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61. 发明专利

TW201207797A 電子紙顯示裝置及其製造方法 ELECTRONIC PAPER DEVICE AND METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：电子纸显示设备及其制造方法 ELECTRONIC PAPER DEVICE AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201207797A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW099126338
申请日：2010-08-06
申请人：元太科技工業股份有限公司
发明人：辛哲宏 , 吳淇銘 , 舒芳安 , 蔡燿州
IPC分类号： G09F
CPC分类号： G02F1/167 , G02F2201/503
摘要：一種電子紙顯示裝置,包括:一薄膜電晶體陣列基板以及一顯示面板。薄膜電晶體陣列基板包括:一第一基板;一第一金屬層,位於第一基板上;一介電層,位於第一基板上,且覆蓋第一金屬層;一第二金屬層,位於介電層上;一通道層,位於介電層上;一保護層,位於第二金屬層以及該通道層之上;一第一樹脂層,位於保護層之上;一畫素電極層,位於第一樹脂層之上以及一第二樹脂層,位於畫素電極層之上。而顯示面板包括一第二基板;一透明電極層,位於第二基板上,以及一電子墨水材料層,位於透明電極層與薄膜電晶體陣列基板之間。
简体摘要：一种电子纸显示设备,包括:一薄膜晶体管数组基板以及一显示皮肤。薄膜晶体管数组基板包括:一第一基板;一第一金属层,位于第一基板上;一介电层,位于第一基板上,且覆盖第一金属层;一第二金属层,位于介电层上;一信道层,位于介电层上;一保护层,位于第二金属层以及该信道层之上;一第一树脂层,位于保护层之上;一像素电极层,位于第一树脂层之上以及一第二树脂层,位于像素电极层之上。而显示皮肤包括一第二基板;一透明电极层,位于第二基板上,以及一电子墨水材料层,位于透明电极层与薄膜晶体管数组基板之间。

62. 发明专利

TW201200916A 轉印結構及其製造方法 A TRANSFER PRINT STRUCTURE AND MANUFACTURE METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：转印结构及其制造方法 A TRANSFER PRINT STRUCTURE AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201200916A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW099120876
申请日：2010-06-25
申请人：元太科技工業股份有限公司
发明人：舒芳安 , 辛哲宏 , 蔡燿州 , 唐文忠
IPC分类号： G02B , G02F
CPC分类号： G02B5/201 , B32B7/06 , B41M3/00 , B41M3/12 , B41M5/124 , B41M5/38271 , B41M5/502 , B44C1/16 , B44C1/17 , G02B26/00 , G02B26/026 , G02F1/167
摘要：一種轉印結構，該轉印結構包含一基板、一彩墨層及一膠黏裝置。該彩墨層包括一作用區域，該膠黏裝置用以結合該作用區域及該基板。
简体摘要：一种转印结构，该转印结构包含一基板、一彩墨层及一胶黏设备。该彩墨层包括一作用区域，该胶黏设备用以结合该作用区域及该基板。

63. 发明专利

TW201131269A 一種畫素的結構及其製程方法 A PIXEL STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：一种像素的结构及其制程方法 A PIXEL STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201131269A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099106896
申请日：2010-03-10
申请人：元太科技工業股份有限公司
发明人：黃松輝 , 王裕霖 , 舒芳安 , 辛哲宏
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L29/45 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255
摘要：本發明關於一種畫素結構以及其製程方法,畫素包含位於薄膜電晶體區之薄膜電晶體及位於畫素電極區之儲存電容。薄膜電晶體的製程方法,包括:於基板上形成閘極導電層;於該閘極導電層上形成閘極絕緣層;於該閘極絕緣層上形成源極導電層與汲極導電層,且汲極導電層具有延伸部延伸至畫素電極區;於該源極導電層與汲極導電層上形成通道層;以及於該通道層上形成保護層。儲存電容藉由該延伸部及電極層為該儲存電容之上電極及下電極。其中,閘極導電層、源極導電層、汲極導電層以及通道層利用金屬氧化物所形成。
简体摘要：本发明关于一种像素结构以及其制程方法,像素包含位于薄膜晶体管区之薄膜晶体管及位于像素电极区之存储电容。薄膜晶体管的制程方法,包括:于基板上形成闸极导电层;于该闸极导电层上形成闸极绝缘层;于该闸极绝缘层上形成源极导电层与汲极导电层,且汲极导电层具有延伸部延伸至像素电极区;于该源极导电层与汲极导电层上形成信道层;以及于该信道层上形成保护层。存储电容借由该延伸部及电极层为该存储电容之上电极及下电极。其中,闸极导电层、源极导电层、汲极导电层以及信道层利用金属氧化物所形成。

