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61. 发明专利

TW202008357A 記憶體電路以及用於操作三維交叉點記憶體陣列的方法审中-公开
简体标题：内存电路以及用于操作三维交叉点内存数组的方法
公开(公告)号：TW202008357A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107134197
申请日：2018-09-27
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN-YI , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： G11C8/16 , G11C11/40
摘要：一種積體電路，包括三維交叉點記憶體陣列，此三維交叉點記憶體陣列具有設置在N個第一存取線層和P個第二存取線層的交叉點處的M層的記憶胞。此積體電路還包括第一和第二組的第一存取線驅動器。第一組第一存取線驅動器可操作地耦接以將共第一操作電壓施加到奇數的第一存取線層中所選擇的第一存取線。第二組第一存取線驅動器可操作地耦合以將共第一操作電壓施加到偶數的第一存取線層中所選擇的第一存取線。多組的第二存取線驅動器可操作地配置來將第二操作電壓施加到所選擇的第二存取線層中所選擇的第二存取線。
简体摘要：一种集成电路，包括三维交叉点内存数组，此三维交叉点内存数组具有设置在N个第一存取线层和P个第二存取线层的交叉点处的M层的记忆胞。此集成电路还包括第一和第二组的第一存取线驱动器。第一组第一存取线驱动器可操作地耦接以将共第一操作电压施加到奇数的第一存取线层中所选择的第一存取线。第二组第一存取线驱动器可操作地耦合以将共第一操作电压施加到偶数的第一存取线层中所选择的第一存取线。多组的第二存取线驱动器可操作地配置来将第二操作电压施加到所选择的第二存取线层中所选择的第二存取线。

62. 发明专利

TW201911544A 三維記憶體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：三维内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201911544A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106127373
申请日：2017-08-11
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：賴二琨 , LAI, ERH-KUN , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： H01L27/11556
摘要：一種三維記憶體元件，包括：基材、多層堆疊結構(multi-layers stack)、至少一個記憶體結構以及蝕刻阻擋結構(etching stop structure)。基材具有一個凹槽(trench)。多層堆疊結構包括一個第一延伸部和一個第二延伸部。其中，第一延伸部與凹槽之底面夾一個非平角(non-straight angle)，且第一延伸部和第二延伸部都包括交錯堆疊(interlaced)於凹槽之中的複數個導體層和複數個絕緣層。記憶體結構形成於第一延伸部之中。蝕刻阻擋結構至少部分延伸進入第二延伸部中，且具有與記憶體結構相同的材質。
简体摘要：一种三维内存组件，包括：基材、多层堆栈结构(multi-layers stack)、至少一个内存结构以及蚀刻阻挡结构(etching stop structure)。基材具有一个凹槽(trench)。多层堆栈结构包括一个第一延伸部和一个第二延伸部。其中，第一延伸部与凹槽之底面夹一个非平角(non-straight angle)，且第一延伸部和第二延伸部都包括交错堆栈(interlaced)于凹槽之中的复数个导体层和复数个绝缘层。内存结构形成于第一延伸部之中。蚀刻阻挡结构至少部分延伸进入第二延伸部中，且具有与内存结构相同的材质。

63. 发明专利

TWI646667B 三維堆疊半導體結構之製造方法及其製得之結構有权
简体标题：三维堆栈半导体结构之制造方法及其制得之结构
公开(公告)号：TWI646667B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106125625
申请日：2017-07-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：賴二琨 , LAI, ERH-KUN , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： H01L27/11551

64. 发明专利

TW201843109A 介電摻雜且富含銻之GST相變化記憶體审中-公开
简体标题：介电掺杂且富含锑之GST相变化内存
公开(公告)号：TW201843109A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106122434
申请日：2017-07-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：鄭懷瑜 , CHENG, HUAI-YU , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： C01G30/00 , H01L21/8239 , G11C13/00
摘要：提出之相變化記憶體材料係為介電摻雜、富含銻(antimony-rich)之GST家族之材料，其相對於GST-225具有較多的銻，此材料具有速度、保持、及耐受特性，適於儲存級資料儲存裝置。一種記憶裝置包含含有多個記憶胞之一陣列。各個記憶胞包含一第一電極及一第二電極。第二電極耦接至一記憶體元件。記憶元件包含具有相變化記憶材料之一基底。相變化記憶材料包含Ge、Sb及Te之一組合與一介電添加物，其在總量上足以(effective to)提供大於160°C的晶化轉換溫度。在一些有效範例中可提供大於170°C的晶化轉換溫度。在其他有效範例中可提供大於190°C的晶化轉換溫度。一控制器耦接至陣列，且被設置以對陣列中之記憶胞執行數個設定運作及數個重設運作。
简体摘要：提出之相变化内存材料系为介电掺杂、富含锑(antimony-rich)之GST家族之材料，其相对于GST-225具有较多的锑，此材料具有速度、保持、及耐受特性，适于存储级数据存储设备。一种记忆设备包含含有多个记忆胞之一数组。各个记忆胞包含一第一电极及一第二电极。第二电极耦接至一内存组件。记忆组件包含具有相变化记忆材料之一基底。相变化记忆材料包含Ge、Sb及Te之一组合与一介电添加物，其在总量上足以(effective to)提供大于160°C的晶化转换温度。在一些有效范例中可提供大于170°C的晶化转换温度。在其他有效范例中可提供大于190°C的晶化转换温度。一控制器耦接至数组，且被设置以对数组中之记忆胞运行数个设置运作及数个重设运作。

