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41. 发明专利

TW201229658A 光罩基板及光罩之製造方法以及鉻系材料膜有权
简体标题：光罩基板及光罩之制造方法以及铬系材料膜
公开(公告)号：TW201229658A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100142330
申请日：2011-11-18
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：吉川博樹 , 深谷創一 , 稻月判臣 , 山本恆雄 , 中川秀夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
摘要：本發明之鉻系材料膜係添加有使與鉻之混合系統之成為液相之溫度係400℃以下之元素。若使用如此之鉻系材料膜作為光罩基板所具備之光學膜(遮光性膜、蝕刻遮罩膜、蝕刻終止膜等)，則不須依靠特別之膜設計，即可在維持以往之鉻系材料膜之光學特性之下，提高氯系乾蝕刻之速度，且提高圖型化之精度。
简体摘要：本发明之铬系材料膜系添加有使与铬之混合系统之成为液相之温度系400℃以下之元素。若使用如此之铬系材料膜作为光罩基板所具备之光学膜(遮光性膜、蚀刻遮罩膜、蚀刻终止膜等)，则不须依靠特别之膜设计，即可在维持以往之铬系材料膜之光学特性之下，提高氯系干蚀刻之速度，且提高图型化之精度。

42. 发明专利

TW201107868A 光罩基板及光罩 PHOTOMASK BLANK AND PHOTOMASK 审中-公开
公开(公告)号：TW201107868A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099109636
申请日：2010-03-30
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：稻月判臣 , 金子英雄 , 吉川博樹
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要：本發明之解決手段為一種光罩基板，其係於透明基板上，具有：由可含過渡金屬之矽系材料所構成之遮光膜，以及由鉻化合物系材料構成，在從光罩基板加工成光罩之間的任一項步驟中完全被剝離之蝕刻掩膜之光罩基板，蝕刻掩膜係藉由反應性濺鍍成膜，並由彼此組成不同之2層以上的層所成之多層所構成，該多層係將由以單一組成層成膜於透明基板上時，賦予壓縮應力之材料所成之層，與由以單一組成層成膜於透明基板上時，賦予拉伸應力之材料所成之層予以組合而構成。本發明之效果如下，藉由使用本發明之光罩基板，在蝕刻掩膜的蝕刻去除前後，可使表面形狀僅產生些微變化，藉此可提升在光罩加工結束後所製得之光罩的圖型控制性。
简体摘要：本发明之解决手段为一种光罩基板，其系于透明基板上，具有：由可含过渡金属之硅系材料所构成之遮光膜，以及由铬化合物系材料构成，在从光罩基板加工成光罩之间的任一项步骤中完全被剥离之蚀刻掩膜之光罩基板，蚀刻掩膜系借由反应性溅镀成膜，并由彼此组成不同之2层以上的层所成之多层所构成，该多层系将由以单一组成层成膜于透明基板上时，赋予压缩应力之材料所成之层，与由以单一组成层成膜于透明基板上时，赋予拉伸应力之材料所成之层予以组合而构成。本发明之效果如下，借由使用本发明之光罩基板，在蚀刻掩膜的蚀刻去除前后，可使表面形状仅产生些微变化，借此可提升在光罩加工结束后所制得之光罩的图型控制性。

43. 发明专利

TW525037B 空白光罩、光罩以及這些光罩的製造方法有权
简体标题：空白光罩、光罩以及这些光罩的制造方法
公开(公告)号：TW525037B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW091102482
申请日：2002-02-08
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：品川勉 , 丸山保 , 金子英雄 , 小島幹夫 , 稻月判臣 , 岡崎智
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/80
摘要：係在透光性基板上，至少具有一層鉻系遮光膜及至少一層鉻系反射防止膜，而以上述遮光膜及反射防止膜由含氧、氮、碳之鉻系膜所形成，且其碳含量自表面側逐向透光性基板階段性或連續性遞減為特徵之空白光罩。依據本發明，乃可容易控制蝕刻速度，以獲得賦予垂直性剖面形狀之空白光罩，並獲得膜質均勻之高品質空白光罩及光罩，更能因應半導體集體電路之精細化、高集體化。
简体摘要：系在透光性基板上，至少具有一层铬系遮光膜及至少一层铬系反射防止膜，而以上述遮光膜及反射防止膜由含氧、氮、碳之铬系膜所形成，且其碳含量自表面侧逐向透光性基板阶段性或连续性递减为特征之空白光罩。依据本发明，乃可容易控制蚀刻速度，以获得赋予垂直性剖面形状之空白光罩，并获得膜质均匀之高品质空白光罩及光罩，更能因应半导体集体电路之精细化、高集体化。

