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51. 发明专利

TW201251107A 半導體發光裝置之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光设备之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201251107A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101120874
申请日：2012-06-11
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：孟鐘先 , 朴基鎬 , 金範埈 , 柳賢錫 , 李正賢 , 金柄均 , 金起成 , 尹晳胡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/0079
摘要：提出一種製造半導體發光裝置之方法,該方法包括:在半導體生長基板上,循序地生長第一傳導型半導體層、活性層及第二傳導型半導體層而形成發光部;在該第二傳導型半導體層上形成撐體部而耦接至該發光部;分開該半導體生長基板與該發光部;及施用蝕刻氣體至該半導體生長基板來從該半導體生長基板之表面移除該第一傳導型半導體層之殘質。
简体摘要：提出一种制造半导体发光设备之方法,该方法包括:在半导体生长基板上,循序地生长第一传导型半导体层、活性层及第二传导型半导体层而形成发光部;在该第二传导型半导体层上形成撑体部而耦接至该发光部;分开该半导体生长基板与该发光部;及施用蚀刻气体至该半导体生长基板来从该半导体生长基板之表面移除该第一传导型半导体层之残质。

52. 发明专利

TW201243980A 用於薄膜處理之具有多重放射係數的基材載具 SUBSTRATE CARRIER WITH MULTIPLE EMISSIVITY COEFFICIENTS FOR THIN FILM PROCESSING 审中-公开
简体标题：用于薄膜处理之具有多重放射系数的基材载具 SUBSTRATE CARRIER WITH MULTIPLE EMISSIVITY COEFFICIENTS FOR THIN FILM PROCESSING
公开(公告)号：TW201243980A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101107906
申请日：2012-03-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：黃朱諾玉婷 , 須歐堤蘇瑞須M , 杜布斯特艾倫 , 布爾大衛 , 許偉勇 , 陳良韻
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B25/12 , C30B29/403 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：用於薄膜處理之具有多重放射係數的基材載具,且更特別係在磊晶成長膜於基材上的沉積製程期間,用於支撐基材的載具。載具前側具有第一載具表面,基材放在第一載具表面上,第一載具表面具有第一放射係數,第一放射係數不同於鄰接第一載具表面的第二載具表面的第二放射係數。無關第一放射係數地選擇第二放射係數可修改處理基材期間自第二載具表面輻射的能量。在一實施例中,第二載具表面具有第二放射係數,第二放射係數小於第一放射係數,以減少載具表面的熱損失,同時維持載具與基材間的高效率能量傳遞。
简体摘要：用于薄膜处理之具有多重放射系数的基材载具,且更特别系在磊晶成长膜于基材上的沉积制程期间,用于支撑基材的载具。载具前侧具有第一载具表面,基材放在第一载具表面上,第一载具表面具有第一放射系数,第一放射系数不同于邻接第一载具表面的第二载具表面的第二放射系数。无关第一放射系数地选择第二放射系数可修改处理基材期间自第二载具表面辐射的能量。在一实施例中,第二载具表面具有第二放射系数,第二放射系数小于第一放射系数,以减少载具表面的热损失,同时维持载具与基材间的高效率能量传递。

53. 发明专利

TW201209217A ＣＶＤ反應器之排氣裝置 EXHAUST FOR CVD REACTOR 审中-公开
简体标题：ＣＶＤ反应器之排气设备 EXHAUST FOR CVD REACTOR
公开(公告)号：TW201209217A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100124484
申请日：2011-07-11
申请人：維克儀器公司
发明人：古瑞艾利克斯
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/4407 , C23C16/4412 , C30B25/14 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明提供化學氣相沈積反應器及晶圓處理方法。該反應器包含具有內部之反應室；氣體入口歧管，其與該室之該內部連通；排氣系統，其包含具有通路及一或多個埠之排氣歧管；及一或多個安裝於該室內之清潔元件。該氣體入口歧管可允許製程氣體在固持於該內部內之基板上形成沈積物。該通路可藉助該一或多個埠與該室之該內部連通。該一或多個清潔元件可在(i)其中該等清潔元件遠離該一或多個埠之運行位置與(ii)其中該一或多個清潔元件嚙合於該一或多個埠之清潔位置之間移動。
简体摘要：本发明提供化学气相沉积反应器及晶圆处理方法。该反应器包含具有内部之反应室；气体入口歧管，其与该室之该内部连通；排气系统，其包含具有通路及一或多个端口之排气歧管；及一或多个安装于该室内之清洁组件。该气体入口歧管可允许制程气体在固持于该内部内之基板上形成沉积物。该通路可借助该一或多个端口与该室之该内部连通。该一或多个清洁组件可在(i)其中该等清洁组件远离该一或多个端口之运行位置与(ii)其中该一或多个清洁组件啮合于该一或多个端口之清洁位置之间移动。

