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41. 发明专利

TWI229782B 適用於短波長曝光之光阻組成物以及光阻圖案形成方法(二) RESIST COMPOSISITON SUITABLE FOR SHORT WAVELENGTH EXPOSURE AND RESIST PATTERN FORMING METHOD 失效
简体标题：适用于短波长曝光之光阻组成物以及光阻图案形成方法(二) RESIST COMPOSISITON SUITABLE FOR SHORT WAVELENGTH EXPOSURE AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
公开(公告)号：TWI229782B
公开(公告)日：2005-03-21
申请号：TW092126682
申请日：1998-04-22
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：野崎耕司 KOJI NOZAKI , 矢野映 EI YANO
IPC分类号： G03F , G03C
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：一種光阻組成物，其包括一聚合物，該聚合物在一單體單元之一支鏈處含有一個具一保護基團之羧基基團，該聚合物不溶解於鹼性水溶液，而在該羧基的保護基團從支鏈被移除時變成可溶於鹼性水溶液，該羧基基團的保護基團如下式所示：其中R是一氫原子或一單鍵烴類，n是一個1到4之整數，且R係接到一除了酯鍵結的位置以外的位置。
简体摘要：一种光阻组成物，其包括一聚合物，该聚合物在一单体单元之一支链处含有一个具一保护基团之羧基基团，该聚合物不溶解于碱性水溶液，而在该羧基的保护基团从支链被移除时变成可溶于碱性水溶液，该羧基基团的保护基团如下式所示：其中R是一氢原子或一单键烃类，n是一个1到4之整数，且R系接到一除了酯键结的位置以外的位置。

42. 发明专利

TW200510915A 藉由化學放大型阻抗成像形成50奈米或更小半間距特徵之製程 PROCESS FOR FORMING FEATURES OF 50 NM OR LESS HALF-PITCH WITH CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST IMAGING 审中-公开
简体标题：借由化学放大型阻抗成像形成50奈米或更小半间距特征之制程 PROCESS FOR FORMING FEATURES OF 50 NM OR LESS HALF-PITCH WITH CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST IMAGING
公开(公告)号：TW200510915A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093116876
申请日：2004-06-11
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：大衛R 米德羅 MEDEIROS, DAVID R. , 吳桑黃 HUANG, WU-SONG , 葛瑞格里M 沃爾瑞 WALLRAFF, GREGORY M. , 比爾海斯伯 HINSBERG, BILL , 法蘭西斯侯萊 HOULE, FRANCES
IPC分类号： G03C
CPC分类号： G03F7/265 , G03F7/38
摘要：藉由使用降低溫度後曝光製程，與低活化能化學放大型阻抗，在化學放大型阻抗(常用於積體電路之製造)中，50nm(或更低)之微影成像半間距特徵被致能。後曝光製程較佳涉及常溫或微昇溫，與去保護反應(deprotection)依附性共反應物(如水)之存在。
简体摘要：借由使用降低温度后曝光制程，与低活化能化学放大型阻抗，在化学放大型阻抗(常用于集成电路之制造)中，50nm(或更低)之微影成像半间距特征被致能。后曝光制程较佳涉及常温或微升温，与去保护反应(deprotection)依附性共反应物(如水)之存在。

