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61. 发明专利

TWI334913B 樹脂管件及管件材料 RESIN PIPE AND PIPE MATERIAL 失效
简体标题：树脂管件及管件材料 RESIN PIPE AND PIPE MATERIAL
公开(公告)号：TWI334913B
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：TW096110735
申请日：2007-03-28
申请人：國立大學法人東北大學 , 霓佳斯股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 山中二朗 , 岩原健吾 , 深江康治
IPC分类号： F16L , B32B
CPC分类号： B32B1/08 , B29K2027/12 , B29K2995/0067 , B29L2023/005 , B32B27/08 , B32B27/304 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B2307/7244 , B32B2597/00 , C08L27/16 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , C08L2666/04
摘要：於一樹脂管件中，為聚偏二氟乙烯(PVDF，polyvinylidene fluoride)可藉由添加全氟單體至其中加以軟化，以致於能夠明顯地降低氧滲透度，也能夠藉由設置一作為外層之尼龍管以降低該氧滲透度。
简体摘要：于一树脂管件中，为聚偏二氟乙烯(PVDF，polyvinylidene fluoride)可借由添加全氟单体至其中加以软化，以致于能够明显地降低氧渗透度，也能够借由设置一作为外层之尼龙管以降低该氧渗透度。

62. 发明专利

TW201016892A 鋁合金元件、電子裝置製造裝置以及具有陽極氧化膜之鋁合金元件的製造方法 AL ALLOY MEMBER, APPARATUS FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING AN AL ALLOY MEMBER WITH AN ANODE OXIDE FILM 审中-公开
简体标题：铝合金组件、电子设备制造设备以及具有阳极氧化膜之铝合金组件的制造方法 AL ALLOY MEMBER, APPARATUS FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING AN AL ALLOY MEMBER WITH AN ANODE OXIDE FILM
公开(公告)号：TW201016892A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098125495
申请日：2009-07-29
申请人：國立大學法人東北大學 , 日本輕金屬股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 北野真史 , 田原稔 , 伊藤久和 , 白井孝太 , 佐伯雅之
IPC分类号： C25D , C22C
CPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00 , H05K1/053 , H05K2203/0315 , Y10T428/12
摘要：本發明提供可使用於大型製造裝置之機械強度良好的Al合金元件。Al合金元件的特徵在於：由質量%，Mg濃度5.0%以下，Ce濃度15%以下，Zr濃度0.15%以下，殘餘部分為Al以及不可避免的不純物構成，且上述不可避免的不純物的元素各自為0.01%以下，且其維氏硬度大於30。
简体摘要：本发明提供可使用于大型制造设备之机械强度良好的Al合金组件。Al合金组件的特征在于：由质量%，Mg浓度5.0%以下，Ce浓度15%以下，Zr浓度0.15%以下，残余部分为Al以及不可避免的不纯物构成，且上述不可避免的不纯物的元素各自为0.01%以下，且其维氏硬度大于30。

63. 发明专利

TW201014486A 電路基板及其製造方法审中-公开
简体标题：电路基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201014486A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098117955
申请日：2009-06-01
申请人：國立大學法人東北大學 , 大昌電子股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/381 , H05K3/388 , H05K3/421 , H05K3/4644 , H05K2201/0179 , H05K2203/095 , Y10T29/49124
摘要：本發明係藉由電漿而將基板表面氮化，形成經氮化的樹脂層，另外在將銅進行成膜前將氮化銅成膜為較薄，藉此提升配線層與樹脂層的密接性。
简体摘要：本发明系借由等离子而将基板表面氮化，形成经氮化的树脂层，另外在将铜进行成膜前将氮化铜成膜为较薄，借此提升配线层与树脂层的密接性。