54. 发明专利

TW201207978A 具慣性行星齒輪驅動之多晶圓旋轉盤反應器 MULTI-WAFER ROTATING DISC REACTOR WITH INERTIAL PLANETARY DRIVE 审中-公开
简体标题：具惯性行星齿轮驱动之多晶圆旋转盘反应器 MULTI-WAFER ROTATING DISC REACTOR WITH INERTIAL PLANETARY DRIVE
公开(公告)号：TW201207978A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100119897
申请日：2011-06-07
申请人：維克儀器公司
发明人：路斯陶德亞瑟 , 賽樂烏艾瑞恩 , 帕朗琵艾傑普拉摩 , 斯坎妲利亞圖約瑟夫 , 唐坤富
IPC分类号： H01L , B65G
CPC分类号： H01L21/68771 , C23C16/4584 , H01L21/68764
摘要：晶圓載體及用於在反應器中移動晶圓之方法。該晶圓載體(220)可包括具有複數個隔室之壓板(215)及複數個晶圓平台(210)。該壓板(215)經組態以繞第一軸線旋轉。該等晶圓平台(210)中之每一者各與該等隔室中之一者相結合,且經組態以相對於該各別隔室(770)繞各別第二軸線旋轉。該壓板(215)及該等晶圓平台(210)以不同角速度旋轉以在其間產生行星運動。該方法可包括使壓板(215)繞第一旋轉軸線旋轉。該方法進一步包括使承載於該壓板(215)上且承載該等晶圓(200)的複數個晶圓平台(210)中之每一者繞各別第二旋轉軸線且以與該壓板(215)不同之角速度旋轉以在其間產生行星運動。
简体摘要：晶圆载体及用于在反应器中移动晶圆之方法。该晶圆载体(220)可包括具有复数个隔室之压板(215)及复数个晶圆平台(210)。该压板(215)经组态以绕第一轴线旋转。该等晶圆平台(210)中之每一者各与该等隔室中之一者相结合,且经组态以相对于该各别隔室(770)绕各别第二轴线旋转。该压板(215)及该等晶圆平台(210)以不同角速度旋转以在其间产生行星运动。该方法可包括使压板(215)绕第一旋转轴线旋转。该方法进一步包括使承载于该压板(215)上且承载该等晶圆(200)的复数个晶圆平台(210)中之每一者绕各别第二旋转轴线且以与该压板(215)不同之角速度旋转以在其间产生行星运动。

55. 发明专利

TW201205717A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201205717A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100122507
申请日：2011-06-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小田桐正彌 , 村木雄介 , 富士原仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32779 , H01J2237/2001 , H01J2237/201 , H01L21/68771
摘要：本發明係提供一種基板處理裝置,其係可分別獨立且精密地進行基板之周緣部與中心部之溫度管理、溫度控制,且配管構成簡化。本發明之基板處理裝置係於真空處理空間中處理基板者,且包含載置至少2片以上之基板之基板載置台,上述基板載置台係包含數量與載置之基板數量對應之基板載置部,且於上述基板載置部,相互獨立地形成有使載置之基板中央部冷卻之中央調溫流路與使基板周緣部冷卻之周緣調溫流路,於上述基板載置台上設置有1個使調溫介質導入至上述周緣調溫流路之調溫介質導入口,且設置有數量與載置之基板數量對應之使調溫介質自上述周緣調溫流路中排出之調溫介質排出口。
简体摘要：本发明系提供一种基板处理设备,其系可分别独立且精密地进行基板之周缘部与中心部之温度管理、温度控制,且配管构成简化。本发明之基板处理设备系于真空处理空间中处理基板者,且包含载置至少2片以上之基板之基板载置台,上述基板载置台系包含数量与载置之基板数量对应之基板载置部,且于上述基板载置部,相互独立地形成有使载置之基板中央部冷却之中央调温流路与使基板周缘部冷却之周缘调温流路,于上述基板载置台上设置有1个使调温介质导入至上述周缘调温流路之调温介质导入口,且设置有数量与载置之基板数量对应之使调温介质自上述周缘调温流路中排出之调温介质排出口。

