阻系数之半导体材料制成．ｎ型及ｐ型层之高层阻系数用以防止串扰电流在像素之间流通。

74. 发明专利

TWI379137B 剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD 有权
简体标题：剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD
公开(公告)号：TWI379137B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW101116123
申请日：2004-01-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 丸山純矢 , 後藤裕吾 , 大野由美子
IPC分类号： G02F , G09F , H01L
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/02175 , H01L21/28008 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/707 , H01L21/823487 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/326 , H01L2933/0016
摘要：本發明揭示一種剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法。本發明提供一種簡化剝離步驟，並且對於大型基板均一進行剝離‧轉寫的方法。本發明之特徵在於：同時進行剝離步驟中的第1接著劑之剝離、及第2接著劑之硬化以簡化製作步驟。而且，本發明之特徵在於：對於將形成有半導體元件之電極的被剝離層轉寫至預定基板的時間進行規劃。本發明之特徵是尤其在大型基板上形成有複數個半導體元件之狀態下進行剝離時，利用壓力差來吸附基板而進行剝離。
简体摘要：本发明揭示一种剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法。本发明提供一种简化剥离步骤，并且对于大型基板均一进行剥离‧转写的方法。本发明之特征在于：同时进行剥离步骤中的第1接着剂之剥离、及第2接着剂之硬化以简化制作步骤。而且，本发明之特征在于：对于将形成有半导体组件之电极的被剥离层转写至预定基板的时间进行规划。本发明之特征是尤其在大型基板上形成有复数个半导体组件之状态下进行剥离时，利用压力差来吸附基板而进行剥离。

75. 发明专利

TWI379136B 剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD 有权
简体标题：剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD
公开(公告)号：TWI379136B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW101116122
申请日：2004-01-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 丸山純矢 , 後藤裕吾 , 大野由美子
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/02175 , H01L21/28008 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/707 , H01L21/823487 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/326 , H01L2933/0016
摘要：本發明揭示一種剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法。本發明提供一種簡化剝離步驟，並且對於大型基板均一進行剝離‧轉寫的方法。本發明之特徵在於：同時進行剝離步驟中的第1接著劑之剝離、及第2接著劑之硬化以簡化製作步驟。而且，本發明之特徵在於：對於將形成有半導體元件之電極的被剝離層轉寫至預定基板的時間進行規劃。本發明之特徵是尤其在大型基板上形成有複數個半導體元件之狀態下進行剝離時，利用壓力差來吸附基板而進行剝離。
简体摘要：本发明揭示一种剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法。本发明提供一种简化剥离步骤，并且对于大型基板均一进行剥离‧转写的方法。本发明之特征在于：同时进行剥离步骤中的第1接着剂之剥离、及第2接着剂之硬化以简化制作步骤。而且，本发明之特征在于：对于将形成有半导体组件之电极的被剥离层转写至预定基板的时间进行规划。本发明之特征是尤其在大型基板上形成有复数个半导体组件之状态下进行剥离时，利用压力差来吸附基板而进行剥离。

76. 发明专利

TW201241526A 剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD 审中-公开
简体标题：剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD
公开(公告)号：TW201241526A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101116122
申请日：2004-01-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 丸山純矢 , 後藤裕吾 , 大野由美子
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/02175 , H01L21/28008 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/707 , H01L21/823487 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/326 , H01L2933/0016
摘要：本發明揭示一種剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法。本發明提供一種簡化剝離步驟，並且對於大型基板均一進行剝離‧轉寫的方法。本發明之特徵在於：同時進行剝離步驟中的第1接著劑之剝離、及第2接著劑之硬化以簡化製作步驟。而且，本發明之特徵在於：對於將形成有半導體元件之電極的被剝離層轉寫至預定基板的時間進行規劃。本發明之特徵是尤其在大型基板上形成有複數個半導體元件之狀態下進行剝離時，利用壓力差來吸附基板而進行剝離。
简体摘要：本发明揭示一种剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法。本发明提供一种简化剥离步骤，并且对于大型基板均一进行剥离‧转写的方法。本发明之特征在于：同时进行剥离步骤中的第1接着剂之剥离、及第2接着剂之硬化以简化制作步骤。而且，本发明之特征在于：对于将形成有半导体组件之电极的被剥离层转写至预定基板的时间进行规划。本发明之特征是尤其在大型基板上形成有复数个半导体组件之状态下进行剥离时，利用压力差来吸附基板而进行剥离。

