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    • 45. 发明专利
    • 有機及無機複合組合物及使用該組合物之開關
    • 有机及无机复合组合物及使用该组合物之开关
    • TW324733B
    • 1998-01-11
    • TW084105270
    • 1995-05-25
    • 三菱電機股份有限公司
    • 加藤和晴
    • C08LC08K
    • H01H9/00C08K3/016Y10T428/23Y10T428/232Y10T428/239Y10T428/31736Y10T428/31739
    • 本發明提供一種不會腐蝕金屬零件之高難燃性有機及無機複合組成物,及在開啟及閉合電極後具有極佳絕緣性質之緊密開關(Compact switch)。
      本發明關於一種有機及無機複合組成物,其中樹脂含量為15 至70wt% ,及可在150℃或更高溫下脫水之一種或多種無機化合物之含量為80至30wt% 。當此組成物曝露於燃燒之中時,無機化合物可以在150℃ 或更高溫下脫水,且含於有機及無機複合組成物中之無機化合物可產生蒸氣,然後抑制燃燒。同時,蒸氣產生過程中之吸熱反應可吸收燃燒熱。
      本發明提供一種具有模製物件之開關,此模製物件之全部或一部份內有機及無機複合組成物組成,其中盒子之基底之基底內側2a係由例如樹脂含量為15至70wt%,且可在150℃或更高溫下脫水之一種或多種無機化合物之含量為80至30wt%之有機及無機複合組成物組成。
    • 本发明提供一种不会腐蚀金属零件之高难燃性有机及无机复合组成物,及在打开及闭合电极后具有极佳绝缘性质之紧密开关(Compact switch)。 本发明关于一种有机及无机复合组成物,其中树脂含量为15 至70wt% ,及可在150℃或更高温下脱水之一种或多种无机化合物之含量为80至30wt% 。当此组成物曝露于燃烧之中时,无机化合物可以在150℃ 或更高温下脱水,且含于有机及无机复合组成物中之无机化合物可产生蒸气,然后抑制燃烧。同时,蒸气产生过程中之吸热反应可吸收燃烧热。 本发明提供一种具有模制对象之开关,此模制对象之全部或一部份内有机及无机复合组成物组成,其中盒子之基底之基底内侧2a系由例如树脂含量为15至70wt%,且可在150℃或更高温下脱水之一种或多种无机化合物之含量为80至30wt%之有机及无机复合组成物组成。
    • 46. 发明专利
    • 具黏著性之聚醯亞胺薄膜
    • 具黏着性之聚酰亚胺薄膜
    • TW222287B
    • 1994-04-11
    • TW081107293
    • 1992-09-16
    • 窒素股份有限公司
    • 伊丹節男國宗弘一添田義弘菊田一蓌
    • C08GC08J
    • H05K1/0346C08G73/106C08G77/455C09J7/10H05K2201/0154Y10T428/31663Y10T428/31721Y10T428/31736
    • 本發明係有關一種具粘著性之聚醯亞胺薄膜,其特徵為以一般式(I)所示之重覆單位為主成份之矽改質所成者。□ …(Ⅰ)
      〔其中,L′為獨立之-O-,,-CO-,-SO2-,-S-或-C(R4)2-(R4為-CH3,-CF3或H);R3為獨立之以一般式(II)~(V)所示之任一基,(SILO)以一般式(VI)所示(其中,R5為碳數1~6之烷基、苯基、或碳數7~12經烷基取代之苯基;m係以1<m≦3;(PI)以一般式(VII)所示(其中,L2為-O-,-CO-,-SO2-,-S-或-C(R4)2-(而R4為-CH3,-CF3,或H);R′為碳數1~6之烷基、苯基、或碳數7~12經烷基取代之苯基;R2為獨立之以一般式(II)~(V)所示之任一基;CC係以1≦CC≦100示之;n係以1≦n≦3示之;S為1~4之整數;p及q係為滿足一般式(VIII)及(IX)之數〕。□ …(II)□ …(III)□ …(IV)□ …(V)□ …(VI)□□ …(VII)□ …(VIII)□ …(IX)
    • 本发明系有关一种具粘着性之聚酰亚胺薄膜,其特征为以一般式(I)所示之重复单位为主成份之硅改质所成者。□ …(Ⅰ) 〔其中,L′为独立之-O-,,-CO-,-SO2-,-S-或-C(R4)2-(R4为-CH3,-CF3或H);R3为独立之以一般式(II)~(V)所示之任一基,(SILO)以一般式(VI)所示(其中,R5为碳数1~6之烷基、苯基、或碳数7~12经烷基取代之苯基;m系以1<m≦3;(PI)以一般式(VII)所示(其中,L2为-O-,-CO-,-SO2-,-S-或-C(R4)2-(而R4为-CH3,-CF3,或H);R′为碳数1~6之烷基、苯基、或碳数7~12经烷基取代之苯基;R2为独立之以一般式(II)~(V)所示之任一基;CC系以1≦CC≦100示之;n系以1≦n≦3示之;S为1~4之整数;p及q系为满足一般式(VIII)及(IX)之数〕。□ …(II)□ …(III)□ …(IV)□ …(V)□ …(VI)□□ …(VII)□ …(VIII)□ …(IX)