44. 发明专利

TW520462B 移相罩幕坯料,移相罩幕及該些之製造方法有权
简体标题：移相罩幕坯料,移相罩幕及该些之制造方法
公开(公告)号：TW520462B
公开(公告)日：2003-02-11
申请号：TW090117115
申请日：2001-07-12
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：稻月判臣 , 丸山保 , 小島幹夫 , 金子英雄 , 渡邊政孝 , 岡崎智
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/32
摘要：本發明係有關一種移相罩幕坯料，移相罩幕及該些之製造方法，乃屬於透明基板上至少設有一層以金屬與矽為主成份的移相膜之移相罩幕坯料，其特徵為：相對於上述移相罩幕坯科形成圖案之際的反應性離子蝕刻方面的上述透明基板之蝕刻速率(A)的移相膜之蝕刻速率(B)的比之蝕刻選擇比(B/A)為5.0以上。按本發明即可提供一於製造移相罩幕時，不易過度蝕刻基板，故圖案部的相位差控制性良好，面內均一性良好，甚至能充分配合半導體積體電路微細化、高積體化之移相罩幕胚料，移相罩幕及該些之製造方法。
简体摘要：本发明系有关一种移相罩幕坯料，移相罩幕及该些之制造方法，乃属于透明基板上至少设有一层以金属与硅为主成份的移相膜之移相罩幕坯料，其特征为：相对于上述移相罩幕坯科形成图案之际的反应性离子蚀刻方面的上述透明基板之蚀刻速率(A)的移相膜之蚀刻速率(B)的比之蚀刻选择比(B/A)为5.0以上。按本发明即可提供一于制造移相罩幕时，不易过度蚀刻基板，故图案部的相位差控制性良好，面内均一性良好，甚至能充分配合半导体集成电路微细化、高积体化之移相罩幕胚料，移相罩幕及该些之制造方法。

45. 发明专利

TW497007B 相移光罩及其製造方法有权
简体标题：相移光罩及其制造方法
公开(公告)号：TW497007B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW090104221
申请日：2001-02-23
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：岡崎智 , 丸山保 , 稻月判臣 , 金子英雄 , 高野伸一
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/30 , C23C14/0057 , C23C14/0682 , Y10T428/31678
摘要：本發明係提供一種相移光罩及其製造方法，其中相移光罩係於通過曝光光線之基板上的第2光線透過部之移相器(shifter)上形成摻雜氟之鉬矽化物(silicide)膜或摻雜氟之鉻矽化物(silicide)膜，且此矽化物膜係以反應性氣體與SiF2所形成者。依本發明之內容，可得到一種即使於短波長之光源下亦具有充分之透過率與經時安定性，亦可充分地對應於半導體集積回路之微細化、高集積化之高性能相移光罩。
简体摘要：本发明系提供一种相移光罩及其制造方法，其中相移光罩系于通过曝光光线之基板上的第2光线透过部之移相器(shifter)上形成掺杂氟之钼硅化物(silicide)膜或掺杂氟之铬硅化物(silicide)膜，且此硅化物膜系以反应性气体与SiF2所形成者。依本发明之内容，可得到一种即使于短波长之光源下亦具有充分之透过率与经时安定性，亦可充分地对应于半导体集积回路之微细化、高集积化之高性能相移光罩。

46. 发明专利

TW201115644A 蝕刻方法及光罩基板之加工方法 ETCHING METHOD AND PHOTOMASK BLANK PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：蚀刻方法及光罩基板之加工方法 ETCHING METHOD AND PHOTOMASK BLANK PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW201115644A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099115294
申请日：2010-05-13
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：五十嵐慎一 , 稻月判臣 , 金子英雄 , 吉川博樹 , 木名瀨良紀
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/14 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
摘要：本發明之解決手段為一種乾式蝕刻方法,當在基板上所形成之被加工層上,使用光阻圖型並藉由第1乾式蝕刻將光阻圖型轉印至硬遮罩層,使用轉印至硬遮罩層之硬遮罩圖型,並藉由第2乾式蝕刻將被加工層進行圖型加工時,在第1乾式蝕刻後,於已進行第1乾式蝕刻之蝕刻裝置內,在不變更乾式蝕刻氣體的主要成分下,變更副成分的濃度來進行第2乾式蝕刻。本發明之效果如下,當將具有蝕刻遮罩層與以蝕刻遮罩層作為遮罩所加工之被加工層的層合膜進行圖型加工時,可使用能夠進行高精度的蝕刻加工之硬遮罩技術,並同時藉由在同一反應室內的乾式蝕刻處理將層合膜進行乾式蝕刻加工,如此可抑制缺陷產生的可能性而將光罩基板進行加工。
简体摘要：本发明之解决手段为一种干式蚀刻方法,当在基板上所形成之被加工层上,使用光阻图型并借由第1干式蚀刻将光阻图型转印至硬遮罩层,使用转印至硬遮罩层之硬遮罩图型,并借由第2干式蚀刻将被加工层进行图型加工时,在第1干式蚀刻后,于已进行第1干式蚀刻之蚀刻设备内,在不变更干式蚀刻气体的主要成分下,变更副成分的浓度来进行第2干式蚀刻。本发明之效果如下,当将具有蚀刻遮罩层与以蚀刻遮罩层作为遮罩所加工之被加工层的层合膜进行图型加工时,可使用能够进行高精度的蚀刻加工之硬遮罩技术,并同时借由在同一反应室内的干式蚀刻处理将层合膜进行干式蚀刻加工,如此可抑制缺陷产生的可能性而将光罩基板进行加工。