64. 发明专利

TW201126612A 形成含氧半導體薄膜電晶體之方法 METHOD FOR FORMING OXIDE THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：形成含氧半导体薄膜晶体管之方法 METHOD FOR FORMING OXIDE THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201126612A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099102730
申请日：2010-01-29
申请人：元太科技工業股份有限公司
发明人：辛哲宏 , 王裕霖 , 舒芳安 , 蔡燿州
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/34 , H01L29/1083 , H01L29/78609
摘要：一種形成含氧半導體薄膜電晶體之方法,此方法包括分別形成閘極、汲極、源極與含氧半導體層。含氧半導體層位於閘極表面,且汲極與源極位於含氧半導體層之相對兩側;以及進行沉積製程以形成至少一層二氧化矽絕緣層,其中進行沉積製程時通入的反應氣體包括氫化矽及一氧化二氮,且一氧化二氮之氣體流量在10到200標準立方公分每分鐘之間。上述之方法所製得之含氧半導體薄膜電晶體具有低漏電、高電子移動性特性,且易於與顯示裝置之薄膜電晶體製程相整合。
简体摘要：一种形成含氧半导体薄膜晶体管之方法,此方法包括分别形成闸极、汲极、源极与含氧半导体层。含氧半导体层位于闸极表面,且汲极与源极位于含氧半导体层之相对两侧;以及进行沉积制程以形成至少一层二氧化硅绝缘层,其中进行沉积制程时通入的反应气体包括氢化硅及一氧化二氮,且一氧化二氮之气体流量在10到200标准立方公分每分钟之间。上述之方法所制得之含氧半导体薄膜晶体管具有低漏电、高电子移动性特性,且易于与显示设备之薄膜晶体管制程相集成。

65. 发明专利

TW201123456A 含氧半導體薄膜電晶體之製作方法及顯示裝置之製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：含氧半导体薄膜晶体管之制作方法及显示设备之制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW201123456A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098145325
申请日：2009-12-28
申请人：元太科技工業股份有限公司
发明人：辛哲宏 , 王裕霖 , 舒芳安 , 蔡燿州
IPC分类号： H01L , G09F
CPC分类号： H01L21/02631 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02617 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：一種含氧半導體薄膜電晶體(oxide thin film transistor，OTFT)之製作方法，其係利用沈積製程形成薄膜電晶體之含氧半導體活性層，其中進行沈積製程時所用的氣體之總流量大於100每分鐘標準毫升，所用的電功率介於1.5千瓦至10千瓦。由此方法製作的含氧半導體薄膜電晶體具有低漏電、高電子移動性以及良好溫度穩定性等優點。本發明還涉及一種顯示裝置之製作方法，能有效提升顯示品質。
简体摘要：一种含氧半导体薄膜晶体管(oxide thin film transistor，OTFT)之制作方法，其系利用沉积制程形成薄膜晶体管之含氧半导体活性层，其中进行沉积制程时所用的气体之总流量大于100每分钟标准毫升，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦。由此方法制作的含氧半导体薄膜晶体管具有低漏电、高电子移动性以及良好温度稳定性等优点。本发明还涉及一种显示设备之制作方法，能有效提升显示品质。

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