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71. 发明专利

TWI534248B 透明導電膜用蝕刻液組成物有权
简体标题：透明导电膜用蚀刻液组成物
公开(公告)号：TWI534248B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101112809
申请日：2012-04-11
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：山口隆雄 , YAMAGUCHI, TAKAO , 石川典夫 , ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08

72. 发明专利

TW201610234A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201610234A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104124086
申请日：2015-07-24
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：河野良 , KOUNO, RYOU , 清水壽和 , SHIMIZU, TOSHIKAZU
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/3213
摘要：本發明提供一種蝕刻液組成物及使用該蝕刻液組成物的蝕刻方法，該蝕刻液組成物可對金屬層疊膜的含Ti層和含Al層進行一次性蝕刻，並且在蝕刻過程中可使含In的金屬氧化物層的損傷減少，該金屬層疊膜包括由Ti或以Ti為主要成分的合金所形成的含Ti層、由Al或以Al為主要成分的合金所形成的含Al層、及含In的金屬氧化物層。本發明的蝕刻液組成物是用於對金屬層疊膜的含Ti層和含Al層進行一次性蝕刻的蝕刻液組成物，該金屬層疊膜包括由Ti或以Ti為主要成分的合金所形成的含Ti層、由Al或以Al為主要成分的合金所形成的含Al層、及含In的金屬氧化物層，該蝕刻液組成物包含氟化合物、及選自由磷的含氧酸、金屬鹽、有機溶劑、銨鹽和季銨化合物所構成的群組中的一種或兩種以上，並且呈酸性。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法，该蚀刻液组成物可对金属层叠膜的含Ti层和含Al层进行一次性蚀刻，并且在蚀刻过程中可使含In的金属氧化物层的损伤减少，该金属层叠膜包括由Ti或以Ti为主要成分的合金所形成的含Ti层、由Al或以Al为主要成分的合金所形成的含Al层、及含In的金属氧化物层。本发明的蚀刻液组成物是用于对金属层叠膜的含Ti层和含Al层进行一次性蚀刻的蚀刻液组成物，该金属层叠膜包括由Ti或以Ti为主要成分的合金所形成的含Ti层、由Al或以Al为主要成分的合金所形成的含Al层、及含In的金属氧化物层，该蚀刻液组成物包含氟化合物、及选自由磷的含氧酸、金属盐、有机溶剂、铵盐和季铵化合物所构成的群组中的一种或两种以上，并且呈酸性。

73. 发明专利

TWI519627B 透明導電膜用蝕刻液組成物有权
简体标题：透明导电膜用蚀刻液组成物
公开(公告)号：TWI519627B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW098126987
申请日：2009-08-11
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：村上豐 , MURAKAMI, YUTAKA , 石川典夫 , ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/306

74. 发明专利

TWI493030B 草酸銦溶解劑組成物及使用其之蝕刻裝置系統內的洗淨方法有权
简体标题：草酸铟溶解剂组成物及使用其之蚀刻设备系统内的洗净方法
公开(公告)号：TWI493030B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW099113909
申请日：2010-04-30
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：山口隆雄 , YAMAGUCHI, TAKAO , 石川典夫 , ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/04 , H01L21/306

75. 发明专利

TW201514160A 電洞傳輸材料审中-公开
简体标题：电洞传输材料
公开(公告)号：TW201514160A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103129917
申请日：2014-08-29
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：深川弘彥 , FUKAGAWA, HIROHIKO , 清水貴央 , SHIMIZU, TAKAHISA , 高橋純平 , TAKAHASHI, JUNPEI , 新內聰暢 , SHINNAI, TOSHINOBU , 土屋和彥 , TSUCHIYA, KAZUHIKO
IPC分类号： C07D307/91 , C07D333/76 , C09K11/06 , H01L51/50
摘要：本發明以提供能帶隙大、電氣穩定性和熱穩定性良好、還可用於有機EL元件的電洞傳輸層的新化合物為課題，還以提供具備包含該化合物的電洞傳輸層的長壽命且發光效率高的有機EL元件為課題。以通式(1)表示的化合物。式中，R1～R4分別獨立為選自氫、可具有取代基的烷基和鹵素基的基團，R1～R4分別獨立可存在一個或多個，存在多個的情況下，可以是相同或不同的基團，X1和X2分別獨立為可具有取代基的芳香環式基團，Z1和Z2分別獨立為O或S，n為1～8的整數。
简体摘要：本发明以提供能带隙大、电气稳定性和热稳定性良好、还可用于有机EL组件的电洞传输层的新化合物为课题，还以提供具备包含该化合物的电洞传输层的长寿命且发光效率高的有机EL组件为课题。以通式(1)表示的化合物。式中，R1～R4分别独立为选自氢、可具有取代基的烷基和卤素基的基团，R1～R4分别独立可存在一个或多个，存在多个的情况下，可以是相同或不同的基团，X1和X2分别独立为可具有取代基的芳香环式基团，Z1和Z2分别独立为O或S，n为1～8的整数。