43. 发明专利

TW200510914A 相變化型光記錄媒體,光記錄方法及光記錄裝置失效
简体标题：相变化型光记录媒体,光记录方法及光记录设备
公开(公告)号：TW200510914A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093125896
申请日：2004-08-27
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：讓原肇 YUZURIHARA, HAJIME , 出口浩司 DEGUCHI, HIROSHI , 山田勝幸 YAMADA, KATSUYUKI , 鳴海慎也 NARUMI, SHINYA , 安部美樹子 ABE, MIKIKO , 日比野榮子 HIBINO, EIKO , 三浦裕司 MIURA, HIROSHI
IPC分类号： G03C , G11B
CPC分类号： G11B7/0062 , G11B7/243 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
摘要：本發明的目的在於提供，於對相變化型光記錄媒體，尤其是對對應高速之可覆寫型DVD媒體進行CAV(Constant Angular Velocity，等角速度)記錄情況下，可提升記錄特性及一致性之光記錄方法，及採用於該光記錄方法之相變化型光記錄媒體及光記錄裝置。本發明的解決手段為提供，於對相變化型光記錄媒體進行記錄之際，記錄光是由加熱脈衝及冷卻脈衝的脈衝列以及用於抹除的光所組成，藉由峰值功率(Pp)，及底值功率(Pb)，及抹除功率(Pe)之3值來控制照射功率，於該光記錄媒體中之最低記錄線速度及最高記錄線速度的範圍內，設定Pe／Pp、Pp、Pb及Pe當中至少一項為可變動，再依對應於記錄線速度之時脈T的比例，來改變各個脈衝的照射時間而記錄，於此記錄方法當中，設定抖動急遽惡化且顯示最大值之記錄線速度為特異記錄線速度，從較該特異記錄線速度還慢的特定記錄線速度開始，至少改變上述Pe／Pp而進行記錄之光記錄方法，及採用於該光記錄方法之相變化型光記錄媒體及光記錄裝置。
简体摘要：本发明的目的在于提供，于对相变化型光记录媒体，尤其是对对应高速之可覆写型DVD媒体进行CAV(Constant Angular Velocity，等角速度)记录情况下，可提升记录特性及一致性之光记录方法，及采用于该光记录方法之相变化型光记录媒体及光记录设备。本发明的解决手段为提供，于对相变化型光记录媒体进行记录之际，记录光是由加热脉冲及冷却脉冲的脉冲列以及用于抹除的光所组成，借由峰值功率(Pp)，及底值功率(Pb)，及抹除功率(Pe)之3值来控制照射功率，于该光记录媒体中之最低记录线速度及最高记录线速度的范围内，设置Pe／Pp、Pp、Pb及Pe当中至少一项为可变动，再依对应于记录线速度之时脉T的比例，来改变各个脉冲的照射时间而记录，于此记录方法当中，设置抖动急遽恶化且显示最大值之记录线速度为特异记录线速度，从较该特异记录线速度还慢的特定记录线速度开始，至少改变上述Pe／Pp而进行记录之光记录方法，及采用于该光记录方法之相变化型光记录媒体及光记录设备。

44. 发明专利

TW200506522A 光阻聚合物與含有該光阻聚合物之光阻化合物 PHOTORESIST POLYMER AND PHOTORESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME 失效
简体标题：光阻聚合物与含有该光阻聚合物之光阻化合物 PHOTORESIST POLYMER AND PHOTORESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME
公开(公告)号：TW200506522A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093118337
申请日：2004-06-24
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：鄭載昌 JUNG, JAE CHANG
IPC分类号： C08F , G03F , G03C , H01L
CPC分类号： C08F220/18 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要：本發明有關光阻聚合物及含有該光阻聚合物之光阻組合物。小於50奈米之光阻圖案係使用EUV(極遠紫外線)作為曝光光源以包含下列成份之光阻組合物來達成：(i)包含式2聚合重現單元之光阻聚合物或(ii)包含式3聚合重現單元之光阻聚合物與聚乙烯基苯酚。結果，雖然該光阻圖案具有極小之厚度，但仍可取得優越之抗蝕刻性。093118337-p01.bmp其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、a、b、c、d、e、f及g係如本發明所定義。
简体摘要：本发明有关光阻聚合物及含有该光阻聚合物之光阻组合物。小于50奈米之光阻图案系使用EUV(极远紫外线)作为曝光光源以包含下列成份之光阻组合物来达成：(i)包含式2聚合重现单元之光阻聚合物或(ii)包含式3聚合重现单元之光阻聚合物与聚乙烯基苯酚。结果，虽然该光阻图案具有极小之厚度，但仍可取得优越之抗蚀刻性。093118337-p01.bmp其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、a、b、c、d、e、f及g系如本发明所定义。

