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1. 发明专利

TWI694516B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI694516B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107100736
申请日：2018-01-09
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 大泉行雄 , OHIZUMI, YUKIO , 本間學 , HONMA, MANABU , 小林健 , KOBAYASHI, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44

2. 发明专利

TWI648424B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI648424B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW105128720
申请日：2016-09-06
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 大泉行雄 , OHIZUMI, YUKIO , 本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02 , C23C16/458

3. 发明专利

TW201839853A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201839853A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107100736
申请日：2018-01-09
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 大泉行雄 , OHIZUMI, YUKIO , 本間學 , HONMA, MANABU , 小林健 , KOBAYASHI, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
摘要：本發明之課題為一邊使旋轉台的一面側所載置之基板(即晶圓)公轉一邊進行成膜處理時，能沿著晶圓的圓周方向來施予均勻的處理。其解決手段係在旋轉台的一面側設置會因旋轉台而公轉之載置有晶圓之載置台。又，載置台的自轉軸設置有被動齒輪，且沿著該被動齒輪的公轉軌道整周設置有構成該被動齒輪與磁性齒輪機構之驅動齒輪。由於係藉由自轉用旋轉機構來讓驅動齒輪旋轉，且藉由讓驅動齒輪的角速度與被動齒輪的公轉所致之角速度產生速度差來使載置台自轉，故可在晶圓的圓周方向上提高成膜處理的均勻性。又，可藉由驅動齒輪的角速度與被動齒輪的角速度之差值，來容易地調整被動齒輪的自轉速度。
简体摘要：本发明之课题为一边使旋转台的一面侧所载置之基板(即晶圆)公转一边进行成膜处理时，能沿着晶圆的圆周方向来施予均匀的处理。其解决手段系在旋转台的一面侧设置会因旋转台而公转之载置有晶圆之载置台。又，载置台的自转轴设置有被动齿轮，且沿着该被动齿轮的公转轨道整周设置有构成该被动齿轮与磁性齿轮机构之驱动齿轮。由于系借由自转用旋转机构来让驱动齿轮旋转，且借由让驱动齿轮的角速度与被动齿轮的公转所致之角速度产生速度差来使载置台自转，故可在晶圆的圆周方向上提高成膜处理的均匀性。又，可借由驱动齿轮的角速度与被动齿轮的角速度之差值，来容易地调整被动齿轮的自转速度。

4. 发明专利

TWI600790B 利用旋轉台之基板處理裝置有权
简体标题：利用旋转台之基板处理设备
公开(公告)号：TWI600790B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104105482
申请日：2015-02-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 高畠裕二 , TAKABATAKE, YUJI , 本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/45551 , C23C16/4581 , C23C16/4586

5. 发明专利

TWI560314B 成膜裝置及基板處理裝置有权
简体标题：成膜设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI560314B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101134608
申请日：2012-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/45521 , C23C16/45548 , C23C16/4585

6. 发明专利

TW201640582A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201640582A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105103221
申请日：2016-02-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/68771 , H01L21/68792
摘要：一種基板處理裝置，係讓設置於真空容器內的旋轉台上所載置之基板公轉，並將處理氣體供給至該基板，以進行處理的基板處理裝置，以具備有容器本體、蓋體以及支柱的方式來構成裝置，該容器本體係構成包含該真空容器底部之部分；該蓋體，係為了開閉該真空容器而相對於該容器本體來構成為自由分離，且構成包含該真空容器頂部之部分；該支柱，係在將該蓋體組裝至容器本體時，以貫穿該旋轉台之旋轉中心部的方式來設置於蓋體及容器本體中之一者，而在將真空容器抽真空後，會相對於該容器本體來支撐該蓋體。
简体摘要：一种基板处理设备，系让设置于真空容器内的旋转台上所载置之基板公转，并将处理气体供给至该基板，以进行处理的基板处理设备，以具备有容器本体、盖体以及支柱的方式来构成设备，该容器本体系构成包含该真空容器底部之部分；该盖体，系为了开闭该真空容器而相对于该容器本体来构成为自由分离，且构成包含该真空容器顶部之部分；该支柱，系在将该盖体组装至容器本体时，以贯穿该旋转台之旋转中心部的方式来设置于盖体及容器本体中之一者，而在将真空容器抽真空后，会相对于该容器本体来支撑该盖体。