56. 发明专利

TW201145446A 具有斜邊之晶圓載體 WAFER CARRIER WITH SLOPED EDGE 审中-公开
简体标题：具有斜边之晶圆载体 WAFER CARRIER WITH SLOPED EDGE
公开(公告)号：TW201145446A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100107206
申请日：2011-03-03
申请人：維克儀器公司
发明人：密托維克波仁 , 曼剛約書亞 , 昆恩威廉E
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要：本發明係關於一種晶圓載體,其包括一界定一中心軸之主體、一垂直於該中心軸之大體平面之頂面及凹至該頂面下方用於接納晶圓之凹穴。該主體可包括一在該頂面之周邊周圍向上突出之唇緣。該唇緣可界定一在徑向向外遠離該中心軸之一方向上自該平面頂面向上傾斜的唇緣表面。該主體可經調適以用於安裝於一處理裝置之一轉軸上,以使得該主體之該中心軸與該轉軸同軸。該唇緣可改良在該晶圓載體之該頂面上之氣流型態。
简体摘要：本发明系关于一种晶圆载体,其包括一界定一中心轴之主体、一垂直于该中心轴之大体平面之顶面及凹至该顶面下方用于接纳晶圆之凹穴。该主体可包括一在该顶面之周边周围向上突出之唇缘。该唇缘可界定一在径向向外远离该中心轴之一方向上自该平面顶面向上倾斜的唇缘表面。该主体可经调适以用于安装于一处理设备之一转轴上,以使得该主体之该中心轴与该转轴同轴。该唇缘可改良在该晶圆载体之该顶面上之气流型态。

57. 发明专利

TW201144469A 成膜裝置及成膜方法 FILM DEPOSITION APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD 审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法 FILM DEPOSITION APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD
公开(公告)号：TW201144469A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099145680
申请日：2010-12-24
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：大泉行雄 , 本間學
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明關於一種成膜裝置及成膜方法，係將於基板載置區域的周緣沿著基板的圓周方向而形成為環狀之環組件固定在貫穿旋轉台並可自由昇降的昇降銷。將基板搬送至凹部內後，下降昇降銷來將環組件放置在與基板的表面周緣部相接之位置處或稍微上方的位置處，並在基板即將浮起時將其卡固來防止飛出。
简体摘要：本发明关于一种成膜设备及成膜方法，系将于基板载置区域的周缘沿着基板的圆周方向而形成为环状之环组件固定在贯穿旋转台并可自由升降的升降销。将基板搬送至凹部内后，下降升降销来将环组件放置在与基板的表面周缘部相接之位置处或稍微上方的位置处，并在基板即将浮起时将其卡固来防止飞出。

58. 发明专利

TW201142064A 應用於磁控濺鍍裝置之環狀陰極 RING CATHODE FOR USE IN A MAGNETRON SPUTTERING DEVICE 审中-公开
简体标题：应用于磁控溅镀设备之环状阴极 RING CATHODE FOR USE IN A MAGNETRON SPUTTERING DEVICE
公开(公告)号：TW201142064A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100113269
申请日：2011-04-15
申请人： JDS尤尼費斯公司
发明人：歐肯福斯喬治J
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3405 , C23C14/0036 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/505 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3438 , H01J37/347 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明係關於一種磁控濺鍍裝置，該磁控濺鍍裝置包含具有一界定的內半徑之一大環狀陰極。該環狀陰極之位置相對於一行星式驅動器系統之一中心點偏移。一陽極或反應氣源可位於該環狀陰極之該內半徑內。經由抑制電弧效應之該陰極處的較低功率密度獲得較低缺陷率，同時在並未使用一遮罩之情況下藉由該陰極將至行星托盤幾何形狀之逕流最小化。
简体摘要：本发明系关于一种磁控溅镀设备，该磁控溅镀设备包含具有一界定的内半径之一大环状阴极。该环状阴极之位置相对于一行星式驱动器系统之一中心点偏移。一阳极或反应气源可位于该环状阴极之该内半径内。经由抑制电弧效应之该阴极处的较低功率密度获得较低缺陷率，同时在并未使用一遮罩之情况下借由该阴极将至行星托盘几何形状之迳流最小化。