45. 发明专利

TW200506504A 光活性化合物 PHOTOACTIVE COMPOUNDS 审中-公开
公开(公告)号：TW200506504A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093111558
申请日：2004-04-26
申请人：克來里恩國際公司 CLARIANT INTERNATIONAL, LTD.
发明人： M 戴力瑞漢 RAHMAN, M. DALIL , 法蘭西司M 豪力漢 HOULIHAN, FRANCIS M.
IPC分类号： G03C
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C381/12 , G03F7/0392
摘要：本發明係關於可被用於調配光阻劑組合物的新穎光活性化合物。
简体摘要：本发明系关于可被用于调配光阻剂组合物的新颖光活性化合物。

46. 发明专利

TW200428145A 功能化之聚合物 FUNCTIONALIZED POLYMER 审中-公开
公开(公告)号：TW200428145A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW092135119
申请日：2003-12-12
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：安蘇利斯艾賈多 ANZURES, EDGARDO , 貝爾羅伯特K BARR, ROBERT K. , 傅友萍 FU, YUEPING
IPC分类号： G03C , G03F
CPC分类号： C08F220/28 , G03F7/031 , G03F7/033 , G03F7/035 , G03F7/0388
摘要：一種功能化共聚物其含有衍生自可聚合單體之主鏈以及側鏈官能基且以一或多個α或β烯屬或炔屬不飽和基團為端基。該功能化共聚物可自我交聯且適合用作為黏結劑。
简体摘要：一种功能化共聚物其含有衍生自可聚合单体之主链以及侧链官能基且以一或多个α或β烯属或炔属不饱和基团为端基。该功能化共聚物可自我交联且适合用作为黏结剂。

47. 发明专利

TW200407661A 彩色光熱敏成像系統中之有機銀鹽混合物 MIXTURES OF ORGANIC SILVER SALTS IN COLOR PHOTOTHERMOGRAPHIC SYSTEMS 审中-公开
简体标题：彩色光热敏成像系统中之有机银盐混合物 MIXTURES OF ORGANIC SILVER SALTS IN COLOR PHOTOTHERMOGRAPHIC SYSTEMS
公开(公告)号：TW200407661A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW091132666
申请日：2002-11-06
申请人：柯達公司 EASTMAN KODAK COMPANY
发明人：琳瑪麗艾文 LYN MARIE IRVING , 大衛豪沃樂維 DAVID HOWARD LEVY , 馬克艾德華艾文 MARK EDWARD IRVING
IPC分类号： G03C
CPC分类号： G03C1/49845 , G03C1/34 , G03C1/49809 , G03C2200/42 , Y10S430/16
摘要：本發明係關於非光敏有機銀鹽在包含彩色照相用封閉顯影劑之彩色光熱敏成像系統中之混合物之用途。在熱顯影時，至少一種有機銀鹽為單獨或主要銀予體，及在光熱敏成像元件之熱顯影時，至少一種其他之有機銀鹽(以30,000至60,000毫克／莫耳鹵化銀之範圍之含量存在)有效地抑制霧。在一個具體實施例中，此系統包含至少兩種有機銀鹽之混合物，其中第一有機銀鹽呈現0.1至10之cLogP與7至14之Ksp，及其中第二有機銀鹽呈現0.1至10之cLogP與14至21之Ksp。
简体摘要：本发明系关于非光敏有机银盐在包含彩色照相用封闭显影剂之彩色光热敏成像系统中之混合物之用途。在热显影时，至少一种有机银盐为单独或主要银予体，及在光热敏成像组件之热显影时，至少一种其他之有机银盐(以30,000至60,000毫克／莫耳卤化银之范围之含量存在)有效地抑制雾。在一个具体实施例中，此系统包含至少两种有机银盐之混合物，其中第一有机银盐呈现0.1至10之cLogP与7至14之Ksp，及其中第二有机银盐呈现0.1至10之cLogP与14至21之Ksp。