64. 发明专利

TW201012313A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201012313A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098119042
申请日：2009-06-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238
摘要：其課題是以使對基板的處理的均一性更提升為目的。其解決手段是一種電漿處理裝置，係具備：金屬製的處理容器（4），其係收納被電漿處理的基板（G）；電磁波源（85），其係為了使電漿激發於處理容器（4）內，而供給必要的電磁波，在處理容器（4）的蓋體（3）下面具備使部分露出於處理容器（4）的內部之複數的電介體（25），其係使從電磁波源（85）供給的電磁波透過至處理容器（85）的內部，其特徵為：在電介體（25）的下面設有與蓋體（3）電性連接的金屬電極（27），在金屬電極（27）與蓋體（3）下面之間露出的電介體（25）的部分，由處理容器（4）的內部來看，實質形成多角形的輪廓，複數的電介體（25）係使多角形的輪廓的頂角彼此間鄰接而來配置，在露出於處理容器（4）的內部之蓋體（3）下面與金屬電極（27）下面設有使電磁波傳播的表面波傳播部。
简体摘要：其课题是以使对基板的处理的均一性更提升为目的。其解决手段是一种等离子处理设备，系具备：金属制的处理容器（4），其系收纳被等离子处理的基板（G）；电磁波源（85），其系为了使等离子激发于处理容器（4）内，而供给必要的电磁波，在处理容器（4）的盖体（3）下面具备使部分露出于处理容器（4）的内部之复数的电介体（25），其系使从电磁波源（85）供给的电磁波透过至处理容器（85）的内部，其特征为：在电介体（25）的下面设有与盖体（3）电性连接的金属电极（27），在金属电极（27）与盖体（3）下面之间露出的电介体（25）的部分，由处理容器（4）的内部来看，实质形成多角形的轮廓，复数的电介体（25）系使多角形的轮廓的顶角彼此间邻接而来配置，在露出于处理容器（4）的内部之盖体（3）下面与金属电极（27）下面设有使电磁波传播的表面波传播部。

65. 发明专利

TW201004490A 簇射極板之製造方法、簇射極板以及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：簇射极板之制造方法、簇射极板以及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201004490A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098107220
申请日：2009-03-06
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 石橋清隆
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/3244
摘要：本發明係提供一種可防止電漿逆流、均勻且安定地供給電漿激發用氣體、並於使用時不致有零件脫落之簇射極板的製造方法。以具有連通至氣體流動方向之氣孔的多孔質形成一柱狀的氣體流通體。以不透氣材料來形成一接觸並包覆氣體流通體側面的筒狀緻密組件。再將氣體流通體嵌入緻密組件之中空部分而形成多孔體，並於第1溫度進行燒製。於頂板形成凹部，並形成一端與凹部連通且貫穿頂板的氣體流路。將多孔體嵌入凹部，於與第1溫度同等以下的溫度一體成形燒製以形成簇射極板。
简体摘要：本发明系提供一种可防止等离子逆流、均匀且安定地供给等离子激发用气体、并于使用时不致有零件脱落之簇射极板的制造方法。以具有连通至气体流动方向之气孔的多孔质形成一柱状的气体流通体。以不透气材料来形成一接触并包覆气体流通体侧面的筒状致密组件。再将气体流通体嵌入致密组件之中空部分而形成多孔体，并于第1温度进行烧制。于顶板形成凹部，并形成一端与凹部连通且贯穿顶板的气体流路。将多孔体嵌入凹部，于与第1温度同等以下的温度一体成形烧制以形成簇射极板。

66. 发明专利

TW201003946A 於基板上直接形成太陽能發電薄膜之太陽能電池失效
简体标题：于基板上直接形成太阳能发电薄膜之太阳能电池
公开(公告)号：TW201003946A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098104263
申请日：2009-02-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：若山惠英 , 茂山和基 , 大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L , E04D
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/02167 , Y02B10/12 , Y02E10/50
摘要：本發明所揭示之太陽能電池，係包含形成於基材上之半導體薄膜、形成於半導體薄膜上之透明導電膜、及覆蓋透明導電膜的上面之氮化物系之水分擴散防止膜。水分擴散防止膜較佳係由氮化矽膜與碳氮化矽膜之至少一者所構成。
简体摘要：本发明所揭示之太阳能电池，系包含形成于基材上之半导体薄膜、形成于半导体薄膜上之透明导电膜、及覆盖透明导电膜的上面之氮化物系之水分扩散防止膜。水分扩散防止膜较佳系由氮化硅膜与碳氮化硅膜之至少一者所构成。

