专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明专利

TWI428915B 包含壓電應力材料之自旋力矩轉移磁性隨機存取記憶體單元結構有权
简体标题：包含压电应力材料之自旋力矩转移磁性随机存取内存单元结构
公开(公告)号：TWI428915B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW098132150
申请日：2009-09-23
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉峻 , LIU, JUN , 卡默史帝夫 , KRAMER, STEVE , 珊得胡高提傑 , SANDHU, GURTEJ
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08

62. 发明专利

TWI393217B 相變化記憶體結構及方法有权
简体标题：相变化内存结构及方法
公开(公告)号：TWI393217B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098125975
申请日：2009-07-31
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉峻 , LIU, JUN
IPC分类号： H01L21/82 , H01L27/24
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/128 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675

63. 发明专利

TW201310449A 具有對稱切換及單一方向程式化之自旋轉矩轉移記憶體單元結構审中-公开
简体标题：具有对称切换及单一方向进程化之自旋转矩转移内存单元结构
公开(公告)号：TW201310449A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101122523
申请日：2012-06-22
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉峻 , LIU, JUN
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：可使用一單向及/或對稱程式化電流(16)來程式化自旋轉矩轉移磁性隨機存取記憶體(STT-MRAM)單元。單向程式化電流(16)沿一個方向流動經過該STT-MRAM單元(40)之自由區域(14)以沿至少兩個不同方向切換該自由區域(14)之磁化。對稱程式化電流(16)使用一實質上類似電流量值將該自由區域(14)之該磁化切換至該等方向中之任一者。該STT-MRAM單元(40)可包含：兩個固定區域(10a、10b)，其各自具有沿相反方向之固定磁化；及一自由區域(14)，其經組態以磁化切換為與該等固定區域(10a、10b)中之一者之該磁化平行或反平行於該等固定區域(10a、10b)中之一者之該磁化。將該自由區域(14)切換至不同磁化方向涉及將該程式化電流(16)引導穿過該兩個經相反磁化固定區域(10a，10b)中之一者。
简体摘要：可使用一单向及/或对称进程化电流(16)来进程化自旋转矩转移磁性随机存取内存(STT-MRAM)单元。单向进程化电流(16)沿一个方向流动经过该STT-MRAM单元(40)之自由区域(14)以沿至少两个不同方向切换该自由区域(14)之磁化。对称进程化电流(16)使用一实质上类似电流量值将该自由区域(14)之该磁化切换至该等方向中之任一者。该STT-MRAM单元(40)可包含：两个固定区域(10a、10b)，其各自具有沿相反方向之固定磁化；及一自由区域(14)，其经组态以磁化切换为与该等固定区域(10a、10b)中之一者之该磁化平行或反平行于该等固定区域(10a、10b)中之一者之该磁化。将该自由区域(14)切换至不同磁化方向涉及将该进程化电流(16)引导穿过该两个经相反磁化固定区域(10a，10b)中之一者。

64. 发明专利

TWI370544B 具有介面黏合加熱層之可變電阻記憶體裝置，使用其之系統以及形成其之方法 VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE WITH AN INTERFACIAL ADHESION HEATING LAYER, SYSTEMS USING THE SAME AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
简体标题：具有界面黏合加热层之可变电阻内存设备，使用其之系统以及形成其之方法 VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE WITH AN INTERFACIAL ADHESION HEATING LAYER, SYSTEMS USING THE SAME AND METHODS OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI370544B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW097115139
申请日：2008-04-24
申请人：美光科技公司
发明人：劉峻
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
摘要：本發明揭示一種可變電阻記憶體元件以及形成其之方法。該記憶體元件包括一第一電極；一電阻率介面層，其具有耦合至該第一電極之一第一表面；一電阻變化材料，例如一相變材料，其具有一耦合至該電阻率介面層之一第二表面的第一表面；以及一第二電極，其係耦合至該電阻變化材料之一第二表面。
简体摘要：本发明揭示一种可变电阻内存组件以及形成其之方法。该内存组件包括一第一电极；一电阻率界面层，其具有耦合至该第一电极之一第一表面；一电阻变化材料，例如一相变材料，其具有一耦合至该电阻率界面层之一第二表面的第一表面；以及一第二电极，其系耦合至该电阻变化材料之一第二表面。