47. 发明专利

TW201107871A 檢查光罩基板（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ　ｂｌａｎｋ）或其製造中間體之方法，及判定其優劣之方法 METHOD FOR INSPECTING AND JUDGING PHOTOMASK BLANK OR INTERMEDIATE THEREOF 审中-公开
简体标题：检查光罩基板（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ　ｂｌａｎｋ）或其制造中间体之方法，及判定其优劣之方法 METHOD FOR INSPECTING AND JUDGING PHOTOMASK BLANK OR INTERMEDIATE THEREOF
公开(公告)号：TW201107871A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099109637
申请日：2010-03-30
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：稻月判臣 , 金子英雄 , 吉川博樹
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/84 , G03F7/70783
摘要：本發明係關於一種空白光罩或其製造中間體之檢查方法，係藉由包含(A)測定具有應力檢查對象之膜之空白光罩(photomask blank)或其製造中間體之表面形狀之步驟、(B)去除檢查對象之膜之步驟、及(C)測定經去除檢查對象之膜處理基板的表面形狀之步驟的處理，獲得檢查對象之膜去除前之空白光罩或其製造中間體及檢查對象之膜去除後之經處理基板兩者的表面形狀，且藉由比較該等表面形狀，評價檢查對象之膜所具有之應力。本發明係使空白光罩之製造方法最適化，可製得在光學機能膜或加工機能膜之蝕刻加工前後產生表面形狀變化之顧慮極低之空白光罩的同時，可保證在光罩製造時因表面形狀變化引起之尺寸誤差發生得以減低之空白光罩。
简体摘要：本发明系关于一种空白光罩或其制造中间体之检查方法，系借由包含(A)测定具有应力检查对象之膜之空白光罩(photomask blank)或其制造中间体之表面形状之步骤、(B)去除检查对象之膜之步骤、及(C)测定经去除检查对象之膜处理基板的表面形状之步骤的处理，获得检查对象之膜去除前之空白光罩或其制造中间体及检查对象之膜去除后之经处理基板两者的表面形状，且借由比较该等表面形状，评价检查对象之膜所具有之应力。本发明系使空白光罩之制造方法最适化，可制得在光学机能膜或加工机能膜之蚀刻加工前后产生表面形状变化之顾虑极低之空白光罩的同时，可保证在光罩制造时因表面形状变化引起之尺寸误差发生得以减低之空白光罩。

48. 发明专利

TWI336812B 相位移光罩基板及相位移光罩及其製造方法 PHASE-SHIFT PHOTOMASK-BLANK, PHASE-SHIFT PHOTOMASK AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：相位移光罩基板及相位移光罩及其制造方法 PHASE-SHIFT PHOTOMASK-BLANK, PHASE-SHIFT PHOTOMASK AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI336812B
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW095116750
申请日：2006-05-11
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：稻月判臣 , 吉川博樹 , 丸山保 , 岡崎智
IPC分类号： G03F , C23C , H01L
CPC分类号： G03F1/32 , Y10T428/31616
摘要：本發明提供一種，能以高精確度且穩定的轉印微細之圖型的相位移光罩基板。
其係在相對於曝光光線的透明基板1上，設置由2層的金屬矽化物化合物(2a，2b)所成之膜層合的相位移多層膜2。又，在表面側之金屬矽化物化合物(2b)的表面形成氧化穩定化層(2c)。相位移多層膜2之中的基板1側(下側)之層2a為相對的金屬濃厚組成之金屬矽化物化合物；上側之層2b為金屬組成相對低的金屬矽化物化合物。氧化穩定化層2c之金屬含量，為下側之層2a的金屬含量之1/3(莫耳比)以下的低金屬組成，顯示化學穩定性優越之高藥品耐性。下側之層2a，為由具有較高之金屬含量的金屬矽化物化合物膜所成之故，容易控制相位移多層膜之光學特性，能獲得所期望的光學特性。
简体摘要：本发明提供一种，能以高精确度且稳定的转印微细之图型的相位移光罩基板。其系在相对于曝光光线的透明基板1上，设置由2层的金属硅化物化合物(2a，2b)所成之膜层合的相位移多层膜2。又，在表面侧之金属硅化物化合物(2b)的表面形成氧化稳定化层(2c)。相位移多层膜2之中的基板1侧(下侧)之层2a为相对的金属浓厚组成之金属硅化物化合物；上侧之层2b为金属组成相对低的金属硅化物化合物。氧化稳定化层2c之金属含量，为下侧之层2a的金属含量之1/3(莫耳比)以下的低金属组成，显示化学稳定性优越之高药品耐性。下侧之层2a，为由具有较高之金属含量的金属硅化物化合物膜所成之故，容易控制相位移多层膜之光学特性，能获得所期望的光学特性。

