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41. 发明专利

TWI516580B 化學機械研磨研磨漿、化學機械研磨的方法、及導電材料的化學機械研磨系統有权
简体标题：化学机械研磨研磨浆、化学机械研磨的方法、及导电材料的化学机械研磨系统
公开(公告)号：TWI516580B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW100135845
申请日：2011-10-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳科維 , CHEN, KEI WEI , 魏國修 , WEI, KUO HSIU , 張世杰 , CHANG, SHIH CHIEH , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463

42. 发明专利

TWI511199B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI511199B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100144602
申请日：2011-12-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖茂成 , LIAO, MIAO CHENG , 洪敏皓 , HONG, MIN HAO , 葛翔翔 , KO, HSIANG HSIANG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L27/092 , H01L29/10 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262

43. 发明专利

TWI510331B 化學機械硏磨製程所使用之硏磨調整碟與其製法有权
简体标题：化学机械研磨制程所使用之研磨调整碟与其制法
公开(公告)号：TWI510331B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102113236
申请日：2013-04-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：趙晏樟 , CHAO, YEN CHANG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： B24B53/12
CPC分类号： B24B53/12 , B24B53/017 , B24D3/06 , B24D3/28 , B24D18/00

44. 发明专利

TWI469208B 研磨輪、研磨系統及研磨一晶圓之方法有权
简体标题：研磨轮、研磨系统及研磨一晶圆之方法
公开(公告)号：TWI469208B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101108577
申请日：2012-03-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：魏國修 , WEI, KUO HSIU , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG , 郭俊廷 , KUO, CHUN TING
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/11
CPC分类号： B24B7/228 , B24D7/14

45. 发明专利

TW201426988A 裝置與其形成方法及元件审中-公开
简体标题：设备与其形成方法及组件
公开(公告)号：TW201426988A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102144552
申请日：2013-12-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/18
摘要：背照式影像感測器結構包括：影像感測器，與半導體基板之第一側相鄰，其中內連線層係位於半導體基板之第一側上；背照膜，形成於半導體基板之第二側上；金屬遮罩層，形成於背照膜上；以及通孔，埋置於背照膜中，且通孔耦接於金屬遮罩層與半導體基板之間。
简体摘要：背照式影像传感器结构包括：影像传感器，与半导体基板之第一侧相邻，其中内连接层系位于半导体基板之第一侧上；背照膜，形成于半导体基板之第二侧上；金属遮罩层，形成于背照膜上；以及通孔，埋置于背照膜中，且通孔耦接于金属遮罩层与半导体基板之间。

46. 发明专利

TW201324755A 裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201324755A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101129142
申请日：2012-08-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/167 , H01L31/173 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14685
摘要：本發明提供一種裝置，其包含一半導體基板，上述半導體基板具有一正面與一背面。一複晶矽層是設置在上述半導體基板的上述背面上，上述複晶矽層具有一部分，在上述部分摻雜有p型不純物。一介電層是設置在上述半導體基板的上述背面上，其中上述複晶矽層是位於上述半導體基板與上述複晶矽層之間。
简体摘要：本发明提供一种设备，其包含一半导体基板，上述半导体基板具有一正面与一背面。一复晶硅层是设置在上述半导体基板的上述背面上，上述复晶硅层具有一部分，在上述部分掺杂有p型不纯物。一介电层是设置在上述半导体基板的上述背面上，其中上述复晶硅层是位于上述半导体基板与上述复晶硅层之间。

47. 发明专利

TW201241162A 化學機械研磨研磨漿、化學機械研磨的方法、及導電材料的化學機械研磨系統 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, SYSTEM AND METHOD 审中-公开
简体标题：化学机械研磨研磨浆、化学机械研磨的方法、及导电材料的化学机械研磨系统 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, SYSTEM AND METHOD
公开(公告)号：TW201241162A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100135845
申请日：2011-10-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 魏國修 , 張世杰 , 王英郎
IPC分类号： C09K , C09G , B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要：金屬研磨模研磨漿包括化學溶液及研磨劑，研磨劑(abrasives)係為雙模態(bimdal)或其他多模態(multimodal)分佈的粒子尺寸或者主要為二或多種粒子尺寸或粒子尺寸範圍。本發明一實施例也提供一種在化學機械研磨研磨操作中使用研磨漿的方法及系統。
简体摘要：金属研磨模研磨浆包括化学溶液及研磨剂，研磨剂(abrasives)系为双模态(bimdal)或其他多模态(multimodal)分布的粒子尺寸或者主要为二或多种粒子尺寸或粒子尺寸范围。本发明一实施例也提供一种在化学机械研磨研磨操作中使用研磨浆的方法及系统。