67. 发明专利

TW201003913A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201003913A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098113468
申请日：2009-04-23
申请人：國立大學法人東北大學 , 財團法人國際科學振興財團
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 黑田理人
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696
摘要：反轉(Inversion)型電晶體或本質(Intrinsic)型電晶體，及半導體層之累積層電流控制型累積(Accumulation)型電晶體，由於雜質原子濃度之統計上之變異而造成之閾值電壓之變異於微細化世代增大，保持大型積體電路(LSI)之可靠性有其困難。本發明可得到一種基體電流控制累積型電晶體，藉由控制半導體層之膜厚及雜質原子濃度，使得空乏層之厚度大於半導體層膜厚。例如藉由使半導體層膜厚為100nm，且原子濃度高於2×10 17 [cm -3 ]，可使得閾值之變異之標準偏差小於電源電壓之變異之容許值。
简体摘要：反转(Inversion)型晶体管或本质(Intrinsic)型晶体管，及半导体层之累积层电流控制型累积(Accumulation)型晶体管，由于杂质原子浓度之统计上之变异而造成之阈值电压之变异于微细化世代增大，保持大型集成电路(LSI)之可靠性有其困难。本发明可得到一种基体电流控制累积型晶体管，借由控制半导体层之膜厚及杂质原子浓度，使得空乏层之厚度大于半导体层膜厚。例如借由使半导体层膜厚为100nm，且原子浓度高于2×10 17 [cm -3 ]，可使得阈值之变异之标准偏差小于电源电压之变异之容许值。

68. 发明专利

TW201003753A 半導體裝置之製造方法及半導體基板之清洗方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体基板之清洗方法 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201003753A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098112518
申请日：2009-04-15
申请人：國立大學法人東北大學 , 史鐵勒傑米華股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 長谷部類 , 宮下雅之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02054 , H01L21/0206 , Y10S438/906
摘要：半導體基板等基板之清洗，以往至少需要進行由5個步驟構成之清洗。本發明得到一種清洗方法，包含：第1步驟，以含有臭氧之超純水清洗；第2步驟，以含有界面活性劑之超純水清洗；及第3步驟，以含有超純水及2－丙醇之清洗液除去界面活性劑由來之有機物。第3步驟後，照射氪氣等稀有氣體之電漿，進一步將界面活性劑由來之有機物除去。
简体摘要：半导体基板等基板之清洗，以往至少需要进行由5个步骤构成之清洗。本发明得到一种清洗方法，包含：第1步骤，以含有臭氧之超纯水清洗；第2步骤，以含有界面活性剂之超纯水清洗；及第3步骤，以含有超纯水及2－丙醇之清洗液除去界面活性剂由来之有机物。第3步骤后，照射氪气等稀有气体之等离子，进一步将界面活性剂由来之有机物除去。

69. 发明专利

TW200944068A 微波電漿處理裝置及微波電漿處理裝置之使用方法 MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR USING MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：微波等离子处理设备及微波等离子处理设备之使用方法 MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR USING MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200944068A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098105139
申请日：2009-02-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H
摘要：〔課題〕使氣體供給位置適當化。〔解決手段〕微波電漿處理裝置（10）係具有：在內部被激發電漿的容器（100）；在容器內供給用以激發電漿之微波的微波源（900）；使由微波源（900）所被供給的微波傳送的同軸管（600、315等）；在面向容器（100）的內側的狀態下與同軸管（315）相鄰接，使在各同軸管傳送的微波透過而釋出在容器（100）內部的複數個介電質板（305）；在容器內供給用以激發電漿之氣體的氣體供給源（800）；及貫穿複數個介電質板（305）之各個之內部，且由屬於該貫穿口之氣孔（A）將氣體導入至容器內的氣體流路（810）。貫穿金屬電極（310）的氣孔（B）與氣孔（A）係以等間距作配置。
简体摘要：〔课题〕使气体供给位置适当化。〔解决手段〕微波等离子处理设备（10）系具有：在内部被激发等离子的容器（100）；在容器内供给用以激发等离子之微波的微波源（900）；使由微波源（900）所被供给的微波发送的同轴管（600、315等）；在面向容器（100）的内侧的状态下与同轴管（315）相邻接，使在各同轴管发送的微波透过而发佈在容器（100）内部的复数个介电质板（305）；在容器内供给用以激发等离子之气体的气体供给源（800）；及贯穿复数个介电质板（305）之各个之内部，且由属于该贯穿口之气孔（A）将气体导入至容器内的气体流路（810）。贯穿金属电极（310）的气孔（B）与气孔（A）系以等间距作配置。

70. 发明专利

TWI489553B 接觸部形成方法、半導體裝置之製造方法、及半導體裝置有权
简体标题：接触部形成方法、半导体设备之制造方法、及半导体设备
公开(公告)号：TWI489553B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW098136484
申请日：2009-10-28
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 磯貝達典 , ISOGAI, TATSUNORI , 田中宏明 , TANAKA, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/28079 , H01L21/28518 , H01L21/823835 , H01L27/092 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/66772 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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