49. 发明专利

TW533334B 空白光罩及光罩有权
公开(公告)号：TW533334B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW090132220
申请日：2001-12-25
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：塚本哲史 , 金子英雄 , 丸山保 , 稻月判臣 , 品川勉 , 岡崎智
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/38
摘要：本發明之空白光罩特徵係在透過曝光光線的透明基板上至少具有一層遮光性膜和至少具有一層防止反射膜、同時在上述透明基板和遮光膜或防止反射膜之間形成晶種層、該晶種層至少為含有氧氣、氮氣、及碳元素其中一種的鉻化合物為材料所形成。
具有本發明晶種層的光罩及空白光罩，透明基板上形成的晶種層上長有細微顆粒的遮光膜以及防止反射膜、可得表面粗糙度小的空白光罩、且可作高感度檢測的缺陷檢查以及電路圖案檢查、可得高品質之空白光罩及光罩、更可充分因應半導體集成電路更細微高集積化的要求。
简体摘要：本发明之空白光罩特征系在透过曝光光线的透明基板上至少具有一层遮光性膜和至少具有一层防止反射膜、同时在上述透明基板和遮光膜或防止反射膜之间形成晶种层、该晶种层至少为含有氧气、氮气、及碳元素其中一种的铬化合物为材料所形成。具有本发明晶种层的光罩及空白光罩，透明基板上形成的晶种层上长有细微颗粒的遮光膜以及防止反射膜、可得表面粗糙度小的空白光罩、且可作高感度检测的缺陷检查以及电路图案检查、可得高品质之空白光罩及光罩、更可充分因应半导体集成电路更细微高集积化的要求。

50. 发明专利

TW491965B 移相罩幕坯料,移相罩幕以及該些之製造方法有权
简体标题：移相罩幕坯料,移相罩幕以及该些之制造方法
公开(公告)号：TW491965B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090120427
申请日：2001-08-20
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：稻月判臣 , 丸山保 , 金子英雄 , 岡崎智
IPC分类号： G03F , C23C , H01L
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/34
摘要：【解決手段】一種移相罩幕坯料，其係在透明基板上至少設有一層移相膜而成，其特徵為：上述移相膜為由金屬與矽作為主要成分，並且，此移相膜之膜應力為1OOMPa以下，而將此移相罩幕坯料形成圖案，製成移相罩幕以及該些之製造方法。【效果】依據本發明，移相膜為以金屬與矽作為主要成分，尤其藉使用鉬矽化氧化碳化物或鋁矽化氧化氮化碳化物形成，就可將移相膜之膜應力減低到100MPa以下，形成移相膜時不僅不會使基板平坦度惡化，並且，即使將移相膜形成圖案後也可獲得具有良好平坦度之高品質移相罩幕柸料及移相罩幕。
简体摘要：【解决手段】一种移相罩幕坯料，其系在透明基板上至少设有一层移相膜而成，其特征为：上述移相膜为由金属与硅作为主要成分，并且，此移相膜之膜应力为1OOMPa以下，而将此移相罩幕坯料形成图案，制成移相罩幕以及该些之制造方法。【效果】依据本发明，移相膜为以金属与硅作为主要成分，尤其藉使用钼硅化氧化碳化物或铝硅化氧化氮化碳化物形成，就可将移相膜之膜应力减低到100MPa以下，形成移相膜时不仅不会使基板平坦度恶化，并且，即使将移相膜形成图案后也可获得具有良好平坦度之高品质移相罩幕柸料及移相罩幕。

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