65. 发明专利

TWI643317B 記憶體元件及其製作方法有权
简体标题：内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI643317B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106142087
申请日：2017-12-01
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：賴二琨 , LAI, ERH-KUN , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： H01L27/115

66. 发明专利

TW201838095A 記憶結構及其製造方法审中-公开
简体标题：记忆结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201838095A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106112431
申请日：2017-04-13
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：賴二琨 , LAI, ERH-KUN , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： H01L21/8239
摘要：一種記憶結構包括一基板、複數個堆疊、複數個記憶層、複數個通道層、和複數個接墊層。堆疊設置在基板上。該些堆疊藉由複數個第一溝槽彼此分離。堆疊包括交替配置的複數個第一堆疊和複數個第二堆疊。堆疊的每一者包括交替堆疊的複數個導電條和複數個絕緣條。記憶層部份地設置在第一溝槽中，並以共形的方式延伸到堆疊上。通道層以共形的方式設置在記憶層上。接墊層至少在實質上位於第一堆疊上方的複數個位置設置在通道層上。
简体摘要：一种记忆结构包括一基板、复数个堆栈、复数个记忆层、复数个信道层、和复数个接垫层。堆栈设置在基板上。该些堆栈借由复数个第一沟槽彼此分离。堆栈包括交替配置的复数个第一堆栈和复数个第二堆栈。堆栈的每一者包括交替堆栈的复数个导电条和复数个绝缘条。记忆层部份地设置在第一沟槽中，并以共形的方式延伸到堆栈上。信道层以共形的方式设置在记忆层上。接垫层至少在实质上位于第一堆栈上方的复数个位置设置在信道层上。

67. 发明专利

TWI582782B 動態冗餘修復有权
简体标题：动态冗余修复
公开(公告)号：TWI582782B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105106542
申请日：2016-03-03
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：龍翔瀾 , HSIANG-LAN, LUNG
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C16/3404 , G11C16/08 , G11C16/3459 , G11C29/765 , G11C29/781

68. 发明专利

TWI573146B 記憶體裝置與其操作方法有权
简体标题：内存设备与其操作方法
公开(公告)号：TWI573146B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104117258
申请日：2015-05-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN-YI , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN , 簡維志 , CHIEN, WEI-CHIH , 陳土順 , CHEN, TU-SHUN , 陳嘉榮 , CHEN, CHIA-JUNG
IPC分类号： G11C29/42

69. 发明专利

TW201707072A 具有晶界切換的相變化記憶體审中-公开
简体标题：具有晶界切换的相变化内存
公开(公告)号：TW201707072A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105117291
申请日：2016-06-01
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：龍翔瀾 , HSIANG-LAN, LUNG , 何永涵 , YUNG-HAN, HO
IPC分类号： H01L21/28 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要：提供記憶體裝置。記憶體裝置包括在插在第一電極及第二電極之間的晶團材料。晶團材料包括埋在非結晶基體中的奈米晶粒。在操作期間，相變化反應發生在晶團材料中的晶粒間邊界處，使得能降低操作功率。
简体摘要：提供内存设备。内存设备包括在插在第一电极及第二电极之间的晶团材料。晶团材料包括埋在非结晶基体中的奈米晶粒。在操作期间，相变化反应发生在晶团材料中的晶粒间边界处，使得能降低操作功率。

70. 发明专利

TWI537946B 記憶體和記憶體管理方法有权
简体标题：内存和内存管理方法
公开(公告)号：TWI537946B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103107783
申请日：2014-03-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN YI , 李明修 , LEE, MING HSIU , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 王典彥 , WANG, TIEN YEN
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/12
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C2013/0054

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