专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TW201021626A 表面處理裝置审中-公开
简体标题：表面处理设备
公开(公告)号：TW201021626A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098131976
申请日：2009-09-22
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：梅岡尚 , 八木澤博史 , 真弓聰 , 佐藤崇 , 功刀俊介
IPC分类号： H05H , C23C
CPC分类号： H01J37/32752 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069
摘要：本發明之表面處理裝置防止處理氣體自對被處理物進行表面處理之處理槽洩漏，且使處理空間內之處理氣體之流動穩定化。藉由搬送機構20將被處理物9自搬入開口13向處理槽10之內部搬入，並配置於處理空間19內。將處理氣體自供給系統30向處理空間19供給，而對被處理物9進行表面處理。然後，將被處理物9自搬出開口14搬出。利用排氣系統40自處理槽10之內部排出氣體。藉由該氣體排出，外部之氣體通過開口13、14而流入至處理槽10之內部。該流入氣體之平均流速係設定為0.1m/sec以上、且未達流入氣體到達處理空間19時之流速大小。
简体摘要：本发明之表面处理设备防止处理气体自对被处理物进行表面处理之处理槽泄漏，且使处理空间内之处理气体之流动稳定化。借由搬送机构20将被处理物9自搬入开口13向处理槽10之内部搬入，并配置于处理空间19内。将处理气体自供给系统30向处理空间19供给，而对被处理物9进行表面处理。然后，将被处理物9自搬出开口14搬出。利用排气系统40自处理槽10之内部排出气体。借由该气体排出，外部之气体通过开口13、14而流入至处理槽10之内部。该流入气体之平均流速系设置为0.1m/sec以上、且未达流入气体到达处理空间19时之流速大小。

42. 发明专利

TW201013775A 含矽膜之蝕刻方法及裝置审中-公开
简体标题：含硅膜之蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TW201013775A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098107473
申请日：2009-03-06
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：功刀俊介 , 佐藤崇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137
摘要：本發明提供一種含矽膜之蝕刻方法及裝置，其可抑制基礎膜之蝕刻，並且無殘渣且高速率地對矽或氧化矽之含矽膜進行蝕刻。使包含氟系反應成分與氧化性反應成分之處理氣體與被處理物90相接觸，以對基礎膜92上之含矽膜93進行蝕刻。根據蝕刻之進行，利用流速調節機構60改變處理氣體在被處理物90上之流速。較好的是調節處理氣體之流量以改變氣體流速。更好的是，於處理氣體供給系統10中混合流速調節用氣體或者停止混合，以調節處理氣體之流量。
简体摘要：本发明提供一种含硅膜之蚀刻方法及设备，其可抑制基础膜之蚀刻，并且无残渣且高速率地对硅或氧化硅之含硅膜进行蚀刻。使包含氟系反应成分与氧化性反应成分之处理气体与被处理物90相接触，以对基础膜92上之含硅膜93进行蚀刻。根据蚀刻之进行，利用流速调节机构60改变处理气体在被处理物90上之流速。较好的是调节处理气体之流量以改变气体流速。更好的是，于处理气体供给系统10中混合流速调节用气体或者停止混合，以调节处理气体之流量。

43. 发明专利

TW201029723A 電漿處理方法及裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及设备
公开(公告)号：TW201029723A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098130271
申请日：2009-09-08
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：真弓聰 , 功刀俊介 , 佐藤崇 , 梅岡尚
IPC分类号： B01D , H05H
CPC分类号： B01D53/229 , B01D2257/2027 , B01D2258/0216 , H01L21/32137
摘要：於大氣壓電漿處理中，可抑制氟原料之回收率或回收濃度之變動，確保處理之穩定性。將自大氣壓電漿處理部2排出至排出管線30之排出氣體以分離部4之分離膜41而分離為朝向回收管線50之回收氣體與朝向放出管線60之放出氣體。將回收氣體充當為製程氣體之至少一部分。於上述分離時，根據製程氣體之流量而調節回收氣體、放出氣體、排出氣體中至少二種氣體之與上述分離相關之物理量(較好的是壓力)，以使氟系原料之回收率及回收濃度中任一者或兩者成為所期望者。
简体摘要：于大气压等离子处理中，可抑制氟原料之回收率或回收浓度之变动，确保处理之稳定性。将自大气压等离子处理部2排出至排出管线30之排出气体以分离部4之分离膜41而分离为朝向回收管线50之回收气体与朝向放出管线60之放出气体。将回收气体充当为制程气体之至少一部分。于上述分离时，根据制程气体之流量而调节回收气体、放出气体、排出气体中至少二种气体之与上述分离相关之物理量(较好的是压力)，以使氟系原料之回收率及回收浓度中任一者或两者成为所期望者。