7. 发明专利

TWI531019B 基板處理裝置、基板處理方法及儲存媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及存储媒体
公开(公告)号：TWI531019B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW099137710
申请日：2010-11-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：織戶康一 , ORITO, KOHICHI , 本間學 , HONMA, MANABU , 田村辰也 , TAMURA, TATSUYA
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/45502 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45587 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T137/8376

8. 发明专利

TW201542862A 利用旋轉台之基板處理裝置审中-公开
简体标题：利用旋转台之基板处理设备
公开(公告)号：TW201542862A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104105482
申请日：2015-02-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 高畠裕二 , TAKABATAKE, YUJI , 本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/45551 , C23C16/4581 , C23C16/4586
摘要：一種基板處理裝置，係一邊使得真空容器內載置於旋轉台上之圓形基板進行公轉、一邊對該基板供給處理氣體來進行處理者；具備有：凹部，為了收納該基板而形成於該旋轉台之一面側；加熱部，為了將該基板加熱至600℃以上來進行處理而加熱該旋轉台；以及3個支撐銷，於該凹部之底面分別位於正三角形的頂點，係用以將從該基板之中心離開該基板之半徑2/3的部位分別加以支撐、並將該基板以從該凹部之底面上浮的狀態來支撐而設置者。
简体摘要：一种基板处理设备，系一边使得真空容器内载置于旋转台上之圆形基板进行公转、一边对该基板供给处理气体来进行处理者；具备有：凹部，为了收纳该基板而形成于该旋转台之一面侧；加热部，为了将该基板加热至600℃以上来进行处理而加热该旋转台；以及3个支撑销，于该凹部之底面分别位于正三角形的顶点，系用以将从该基板之中心离开该基板之半径2/3的部位分别加以支撑、并将该基板以从该凹部之底面上浮的状态来支撑而设置者。

9. 发明专利

TW201540865A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201540865A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104102626
申请日：2015-01-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小野裕司 , ONO, YUJI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/45551
摘要：成膜裝置係具備有：真空容器；旋轉台，係配置於該真空容器內，並用以將基板載置於其一面側所設置之載置區域而加以公轉；處理氣體供給部，係將熱裂解溫度在1大氣壓下為520℃以上的處理氣體供給至基板；以及加熱部，係為了將該基板加熱至600℃以上，以進行成膜處理，而加熱該旋轉台。該處理氣體供給部係具備有：氣體噴淋頭，係具有對向於該基板通過區域而加以設置的複數處理氣體噴出孔；以及冷卻機構，係在成膜處理時，將該氣體噴淋頭中對向於該通過區域的對向部冷卻至較該處理氣體之熱裂解溫度要低的溫度。
简体摘要：成膜设备系具备有：真空容器；旋转台，系配置于该真空容器内，并用以将基板载置於其一面侧所设置之载置区域而加以公转；处理气体供给部，系将热裂解温度在1大气压下为520℃以上的处理气体供给至基板；以及加热部，系为了将该基板加热至600℃以上，以进行成膜处理，而加热该旋转台。该处理气体供给部系具备有：气体喷淋头，系具有对向于该基板通过区域而加以设置的复数处理气体喷出孔；以及冷却机构，系在成膜处理时，将该气体喷淋头中对向于该通过区域的对向部冷却至较该处理气体之热裂解温度要低的温度。

10. 发明专利

TWI476859B 基板位置檢測裝置、具備其之成膜裝置及基板位置檢測方法有权
简体标题：基板位置检测设备、具备其之成膜设备及基板位置检测方法
公开(公告)号：TWI476859B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW100134694
申请日：2011-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：相川勝芳 , AIKAWA, KATSUYOSHI , 本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/44 , C23C16/45551 , C23C16/52 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/68771

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