76. 发明专利

TW201506152A 洗淨液組成物审中-公开
简体标题：洗净液组成物
公开(公告)号：TW201506152A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103114290
申请日：2014-04-18
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：守田菊惠 , MORITA, KIKUE , 堀家千代子 , HORIKE, CHIYOKO , 深谷啓介 , FUKAYA, KEISUKE , 大和田拓央 , OHWADA, TAKUO
IPC分类号： C11D17/08 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D7/32 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C11D17/08 , H01L21/02074
摘要：本發明的目的在於提供一種洗淨液組成物，在半導體元件等電子元件之製造步驟中，該洗淨液組成物於將經化學機械研磨(CMP)處理等之基板等洗淨時很有用。本發明是關於一種洗淨液組成物，其用於將具有銅配線之基板洗淨，該洗淨液組成物包含1種或2種以上之鹼性化合物、及1種或2種以上之含氮原子之雜環式單環芳香族化合物，並且該洗淨液組成物的氫離子濃度(pH值)為8~11。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种洗净液组成物，在半导体组件等电子组件之制造步骤中，该洗净液组成物于将经化学机械研磨(CMP)处理等之基板等洗净时很有用。本发明是关于一种洗净液组成物，其用于将具有铜配线之基板洗净，该洗净液组成物包含1种或2种以上之碱性化合物、及1种或2种以上之含氮原子之杂环式单环芳香族化合物，并且该洗净液组成物的氢离子浓度(pH值)为8~11。

77. 发明专利

TWI441902B 光阻殘渣及聚合物殘渣的除去液組成物有权
简体标题：光阻残渣及聚合物残渣的除去液组成物
公开(公告)号：TWI441902B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW096139929
申请日：2007-10-24
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：大和田拓央 , OHWADA, TAKUO
IPC分类号： C09K13/08 , G03F7/42 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/426 , H01L21/02071

78. 发明专利

TWI405875B 鈦、鋁金屬層積膜之蝕刻液組成物有权
简体标题：钛、铝金属层积膜之蚀刻液组成物
公开(公告)号：TWI405875B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW096100105
申请日：2007-01-02
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：清水寿和 , SHIMIZU, TOSHIKAZU
IPC分类号： C23F1/26 , C23F1/20

79. 发明专利

TW201331417A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201331417A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101138294
申请日：2012-10-17
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：山口隆雄 , YAMAGUCHI, TAKAO , 石川典夫 , ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C23F1/18 , H01L21/306
摘要：本發明的課題在於提供一種蝕刻液組成物，該蝕刻液組成物可對銅及/或銅合金膜與氧化銦錫膜等的透明導電膜進行總括蝕刻處理，該透明導電膜是被用於FPD(平板顯示器)的顯示裝置、太陽能電池和觸控面板的電極等之中。本發明是關於一種蝕刻液組成物，是用以對銅及/或銅合金膜與透明導電膜進行總括蝕刻處理之蝕刻液組成物，該蝕刻液組成物含有鹽酸、氯化鐵或氯化銅、及水，鹽酸的濃度為15.0~36.0重量%，氯化鐵或氯化銅的濃度為0.05~2.00重量%。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种蚀刻液组成物，该蚀刻液组成物可对铜及/或铜合金膜与氧化铟锡膜等的透明导电膜进行总括蚀刻处理，该透明导电膜是被用于FPD(平板显示器)的显示设备、太阳能电池和触摸皮肤的电极等之中。本发明是关于一种蚀刻液组成物，是用以对铜及/或铜合金膜与透明导电膜进行总括蚀刻处理之蚀刻液组成物，该蚀刻液组成物含有盐酸、氯化铁或氯化铜、及水，盐酸的浓度为15.0~36.0重量%，氯化铁或氯化铜的浓度为0.05~2.00重量%。

80. 发明专利

TWI402330B 蝕刻液組成物有权
简体标题：蚀刻液组成物
公开(公告)号：TWI402330B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW095105030
申请日：2006-02-15
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：黑岩健次 , KUROIWA, KENJI , 加藤勝 , KATO, MASARU
IPC分类号： C09K13/06

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