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41. 发明专利

TW201403893A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201403893A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101124841
申请日：2012-07-10
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 林新強 , LIN, HSIN CHIANG
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：一種發光二極體製造方法，該製造方法包括步驟：提供金屬基板，該金屬基板包括第一表面與第二表面，該第一表面開設凹槽形成固晶區與打線區，固晶區與打線區通過凹槽隔開，固晶區內具有凹陷；在該凹陷內設置LED晶片並通過導線電連接打線區；形成封裝層覆蓋固晶區及打線區；去除金屬基板位於封裝層下方避開固晶區及打線區的部分，使固晶區與打線區分離。
简体摘要：一种发光二极管制造方法，该制造方法包括步骤：提供金属基板，该金属基板包括第一表面与第二表面，该第一表面开设凹槽形成固晶区与打线区，固晶区与打线区通过凹槽隔开，固晶区内具有凹陷；在该凹陷内设置LED芯片并通过导线电连接打线区；形成封装层覆盖固晶区及打线区；去除金属基板位于封装层下方避开固晶区及打线区的部分，使固晶区与打线区分离。

42. 发明专利

TWI416770B LED封裝結構有权
简体标题： LED封装结构
公开(公告)号：TWI416770B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW100114192
申请日：2011-04-25
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林新強 , LIN, HSIN CHIANG , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 張潔玲 , CHANG, CHIEH LING
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014

43. 发明专利

TWI416769B 發光二極體光源裝置有权
简体标题：发光二极管光源设备
公开(公告)号：TWI416769B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW100119047
申请日：2011-05-31
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林新強 , LIN, HSIN CHIANG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014

44. 发明专利

TWI415307B LED封裝結構的製作方法有权
简体标题： LED封装结构的制作方法
公开(公告)号：TWI415307B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW100130226
申请日：2011-08-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林新強 , LIN, HSIN CHIANG , 陳立翔 , CHEN, LI HSIANG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62

45. 发明专利

TW201344986A 發光二極體及其封裝方法失效
简体标题：发光二极管及其封装方法
公开(公告)号：TW201344986A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101116116
申请日：2012-05-07
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林新強 , LIN, HSIN CHIANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要：一種發光二極體，包括引腳結構、發光元件、及覆蓋於該發光元件上的封裝層，所述引腳結構包括相互間隔的第一電極和第二電極，該發光元件與該第一電極和第二電極分別形成電性連接，所述第一、第二電極相互鄰近的端面係傾斜端面，所述第一電極的傾斜端面設置於第二電極的傾斜端面的上方。本發明還涉及一種該發光二極體的封裝方法。
简体摘要：一种发光二极管，包括引脚结构、发光组件、及覆盖于该发光组件上的封装层，所述引脚结构包括相互间隔的第一电极和第二电极，该发光组件与该第一电极和第二电极分别形成电性连接，所述第一、第二电极相互邻近的端面系倾斜端面，所述第一电极的倾斜端面设置于第二电极的倾斜端面的上方。本发明还涉及一种该发光二极管的封装方法。