48. 发明专利

TW200401944A 電路基板、光電裝置、電子機器审中-公开
简体标题：电路基板、光电设备、电子机器
公开(公告)号：TW200401944A
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW092102638
申请日：2003-01-30
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：宮澤貴士 MIYAZAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L , G03C
CPC分类号： H01L27/3258 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：課題：本發明係提供一種光電裝置，其係使電晶體等主動元件穩定地運作，並可成為大畫面且經長時間仍可穩定地顯示運作。解決方法：光電裝置(1)係由下述所構成者：光電元件，其係挾持於陰極(222)與陽極(23)之間，且配置於基板(2)之上方；主動元件(24)，其係驅動光電元件；絕緣膜(283、284)，其係由介電率在特定值以下之絕緣材料所成者，該絕緣材料係配置於陰極(222)與陽極(23)中至少一者與基板(2)之間。
简体摘要：课题：本发明系提供一种光电设备，其系使晶体管等主动组件稳定地运作，并可成为大画面且经长时间仍可稳定地显示运作。解决方法：光电设备(1)系由下述所构成者：光电组件，其系挟持于阴极(222)与阳极(23)之间，且配置于基板(2)之上方；主动组件(24)，其系驱动光电组件；绝缘膜(283、284)，其系由介电率在特定值以下之绝缘材料所成者，该绝缘材料系配置于阴极(222)与阳极(23)中至少一者与基板(2)之间。

49. 实用新型

TW568349U Parallelism adjusting device for nano-transferring 失效
公开(公告)号：TW568349U
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW92208079
申请日：2003-05-02
申请人： IND TECH RES INST
发明人： JUNG YUNG-JEN , LIN JIA-HUNG , CHEN CHUAN-FENG , SHIU JIA-JIUN , FENG WEN-HUNG
IPC分类号： B29C33/30 , B29C59/02 , G03C5/00 , G03F7/00 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B29C33/303 , B29C59/022 , B29C2059/023 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F9/00 , Y10S425/019

50. 发明专利

TW557419B 固定及處理薄膜材料之方法失效
简体标题：固定及处理薄膜材料之方法
公开(公告)号：TW557419B
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW089121561
申请日：2000-10-16
申请人：莫頓國際公司
发明人：理查 W 卡本特
IPC分类号： G03F , H05K , G03C
CPC分类号： H05K3/007 , H01L2924/19041 , H05K1/16 , H05K2201/09909 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/016
摘要：為了將薄膜固定到隨後將暴露於處理化學品之剛硬載體上，係先將該薄膜用低黏著劑黏附到該剛硬載體上而可於隨後剝開該薄膜。然後在該薄膜上沿該薄膜周邊施加光阻劑到伸展超過該載體周圍區上。將該光阻劑暴露於一光化輻射其圖樣為使得隨後將該光阻劑顯像時，該光阻劑的周邊區仍然保留在該載體的周邊區上並向內延展過該薄膜的周邊到足以在輸送經過化學處理的過程中固定住該薄膜。最後剝開該阻層以釋放該薄膜並將該薄膜從該黏著劑圖樣剝開。
简体摘要：为了将薄膜固定到随后将暴露于处理化学品之刚硬载体上，系先将该薄膜用低黏着剂黏附到该刚硬载体上而可于随后剥开该薄膜。然后在该薄膜上沿该薄膜周边施加光阻剂到伸展超过该载体周围区上。将该光阻剂暴露于一光化辐射其图样为使得随后将该光阻剂显像时，该光阻剂的周边区仍然保留在该载体的周边区上并向内延展过该薄膜的周边到足以在输送经过化学处理的过程中固定住该薄膜。最后剥开该阻层以释放该薄膜并将该薄膜从该黏着剂图样剥开。

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