65. 发明专利

TW201222805A 包含非揮發性記憶體單元之積體電路及形成非揮發性記憶體單元之方法 INTEGRATED CIRCUITRY COMPRISING NONVOLATILE MEMORY CELLS AND METHODS OF FORMING A NONVOLATILE MEMORY CELL 审中-公开
简体标题：包含非挥发性内存单元之集成电路及形成非挥发性内存单元之方法 INTEGRATED CIRCUITRY COMPRISING NONVOLATILE MEMORY CELLS AND METHODS OF FORMING A NONVOLATILE MEMORY CELL
公开(公告)号：TW201222805A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100135681
申请日：2011-09-30
申请人：美光科技公司
发明人：劉峻 , 查胡瑞約翰K
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L21/28114 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/6656 , H01L29/66621 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1691
摘要：一種積體電路具有一非揮發性記憶體單元，該非揮發性記憶體單元包括一第一電極、一第二電極及在其間的一離子導電材料。該第一電極及該第二電極中之至少一者具有與該離子導電材料直接抵靠之一電化學活性表面。該第二電極升高地在該第一電極外。該第一電極在一第一方向上側向延伸，且該離子導電材料在不同於該第一方向且與該第一方向相交之一第二方向上延伸。該第一電極僅在該第一方向與該第二方向相交的情況下才與該離子導電材料直接抵靠。揭示包括方法實施例之其他實施例。
简体摘要：一种集成电路具有一非挥发性内存单元，该非挥发性内存单元包括一第一电极、一第二电极及在其间的一离子导电材料。该第一电极及该第二电极中之至少一者具有与该离子导电材料直接抵靠之一电化学活性表面。该第二电极升高地在该第一电极外。该第一电极在一第一方向上侧向延伸，且该离子导电材料在不同于该第一方向且与该第一方向相交之一第二方向上延伸。该第一电极仅在该第一方向与该第二方向相交的情况下才与该离子导电材料直接抵靠。揭示包括方法实施例之其他实施例。

66. 发明专利

TW201214816A 相變記憶體結構及方法 PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
简体标题：相变内存结构及方法 PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURES AND METHODS
公开(公告)号：TW201214816A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100130818
申请日：2011-08-26
申请人：美光科技公司
发明人：劉峻
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/126 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要：本文中闡述與相變記憶體結構相關聯之方法、裝置及系統。一種形成一相變記憶體結構之方法包含：在一相變記憶體單元之一第一導電元件上且在一介電材料上形成一絕緣體材料；形成與該第一導電元件自對準之一加熱器；在該加熱器及形成於該介電材料上之該絕緣體材料之至少一部分上形成一相變材料；及在該相變材料上形成該相變記憶體單元之一第二導電元件。
简体摘要：本文中阐述与相变内存结构相关联之方法、设备及系统。一种形成一相变内存结构之方法包含：在一相变内存单元之一第一导电组件上且在一介电材料上形成一绝缘体材料；形成与该第一导电组件自对准之一加热器；在该加热器及形成于该介电材料上之该绝缘体材料之至少一部分上形成一相变材料；及在该相变材料上形成该相变内存单元之一第二导电组件。

67. 发明专利

TW201203469A 垂直電晶體相變記憶體 VERTICAL TRANSISTOR PHASE CHANGE MEMORY 审中-公开
简体标题：垂直晶体管相变内存 VERTICAL TRANSISTOR PHASE CHANGE MEMORY
公开(公告)号：TW201203469A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100113574
申请日：2011-04-19
申请人：美光科技公司
发明人：劉峻
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/249 , G11C13/0004 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691
摘要：本文中闡述垂直電晶體相變記憶體及處理相變記憶體之方法。一種或多種方法包含：在一垂直電晶體之至少一部分上形成一電介質；在該電介質上形成一電極；及在該電極之一側之一部分上及在該電介質之一側之一部分上形成沿著該電極及該電介質延伸至與該垂直電晶體接觸之一垂直相變材料條帶。
简体摘要：本文中阐述垂直晶体管相变内存及处理相变内存之方法。一种或多种方法包含：在一垂直晶体管之至少一部分上形成一电介质；在该电介质上形成一电极；及在该电极之一侧之一部分上及在该电介质之一侧之一部分上形成沿着该电极及该电介质延伸至与该垂直晶体管接触之一垂直相变材料条带。