44. 发明专利

TW200945439A 含矽膜之蝕刻方法及裝置审中-公开
简体标题：含硅膜之蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TW200945439A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098107001
申请日：2009-03-04
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：功刀俊介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137
摘要：本發明提供一種含矽膜之蝕刻方法及裝置，其可縮短處理時間，並且可抑制基底膜之蝕刻且無殘渣地對含矽膜進行蝕刻。使包含氟系反應成分與H2O或含OH基之化合物的處理氣體與被處理物90相接觸，對含矽膜93進行蝕刻。根據蝕刻之進行。使處理氣體中之H2O或含OH基之化合物的含有率改變。較好的是，於對含矽膜之應蝕刻部分之大部分進行蝕刻的第1蝕刻步驟中，使上述含有率較高，於對殘存之含矽膜進行蝕刻的第2蝕刻步驟中，使上述含有率較小。
简体摘要：本发明提供一种含硅膜之蚀刻方法及设备，其可缩短处理时间，并且可抑制基底膜之蚀刻且无残渣地对含硅膜进行蚀刻。使包含氟系反应成分与H2O或含OH基之化合物的处理气体与被处理物90相接触，对含硅膜93进行蚀刻。根据蚀刻之进行。使处理气体中之H2O或含OH基之化合物的含有率改变。较好的是，于对含硅膜之应蚀刻部分之大部分进行蚀刻的第1蚀刻步骤中，使上述含有率较高，于对残存之含硅膜进行蚀刻的第2蚀刻步骤中，使上述含有率较小。

45. 发明专利

TWI380363B 含矽膜之蝕刻方法及裝置有权
简体标题：含硅膜之蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TWI380363B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW098107001
申请日：2009-03-04
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：功刀俊介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137
摘要：本發明提供一種含矽膜之蝕刻方法及裝置，其可縮短處理時間，並且可抑制基底膜之蝕刻且無殘渣地對含矽膜進行蝕刻。使包含氟系反應成分與H2O或含OH基之化合物的處理氣體與被處理物90相接觸，對含矽膜93進行蝕刻。根據蝕刻之進行，使處理氣體中之H2O或含OH基之化合物的含有率改變。較好的是，於對含矽膜之應蝕刻部分之大部分進行蝕刻的第1蝕刻步驟中，使上述含有率較高，於對殘存之含矽膜進行蝕刻的第2蝕刻步驟中，使上述含有率較小。
简体摘要：本发明提供一种含硅膜之蚀刻方法及设备，其可缩短处理时间，并且可抑制基底膜之蚀刻且无残渣地对含硅膜进行蚀刻。使包含氟系反应成分与H2O或含OH基之化合物的处理气体与被处理物90相接触，对含硅膜93进行蚀刻。根据蚀刻之进行，使处理气体中之H2O或含OH基之化合物的含有率改变。较好的是，于对含硅膜之应蚀刻部分之大部分进行蚀刻的第1蚀刻步骤中，使上述含有率较高，于对残存之含硅膜进行蚀刻的第2蚀刻步骤中，使上述含有率较小。