77. 发明专利

TWI369917B 發光設備 LIGHT-EMITTING APPARATUS 有权
简体标题：发光设备 LIGHT-EMITTING APPARATUS
公开(公告)号：TWI369917B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW092124359
申请日：2003-09-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 鶴目卓也 , 後藤裕吾
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/529 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5253
摘要：本發明的目的是解決上述使用含有氟塑膠的膜(聚四氟乙烯(R))作為發光裝置的保護膜時產生的釋放熱的問題，以及解決因氟元素引起的金屬材料腐蝕的問題。於本發明中，在形成發光裝置後形成無機絕緣膜，並形成含有氟塑膠的膜於其上，以利使含有氟塑膠的膜不與裝置的金屬材料接觸，從而達到防止因含有氟塑膠的膜中的氟元素引起金屬材料腐蝕的目的。此外，無機絕緣膜具有防止含有氟塑膠的膜中的氟元素和金屬材料起反應的功能(即阻擋性)；而且，該無機絕緣膜採用高導熱性的材料形成以便釋放發光裝置產生的熱。
简体摘要：本发明的目的是解决上述使用含有氟塑胶的膜(聚四氟乙烯(R))作为发光设备的保护膜时产生的释放热的问题，以及解决因氟元素引起的金属材料腐蚀的问题。于本发明中，在形成发光设备后形成无机绝缘膜，并形成含有氟塑胶的膜于其上，以利使含有氟塑胶的膜不与设备的金属材料接触，从而达到防止因含有氟塑胶的膜中的氟元素引起金属材料腐蚀的目的。此外，无机绝缘膜具有防止含有氟塑胶的膜中的氟元素和金属材料起反应的功能(即阻挡性)；而且，该无机绝缘膜采用高导热性的材料形成以便释放发光设备产生的热。

78. 发明专利

TW201211660A 剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD 审中-公开
简体标题：剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法 PEELING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE PEELING METHOD
公开(公告)号：TW201211660A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100139334
申请日：2004-01-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 丸山純矢 , 後藤裕吾 , 大野由美子
IPC分类号： G02F
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/02175 , H01L21/28008 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/707 , H01L21/823487 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/326 , H01L2933/0016
摘要：本發明揭示一種剝離方法及利用該剝離方法的顯示裝置之製作方法。本發明提供一種簡化剝離步驟，並且對於大型基板均一進行剝離‧轉寫的方法。本發明之特徵在於：同時進行剝離步驟中的第1接著劑之剝離、及第2接著劑之硬化以簡化製作步驟。而且，本發明之特徵在於：對於將形成有半導體元件之電極的被剝離層轉寫至預定基板的時間進行規劃。本發明之特徵是尤其在大型基板上形成有複數個半導體元件之狀態下進行剝離時，利用壓力差來吸附基板而進行剝離。
简体摘要：本发明揭示一种剥离方法及利用该剥离方法的显示设备之制作方法。本发明提供一种简化剥离步骤，并且对于大型基板均一进行剥离‧转写的方法。本发明之特征在于：同时进行剥离步骤中的第1接着剂之剥离、及第2接着剂之硬化以简化制作步骤。而且，本发明之特征在于：对于将形成有半导体组件之电极的被剥离层转写至预定基板的时间进行规划。本发明之特征是尤其在大型基板上形成有复数个半导体组件之状态下进行剥离时，利用压力差来吸附基板而进行剥离。

79. 发明专利

TWI359468B 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI359468B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW095143759
申请日：2003-12-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：桑原秀明 , 高山徹 , 後藤裕吾 , 丸山純矢 , 大野由美子 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/45099
摘要：本發明的目的是提供一種低成本，小體積，並且高整合化的半導體裝置。本發明利用轉移技術，將用半導體薄膜形成的半導體元件轉移到用半導體基底形成的半導體元件之上，從而製造半導體裝置。跟習知的製造方法相比，本發明可以用更低成本，並更高產量地大量生產半導體裝置，而且可以減少每個半導體裝置的生產成本。
简体摘要：本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体设备。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体组件转移到用半导体基底形成的半导体组件之上，从而制造半导体设备。跟习知的制造方法相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体设备，而且可以减少每个半导体设备的生产成本。

80. 发明专利

TWI337770B 半導體裝置之製造方法，以及半導體裝置以及電子裝置 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS AND ELECTRIC APPLIANCE 有权
简体标题：半导体设备之制造方法，以及半导体设备以及电子设备 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS AND ELECTRIC APPLIANCE
公开(公告)号：TWI337770B
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：TW095144976
申请日：2003-12-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 丸山純矢 , 大野由美子 , 田中幸一郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02667 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/54473 , H01L2224/1134 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/29198 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2225/06524 , H01L2225/06555 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要：本發明的目的是在不實施造成裂縫以及研磨痕跡的背面研磨處理的情況下，提供一種封裝以及其製造方法，該封裝可以使晶片飛躍性地變薄，而且可以製造出低成本並且高產量的晶片，還可以抑制晶片厚度的不均勻。本發明用連續振盪的鐳射晶化形成在作為支撐物發揮作用的基底上的膜的厚度等於或少於500nm的半導體膜，然後用該晶化過的半導體膜形成晶片，該晶片具有總膜厚為5μm，較佳等於或少於2μm的薄膜的半導體元件。並且，在最後基底被剝離的狀態下，該晶片被安裝到內插板。
简体摘要：本发明的目的是在不实施造成裂缝以及研磨痕迹的背面研磨处理的情况下，提供一种封装以及其制造方法，该封装可以使芯片飞跃性地变薄，而且可以制造出低成本并且高产量的芯片，还可以抑制芯片厚度的不均匀。本发明用连续振荡的激光晶化形成在作为支撑物发挥作用的基底上的膜的厚度等于或少于500nm的半导体膜，然后用该晶化过的半导体膜形成芯片，该芯片具有总膜厚为5μm，较佳等于或少于2μm的薄膜的半导体组件。并且，在最后基底被剥离的状态下，该芯片被安装到内插板。

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