46. 发明专利

TW201338214A 半導體封裝製造方法及其封裝結構失效
简体标题：半导体封装制造方法及其封装结构
公开(公告)号：TW201338214A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101109408
申请日：2012-03-20
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 林新強 , LIN, HSIN CHIANG
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/54 , H01L2224/13 , H01L2933/0041
摘要：本發明提供一種半導體封裝製造方法，其包括以下的步驟，首先，提供一基板，在該基板上設置一第一電極以及一第二電極，接著，設置一LED晶片，在該基板上並與該第一、二電極達成電性連接，然後，形成一螢光層，在該基板上並覆蓋該LED晶片，緊接著，提供一圖案化遮罩以及一紫外光光源，該圖案化遮罩設置在該螢光層上，並以該紫外光光源照射該螢光層，跟著，形成一敷形塗層，移除該圖案化遮罩後蝕刻該螢光層，在該LED晶片的表面及側邊形成，最後，形成一封裝層並切割該基板，該封裝層覆蓋該螢光層，經切割該基板後形成複數封裝結構。本發明並提供該半導體封裝結構。
简体摘要：本发明提供一种半导体封装制造方法，其包括以下的步骤，首先，提供一基板，在该基板上设置一第一电极以及一第二电极，接着，设置一LED芯片，在该基板上并与该第一、二电极达成电性连接，然后，形成一萤光层，在该基板上并覆盖该LED芯片，紧接着，提供一图案化遮罩以及一紫外光光源，该图案化遮罩设置在该萤光层上，并以该紫外光光源照射该萤光层，跟着，形成一敷形涂层，移除该图案化遮罩后蚀刻该萤光层，在该LED芯片的表面及侧边形成，最后，形成一封装层并切割该基板，该封装层覆盖该萤光层，经切割该基板后形成复数封装结构。本发明并提供该半导体封装结构。

47. 发明专利

TW201338211A LED封裝結構的製造方法失效
简体标题： LED封装结构的制造方法
公开(公告)号：TW201338211A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108013
申请日：2012-03-09
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 林新強 , LIN, HSIN CHIANG , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/60 , H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： LED封裝結構的製造方法，該製造方法包括步驟：提供基板；在基板上形成彼此絕緣的第一電極、第二電極以及連接層；設置光阻層覆蓋該基板以及該第一電極、第二電極及連接層；去除該光阻層遮擋連接層的部分而形成凹槽；於凹槽內形成金屬層；去除該光阻層的剩餘部分，金屬層形成凹杯；及形成反射層於凹杯內壁面，反射層與金屬層貼合形成反射杯。
简体摘要： LED封装结构的制造方法，该制造方法包括步骤：提供基板；在基板上形成彼此绝缘的第一电极、第二电极以及连接层；设置光阻层覆盖该基板以及该第一电极、第二电极及连接层；去除该光阻层遮挡连接层的部分而形成凹槽；于凹槽内形成金属层；去除该光阻层的剩余部分，金属层形成凹杯；及形成反射层于凹杯内壁面，反射层与金属层贴合形成反射杯。

48. 发明专利

TW201310726A 發光二極體封裝結構失效
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201310726A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100131007
申请日：2011-08-30
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林新強 , LIN, HSIN CHIANG , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG
IPC分类号： H01L33/56 , H01L33/58
摘要：一種發光二極體封裝結構，包括基板、電極、發光二極體晶片和封裝體。所述電極形成於基板表面，所述發光二極體晶片位於基板上，並與所述電極電性連接。該封裝體覆蓋所述基板並包覆所述發光二極體晶片於其內部。該封裝體包含一本體及環繞該本體的一光散射區域。該本體包括與基板貼設的結合面及與結合面相對的出光面。該光散射區域由在部分本體內摻雜散射粒子形成，該光散射區域圍繞所述發光二極體晶片設置。
简体摘要：一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、发光二极管芯片和封装体。所述电极形成于基板表面，所述发光二极管芯片位于基板上，并与所述电极电性连接。该封装体覆盖所述基板并包覆所述发光二极管芯片于其内部。该封装体包含一本体及环绕该本体的一光散射区域。该本体包括与基板贴设的结合面及与结合面相对的出光面。该光散射区域由在部分本体内掺杂散射粒子形成，该光散射区域围绕所述发光二极管芯片设置。

49. 发明专利

TWI626401B 透鏡及其發光裝置有权
简体标题：透镜及其发光设备
公开(公告)号：TWI626401B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105117273
申请日：2016-06-01
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：林新強 , LIN, HSIN-CHIANG , 陳隆欣 , CHEN, LUNG-HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN-LIANG
IPC分类号： F21V5/00 , F21V5/04 , F21S2/00

50. 发明专利

TWI469394B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI469394B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100128479
申请日：2011-08-10
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林新強 , LIN, HSIN CHIANG
IPC分类号： H01L33/48

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