46. 发明专利

TW201142937A 蝕刻方法及裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TW201142937A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100110642
申请日：2011-03-28
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：功刀俊介 , 真弓聰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32825 , H01L21/6708 , H01L21/6776 , H01L29/66765
摘要：本發明係使半導體裝置之通道部分等之蝕刻效率化且縮短處理節拍。於本發明中,沿接近大氣壓之壓力之搬送路徑11連續地搬送被處理物9。於搬送路徑11之上游側之位置,自供給噴嘴21對被處理物9供給蝕刻液,從而對金屬膜97進行濕式蝕刻。繼而,於搬送路徑11之下游側之處理空間19內,使含有氟系反應成分及氧化性反應成分之蝕刻氣體接觸被處理物9之表面,從而對半導體膜94進行乾式蝕刻。氟系反應成分係藉由大氣壓電漿而生成。根據被處理物9之搬送速度,以使被處理物9通過處理空間19之期間內之蝕刻深度與摻雜有雜質之膜部分96之厚度相對應的方式設定蝕刻速率。
简体摘要：本发明系使半导体设备之信道部分等之蚀刻效率化且缩短处理节拍。于本发明中,沿接近大气压之压力之搬送路径11连续地搬送被处理物9。于搬送路径11之上游侧之位置,自供给喷嘴21对被处理物9供给蚀刻液,从而对金属膜97进行湿式蚀刻。继而,于搬送路径11之下游侧之处理空间19内,使含有氟系反应成分及氧化性反应成分之蚀刻气体接触被处理物9之表面,从而对半导体膜94进行干式蚀刻。氟系反应成分系借由大气压等离子而生成。根据被处理物9之搬送速度,以使被处理物9通过处理空间19之期间内之蚀刻深度与掺杂有杂质之膜部分96之厚度相对应的方式设置蚀刻速率。

47. 发明专利

TW201220391A 含矽物之蝕刻裝置审中-公开
简体标题：含硅物之蚀刻设备
公开(公告)号：TW201220391A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100135101
申请日：2011-09-28
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：福田崇志 , 真弓聰 , 功刀俊介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6708
摘要：本發明係提高含矽物之蝕刻處理之均一性。使覆膜有含矽物9a之被處理基板9支撐於虛擬平面PL上,並且相對噴嘴30於搬送方向x上進行相對移動。自噴嘴30之噴出孔31將含有氟系反應成分之處理氣體噴出,且接觸於被處理基板9。噴嘴30係於與搬送方向x正交之寬度方向y上延伸,且與寬度方向y正交之剖面以朝向虛擬平面PL變尖之方式變成錐狀。於噴嘴30之前端緣開口有噴出孔31。於噴嘴30之前端緣與虛擬平面PL之間畫分出反應部位1a,於噴嘴30之傾斜側面34與虛擬平面PL之間畫分出擴散空間1e。
简体摘要：本发明系提高含硅物之蚀刻处理之均一性。使覆膜有含硅物9a之被处理基板9支撑于虚拟平面PL上,并且相对喷嘴30于搬送方向x上进行相对移动。自喷嘴30之喷出孔31将含有氟系反应成分之处理气体喷出,且接触于被处理基板9。喷嘴30系于与搬送方向x正交之宽度方向y上延伸,且与宽度方向y正交之剖面以朝向虚拟平面PL变尖之方式变成锥状。于喷嘴30之前端缘开口有喷出孔31。于喷嘴30之前端缘与虚拟平面PL之间画分出反应部位1a,于喷嘴30之倾斜侧面34与虚拟平面PL之间画分出扩散空间1e。

48. 发明专利

TW201218307A 表面處理用搬送裝置审中-公开
简体标题：表面处理用搬送设备
公开(公告)号：TW201218307A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100134015
申请日：2011-09-21
申请人：積水化學工業股份有限公司 , 夏普股份有限公司
发明人：功刀俊介 , 真弓聰 , 吉澤武德 , 小林和樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67706 , B65G49/064 , H01L21/6776
摘要：本發明係於表面處理用之搬送裝置中,確保表面處理之均一性,且確實地搬送被處理基板。於表面處理用搬送裝置20之處理區域R內,在搬送方向x上隔開間隔地排列複數個軸30。於各軸30設置旋轉支持體40。以處理區域R內之沿搬送方向x之任意線段L上所存在之旋轉支持體40的個數N40於寬度方向y之幾乎所有位置上達到固定之方式,使旋轉支持體40於搬送方向x及寬度方向y上分散地配置。利用旋轉支持體40支持被處理基板9,使旋轉支持體40圍繞軸30之軸線旋轉。
简体摘要：本发明系于表面处理用之搬送设备中,确保表面处理之均一性,且确实地搬送被处理基板。于表面处理用搬送设备20之处理区域R内,在搬送方向x上隔开间隔地排列复数个轴30。于各轴30设置旋转支持体40。以处理区域R内之沿搬送方向x之任意线段L上所存在之旋转支持体40的个数N40于宽度方向y之几乎所有位置上达到固定之方式,使旋转支持体40于搬送方向x及宽度方向y上分散地配置。利用旋转支持体40支持被处理基板9,使旋转支持体40围绕轴30之轴线旋转。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式