68. 发明专利

TW201101465A 具有自我對準單元結構之記憶體裝置 MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CELL STRUCTURE 审中-公开
简体标题：具有自我对准单元结构之内存设备 MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CELL STRUCTURE
公开(公告)号：TW201101465A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099103674
申请日：2010-02-06
申请人：美光科技公司
发明人：劉峻 , 凡歐里特麥可P
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/2409 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L21/02532 , H01L21/31116 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/66136 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1608
摘要：某些實施例包含具有一記憶體裝置之設備及方法,該記憶體裝置具有耦合至記憶體元件之二極體。每一二極體可形成於該記憶體裝置之一凹部中。該凹部可具有一多邊形側壁。該二極體可包含形成於該凹部內之一第一導電類型(例如,n型)之一第一材料及一第二導電類型(例如,p型)之一第二材料。
简体摘要：某些实施例包含具有一内存设备之设备及方法,该内存设备具有耦合至内存组件之二极管。每一二极管可形成于该内存设备之一凹部中。该凹部可具有一多边形侧壁。该二极管可包含形成于该凹部内之一第一导电类型(例如,n型)之一第一材料及一第二导电类型(例如,p型)之一第二材料。

69. 发明专利

TWI331794B 可再現電阻之可變絕緣記憶體裝置及其形成方法 REPRODUCIBLE RESISTANCE VARIABLE INSULATING MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING SAME 有权
简体标题：可再现电阻之可变绝缘内存设备及其形成方法 REPRODUCIBLE RESISTANCE VARIABLE INSULATING MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING SAME
公开(公告)号：TWI331794B
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：TW095129961
申请日：2006-08-15
申请人：美光科技公司
发明人：劉峻
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683
摘要：本發明係關於一種在一電阻可變之記憶體裝置中一成形底部電極之使用。該成形底部電極確保在該底部電極之尖端處的絕緣材料係最薄，從而在該底部電極之尖端處形成最強之電場。電極之佈置與記憶體元件之結構，使得有可能在記憶體裝置中建立穩定、一致且可再現切換與記憶體屬性的傳導路徑。【創作特點】本發明係關於一種在一電阻可變之記憶體裝置中一成形底部電極之使用。該成形底部電極確保在該底部電極之尖端處的絕緣材料係最薄，因此在該底部電極之尖端處形成最強之電場。電極尖端之小彎曲亦增強局部電場。電極之佈置與記憶體元件之結構，使得有可能在記憶體裝置中建立穩定、一致且可再現切換與記憶體屬性的傳導路徑。
简体摘要：本发明系关于一种在一电阻可变之内存设备中一成形底部电极之使用。该成形底部电极确保在该底部电极之尖端处的绝缘材料系最薄，从而在该底部电极之尖端处形成最强之电场。电极之布置与内存组件之结构，使得有可能在内存设备中创建稳定、一致且可再现切换与内存属性的传导路径。【创作特点】本发明系关于一种在一电阻可变之内存设备中一成形底部电极之使用。该成形底部电极确保在该底部电极之尖端处的绝缘材料系最薄，因此在该底部电极之尖端处形成最强之电场。电极尖端之小弯曲亦增强局部电场。电极之布置与内存组件之结构，使得有可能在内存设备中创建稳定、一致且可再现切换与内存属性的传导路径。

70. 发明专利

TW201017665A 包含壓電應力材料之自旋力矩轉移磁性隨機存取記憶體單元結構 STT-MRAM CELL STRUCTURE INCORPORATING PIEZOELECTRIC STRESS MATERIAL 审中-公开
简体标题：包含压电应力材料之自旋力矩转移磁性随机存取内存单元结构 STT-MRAM CELL STRUCTURE INCORPORATING PIEZOELECTRIC STRESS MATERIAL
公开(公告)号：TW201017665A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098132150
申请日：2009-09-23
申请人：美光科技公司
发明人：劉峻 , 卡默史帝夫 , 珊得胡高提傑
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：本發明提供一種包括一壓電材料之磁性記憶體單元及操作該記憶體單元之方法。該記憶體單元包括一堆疊，且該壓電材料可經形成作為該堆疊中之一層或鄰近於該單元堆疊之層的一層。該壓電材料可用以在該記憶體單元之程式化期間誘發一瞬時應力以減小該記憶體單元之臨界切換電流。
简体摘要：本发明提供一种包括一压电材料之磁性内存单元及操作该内存单元之方法。该内存单元包括一堆栈，且该压电材料可经形成作为该堆栈中之一层或邻近于该单元堆栈之层的一层。该压电材料可用以在该内存单元之进程化期间诱发一瞬时应力以减小该内存单元之临界切换电流。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式