48. 发明专利

TWI334179B 金屬間介電層結構及其方法 INTER-METAL DIELECTRIC LAYER STRUCTURE AND METHOD OF THE SAME 有权
简体标题：金属间介电层结构及其方法 INTER-METAL DIELECTRIC LAYER STRUCTURE AND METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI334179B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW093119475
申请日：2004-06-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張簡旭珂 , 陳聖文 , 王英郎 , 廖茂成 , 張宏睿 , 林明輝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/31629 , H01L21/31633
摘要：本發明提供一種金屬間介電層結構及其方法。本發明提供之方法包含下列步驟。導入一製程氣體，以在基板上方形成一低介電常數介電層。同步導入一反應物氣體，以回蝕低介電常數介電層，且與製程氣體反應以在低介電常數介電層上形成包含一額外元素的一介電層。額外元素係由反應物氣體提供。反應物氣體對製程氣體之一體積比大於大約2。反應物氣體可為一氟化氮(nitrogen fluoride，NF3)氣體以提供額外氮(nitrogen)，或一碳氟化物(carbon fluoride，CxFy)氣體以提供額外碳(carbon)。
简体摘要：本发明提供一种金属间介电层结构及其方法。本发明提供之方法包含下列步骤。导入一制程气体，以在基板上方形成一低介电常数介电层。同步导入一反应物气体，以回蚀低介电常数介电层，且与制程气体反应以在低介电常数介电层上形成包含一额外元素的一介电层。额外元素系由反应物气体提供。反应物气体对制程气体之一体积比大于大约2。反应物气体可为一氟化氮(nitrogen fluoride，NF3)气体以提供额外氮(nitrogen)，或一碳氟化物(carbon fluoride，CxFy)气体以提供额外碳(carbon)。

49. 实用新型

TW542049U 防止CMP研磨液顆粒刮傷晶圓之裝置失效
简体标题：防止CMP研磨液颗粒刮伤晶圆之设备
公开(公告)号：TW542049U
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW090212177
申请日：2001-07-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：劉繼文 , 王英郎
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本創作提供一種防止CMP研磨液顆粒刮傷晶圓之裝置，包括：一研磨台、一研磨墊與一研磨頭，其中上述研磨台設有第一冷卻系統，研磨墊，係置於研磨台之上，其中並設有第二冷卻系統，而研磨頭其中設有第三冷卻系統，當進行晶圓CMP時，藉由第一冷卻系統、第二冷卻系統與第三冷卻系統來降低由輸送管流出之研磨液與晶圓研磨期間的溫度，避免研磨液顆粒成長，以防止CMP研磨液顆粒刮傷晶圓。
简体摘要：本创作提供一种防止CMP研磨液颗粒刮伤晶圆之设备，包括：一研磨台、一研磨垫与一研磨头，其中上述研磨台设有第一冷却系统，研磨垫，系置于研磨台之上，其中并设有第二冷却系统，而研磨头其中设有第三冷却系统，当进行晶圆CMP时，借由第一冷却系统、第二冷却系统与第三冷却系统来降低由输送管流出之研磨液与晶圆研磨期间的温度，避免研磨液颗粒成长，以防止CMP研磨液颗粒刮伤晶圆。

50. 发明专利

TW538428B 晶圓清洗裝置與方法有权
简体标题：晶圆清洗设备与方法
公开(公告)号：TW538428B
公开(公告)日：2003-06-21
申请号：TW090111281
申请日：2001-05-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：劉繼文 , 王英郎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種晶圓清洗裝置與方法。其特徵在於將晶圓置於旋轉基座上進行清洗時，清潔液滲入晶圓與旋轉基座接觸面之量受到清洗液的表面張力及晶圓圖形面親水性或疏水性不同影響，當晶圓之圖形面為親水性時，引進去離子水或惰性氣體至晶圓與旋轉基座之接觸面，使滲入接觸面之清洗液減少；當晶圓之圖形面為疏水性時，對晶圓與旋轉基座之接觸面施行抽氣，使滲入接觸面之清洗液增加。依據本發明之裝置與方法可有效地控制滲入晶圓與旋轉基座接觸面之清洗液量，同時清洗晶圓不具圖形之背面、側邊及圖形面邊緣，因而減少清洗液之使用量及縮短清洗時間。
简体摘要：本发明提供一种晶圆清洗设备与方法。其特征在于将晶圆置于旋转基座上进行清洗时，清洁液渗入晶圆与旋转基座接触面之量受到清洗液的表面张力及晶圆图形面亲水性或疏水性不同影响，当晶圆之图形面为亲水性时，引进去离子水或惰性气体至晶圆与旋转基座之接触面，使渗入接触面之清洗液减少；当晶圆之图形面为疏水性时，对晶圆与旋转基座之接触面施行抽气，使渗入接触面之清洗液增加。依据本发明之设备与方法可有效地控制渗入晶圆与旋转基座接触面之清洗液量，同时清洗晶圆不具图形之背面、侧边及图形面边缘，因而减少清洗液之使用量及缩短清洗时间。

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