59. 发明专利

TW201135801A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESS APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESS APPARATUS
公开(公告)号：TW201135801A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099145681
申请日：2010-12-24
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：加藤壽 , 田村辰也 , 牛窪繁博 , 菊地宏之
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/68771
摘要：本發明係關於一種電漿處理裝置，係對基板以電漿進行處理；其特徵在於，具備有：真空容器，係於其內部對該基板以該電漿進行處理；旋轉機台，係設置於該真空容器內，形成有用以載置基板之複數基板載置區域；旋轉機構，係使得此旋轉機台進行旋轉；氣體供給部，係對該基板載置區域供給電漿產生用氣體；主電漿產生部，係在對向於該基板載置區域之通過區域的位置，於該旋轉機台之中央部側與外周側之間以棒狀延伸設置，對該氣體供給能量來電漿化；輔助電漿產生部，係相對於此主電漿產生部在該真空容器之圓周方向上隔離設置，用以補償該主電漿產生部所產生電漿之不足量；以及真空排氣機構，係對該真空容器內進行真空排氣。
简体摘要：本发明系关于一种等离子处理设备，系对基板以等离子进行处理；其特征在于，具备有：真空容器，系于其内部对该基板以该等离子进行处理；旋转机台，系设置于该真空容器内，形成有用以载置基板之复数基板载置区域；旋转机构，系使得此旋转机台进行旋转；气体供给部，系对该基板载置区域供给等离子产生用气体；主等离子产生部，系在对向于该基板载置区域之通过区域的位置，于该旋转机台之中央部侧与外周侧之间以棒状延伸设置，对该气体供给能量来等离子化；辅助等离子产生部，系相对于此主等离子产生部在该真空容器之圆周方向上隔离设置，用以补偿该主等离子产生部所产生等离子之不足量；以及真空排气机构，系对该真空容器内进行真空排气。

60. 发明专利

TW201133483A 用於磁性媒材的批次處理之系統 SYSTEM FOR BATCH PROCESSING OF MAGNETIC MEDIA 审中-公开
简体标题：用于磁性媒材的批次处理之系统 SYSTEM FOR BATCH PROCESSING OF MAGNETIC MEDIA
公开(公告)号：TW201133483A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW100100400
申请日：2011-01-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：維哈佛貝可史帝文 , 馬瑞恩約瑟安東尼歐
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/8404 , C23C14/48 , C23C14/50 , H01L21/67721 , H01L21/67736 , H01L21/67766 , H01L21/67781 , H01L21/68771
摘要：提供同時處理多個基板之方法與設備。各個基板可具有兩個即將處理之主要活性表面。設備具有基板搬運模組與基板處理模組。基板搬運模組具有負載組件、翻轉組件與工廠介面。基板在負載組件處配置於基板載體上。翻轉組件係用來在需要兩側處理之情況下翻轉基板載體上之所有基板。工廠介面配置固持基板之基板載體以進出基板處理模組。基板處理模組包括、負載鎖定器、傳送腔室與複數個處理腔室，複數個處理腔室各自設以處理多個配置於基板載體上之基板。
简体摘要：提供同时处理多个基板之方法与设备。各个基板可具有两个即将处理之主要活性表面。设备具有基板搬运模块与基板处理模块。基板搬运模块具有负载组件、翻转组件与工厂界面。基板在负载组件处配置于基板载体上。翻转组件系用来在需要两侧处理之情况下翻转基板载体上之所有基板。工厂界面配置固持基板之基板载体以进出基板处理模块。基板处理模块包括、负载锁定器、发送腔室与复数个处理腔室，复数个处理腔室各自设以处理多个配置于基板载体上之基板。

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