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61. 发明专利

TW201830619A 半導體封裝及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TW201830619A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106103965
申请日：2017-02-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
摘要：一種半導體結構包含一第一元件以及位於該第一元件上的一凸塊結構。在一些實施例中，該第一元件具有一第一上表面與一第一側，其中該第一上表面與該第一側形成該第一元件的一第一角部。在一些實施例中，該凸塊結構位於該第一上表面上，並且橫向延伸跨過該第一元件的該第一側。該凸塊結構藉由橫向延伸可接觸一橫向相鄰元件的一對應導體，以於該半導體元件與該橫向相鄰元件之間實現一橫向信號路徑，而未使用對應於重佈線層的一重佈線結構。
简体摘要：一种半导体结构包含一第一组件以及位于该第一组件上的一凸块结构。在一些实施例中，该第一组件具有一第一上表面与一第一侧，其中该第一上表面与该第一侧形成该第一组件的一第一角部。在一些实施例中，该凸块结构位于该第一上表面上，并且横向延伸跨过该第一组件的该第一侧。该凸块结构借由横向延伸可接触一横向相邻组件的一对应导体，以于该半导体组件与该横向相邻组件之间实现一横向信号路径，而未使用对应于重布线层的一重布线结构。

62. 发明专利

TW201830577A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201830577A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106107371
申请日：2017-03-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN-LUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60
摘要：一種半導體結構包含一基板以及一第一晶片。該基板具有一傳導柱，自該基板突出。該第一晶片位於該基板上方，並且包含一第一插塞延伸穿過該第一晶片，其中該傳導柱自該基板延伸穿過該第一晶片並且局部位於該第一插塞內。
简体摘要：一种半导体结构包含一基板以及一第一芯片。该基板具有一传导柱，自该基板突出。该第一芯片位于该基板上方，并且包含一第一插塞延伸穿过该第一芯片，其中该传导柱自该基板延伸穿过该第一芯片并且局部位于该第一插塞内。

63. 发明专利

TW201827871A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201827871A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106109497
申请日：2017-03-22
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/13
摘要：一種半導體結構包含一第一表面與一第一側壁；一波導，包含沿著該第一表面配置的一第一部分，以及沿著該第一側壁且耦合該第一部分的一第二部分；以及一反射件，位於該波導上方，其中該反射件包含一反射表面，位於該第一部分與該第二部分之間且經配置以將光自該第一部分導引至該第二部分，反之亦然。
简体摘要：一种半导体结构包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方，其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分，反之亦然。

64. 发明专利

TW201818483A 半導體封裝與其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装与其制造方法
公开(公告)号：TW201818483A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105141264
申请日：2016-12-13
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L21/58 , H01L23/06
摘要：一種半導體封裝包含封裝基板、第一半導體晶片、第二半導體晶片與上中介層。第一半導體晶片與第二半導體晶片置於封裝基板上。上中介層電性連接至第一半導體晶片與第二半導體晶片。第一半導體晶片與第二半導體晶片置於封裝基板與上中介層之間。
简体摘要：一种半导体封装包含封装基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片与上中介层。第一半导体芯片与第二半导体芯片置于封装基板上。上中介层电性连接至第一半导体芯片与第二半导体芯片。第一半导体芯片与第二半导体芯片置于封装基板与上中介层之间。

65. 发明专利

TW201816965A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201816965A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105137581
申请日：2016-11-17
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/492
摘要：一種半導體結構的製造方法包含：提供一基板與位於該基板上方的一晶片；配置該基板於一第一模具件上方；配置一第二模具件於該基板上方，以囊封該晶片；配置一模製材料於該晶片附近；形成一模製物於該基板上方且於該晶片附近；移除該第一模具件；移除該第二模具件；其中該第一模具件包含一曲面，該曲面朝向該基板、該晶片或該第二模具件突出。
简体摘要：一种半导体结构的制造方法包含：提供一基板与位于该基板上方的一芯片；配置该基板于一第一模具件上方；配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该芯片；配置一模制材料于该芯片附近；形成一模制物于该基板上方且于该芯片附近；移除该第一模具件；移除该第二模具件；其中该第一模具件包含一曲面，该曲面朝向该基板、该芯片或该第二模具件突出。

66. 发明专利

TWI622141B 導電連接結構有权
简体标题：导电连接结构
公开(公告)号：TWI622141B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW106107836
申请日：2017-03-09
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L23/42 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/7682 , H01L21/76831

67. 发明专利

TW201814799A 半導體封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201814799A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105140491
申请日：2016-12-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L21/54 , H01L21/56 , H01L23/24 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/18 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/48225 , H01L2225/0651
摘要：一種用以製造半導體封裝體的方法，包含在基底上設置阻流支撐結構，其中基底具有活躍區域以及圍繞活躍區域的間隔區域，且阻流支撐結構位在間隔區域中；接續地，在基底的活躍區域上設置晶粒結構；以及，在間隔區域注入鑄型化合物，以將阻流支撐結構以及晶粒結構鑄型在鑄型化合物中。
简体摘要：一种用以制造半导体封装体的方法，包含在基底上设置阻流支撑结构，其中基底具有活跃区域以及围绕活跃区域的间隔区域，且阻流支撑结构位在间隔区域中；接续地，在基底的活跃区域上设置晶粒结构；以及，在间隔区域注入铸型化合物，以将阻流支撑结构以及晶粒结构铸型在铸型化合物中。

68. 发明专利

TW201810470A 引線接合方法审中-公开
简体标题：引线接合方法
公开(公告)号：TW201810470A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105133452
申请日：2016-10-17
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L21/603 , H01L23/488 , H01L23/532
CPC分类号： H01L24/45 , H01L24/05 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45647 , H01L2224/48463
摘要：一種引線接合方法，包含：形成焊球於金屬線的一端；將焊球按壓至工件的平面上以使焊球變形；使變形之焊球接觸金屬墊，其中金屬墊由第一材料所製成且金屬線由第二材料所製成，並且第一材料的硬度小於第二材料的硬度；以及將變形之焊球接合至金屬墊上。
简体摘要：一种引线接合方法，包含：形成焊球于金属线的一端；将焊球按压至工件的平面上以使焊球变形；使变形之焊球接触金属垫，其中金属垫由第一材料所制成且金属线由第二材料所制成，并且第一材料的硬度小于第二材料的硬度；以及将变形之焊球接合至金属垫上。

69. 发明专利

TWI613476B 封裝結構有权
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TWI613476B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105138449
申请日：2016-11-23
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： H01L31/02325 , H01L24/16 , H01L25/167 , H01L31/02005 , H01L2224/16145 , H04B10/2504 , H04B10/27 , H04B10/616

70. 发明专利

TW201804590A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201804590A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105133110
申请日：2016-10-13
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/147 , H01L23/3677 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/13013
摘要：本揭露提供一種半導體裝置及其製造方法。在本揭露之實施例中，該半導體裝置包含一積體電路晶粒；設置於該積體電路晶粒上的至少一導電終端；設置於該積體電路晶粒上的一框架，其中該框架實質暴露該至少一導電終端；以及設置於該框架中的至少一導電凸塊，其中該至少一導電凸塊電連接該至少一導電終端。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备及其制造方法。在本揭露之实施例中，该半导体设备包含一集成电路晶粒；设置于该集成电路晶粒上的至少一导电终端；设置于该集成电路晶粒上的一框架，其中该框架实质暴露该至少一导电终端；以及设置于该框架中的至少一导电凸块，其中该至少一导电凸块电连接该至少一导电终端。

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