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41. 发明专利

TW202011545A 扇出型半導體封裝审中-公开
简体标题：扇出型半导体封装
公开(公告)号：TW202011545A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108106173
申请日：2019-02-23
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴盛燦 , PARK, SEONG CHAN , 權鋿鉉 , KWON, SANG HYUN , 金漢 , KIM, HAN , 金慧利 , KIM, HYE LEE , 姜丞溫 , KANG, SEUNG ON
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/34 , H01L23/48
摘要：一種扇出型半導體封裝包括：半導體晶片，具有主動面以及與所述主動面相對的非主動面，所述主動面上配置有連接墊；散熱構件，貼附至所述半導體晶片的所述非主動面，且具有較所述半導體晶片的厚度大的厚度；包封體，包封所述半導體晶片及所述散熱構件中的每一者的至少部分；以及連接構件，配置於所述半導體晶片的所述主動面上，且包括電性連接至所述連接墊的重佈線層，其中所述散熱構件為碳與金屬的複合物。
简体摘要：一种扇出型半导体封装包括：半导体芯片，具有主动面以及与所述主动面相对的非主动面，所述主动面上配置有连接垫；散热构件，贴附至所述半导体芯片的所述非主动面，且具有较所述半导体芯片的厚度大的厚度；包封体，包封所述半导体芯片及所述散热构件中的每一者的至少部分；以及连接构件，配置于所述半导体芯片的所述主动面上，且包括电性连接至所述连接垫的重布线层，其中所述散热构件为碳与金属的复合物。

42. 发明专利

TW202011517A 包含閘極間隔件結構的積體電路裝置审中-公开
简体标题：包含闸极间隔件结构的集成电路设备
公开(公告)号：TW202011517A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108116636
申请日：2019-05-15
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：尹燦植 , YOON, CHAN-SIC , 金桐䎸 , KIM, DONG-OH , 朴濟民 , PARK, JE-MIN , 李基碩 , LEE, KI-SEOK
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/82
摘要：一種積體電路裝置包括：閘極堆疊結構，在基礎層上，所述閘極堆疊結構具有閘極絕緣層及在所述閘極絕緣層上的閘極結構，所述閘極絕緣層具有在所述基礎層上且具有第一相對電容率的第一介電層；以及閘極間隔件結構，在所述閘極堆疊結構的相對側壁上及所述基礎層上，所述閘極間隔件結構包括埋入式介電層，所述埋入式介電層在所述基礎層上於所述閘極間隔件結構的下部部分處埋入於所述閘極絕緣層的凹槽孔中，且所述埋入式介電層包含與所述第一介電層相同的材料。
简体摘要：一种集成电路设备包括：闸极堆栈结构，在基础层上，所述闸极堆栈结构具有闸极绝缘层及在所述闸极绝缘层上的闸极结构，所述闸极绝缘层具有在所述基础层上且具有第一相对电容率的第一介电层；以及闸极间隔件结构，在所述闸极堆栈结构的相对侧壁上及所述基础层上，所述闸极间隔件结构包括埋入式介电层，所述埋入式介电层在所述基础层上于所述闸极间隔件结构的下部部分处埋入于所述闸极绝缘层的凹槽孔中，且所述埋入式介电层包含与所述第一介电层相同的材料。

43. 发明专利

TW202011279A 神經處理系統审中-公开
简体标题：神经处理系统
公开(公告)号：TW202011279A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108127870
申请日：2019-08-06
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：宋陳煜 , SONG, JIN OOK , 朴峻奭 , PARK, JUN SEOK , 趙胤校 , CHO, YUN KYO
IPC分类号： G06N3/02
摘要：一種神經處理系統包括第一前端模組、第二前端模組、第一後端模組及第二後端模組。第一前端模組利用第一特徵圖及第一權重執行特徵提取運算，並輸出第一運算結果及第二運算結果。第二前端模組利用第二特徵圖及第二權重執行所述特徵提取運算，並輸出第三運算結果及第四運算結果。第一後端模組接收從所述第一前端模組提供的所述第一運算結果及通過第二橋接器從所述第二前端模組提供的所述第四運算結果的輸入，以總和所述第一運算結果與所述第四運算結果。第二後端模組接收從所述第二前端模組提供的所述第三運算結果及通過第一橋接器從所述第一前端模組提供的所述第二運算結果的輸入，以總和所述第三運算結果與所述第二運算結果。
简体摘要：一种神经处理系统包括第一前端模块、第二前端模块、第一后端模块及第二后端模块。第一前端模块利用第一特征图及第一权重运行特征提取运算，并输出第一运算结果及第二运算结果。第二前端模块利用第二特征图及第二权重运行所述特征提取运算，并输出第三运算结果及第四运算结果。第一后端模块接收从所述第一前端模块提供的所述第一运算结果及通过第二桥接器从所述第二前端模块提供的所述第四运算结果的输入，以总和所述第一运算结果与所述第四运算结果。第二后端模块接收从所述第二前端模块提供的所述第三运算结果及通过第一桥接器从所述第一前端模块提供的所述第二运算结果的输入，以总和所述第三运算结果与所述第二运算结果。

44. 发明专利

TW202011107A 用於執行光學近接校正的方法及使用光學近接校正製造遮罩的方法审中-公开
简体标题：用于运行光学近接校正的方法及使用光学近接校正制造遮罩的方法
公开(公告)号：TW202011107A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108117288
申请日：2019-05-20
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：崔南柯 , CHOI, NA-RAK , 鄭文奎 , JEONG, MOON-GYU
IPC分类号： G03F1/36
摘要：本發明提供一種用於執行光學近接校正（OPC）的方法及一種使用光學近接校正製造遮罩的方法，所述光學近接校正藉由高效地反映遮罩形態效果或圖案的邊緣之間的耦合效果來提高遮罩影像的準確性。用於執行光學近接校正的方法包括：提取遮罩上的圖案的佈局的邊緣；提取邊緣對，其中所述邊緣中相鄰的邊緣之間的寬度等於或小於特定距離；為所述邊緣對中的每一者產生耦合邊緣；藉由對所述邊緣應用邊緣濾波器來產生第一遮罩影像；以及藉由對所述耦合邊緣應用耦合濾波器來校正所述第一遮罩影像。
简体摘要：本发明提供一种用于运行光学近接校正（OPC）的方法及一种使用光学近接校正制造遮罩的方法，所述光学近接校正借由高效地反映遮罩形态效果或图案的边缘之间的耦合效果来提高遮罩影像的准确性。用于运行光学近接校正的方法包括：提取遮罩上的图案的布局的边缘；提取边缘对，其中所述边缘中相邻的边缘之间的宽度等于或小于特定距离；为所述边缘对中的每一者产生耦合边缘；借由对所述边缘应用边缘滤波器来产生第一遮罩影像；以及借由对所述耦合边缘应用耦合滤波器来校正所述第一遮罩影像。

45. 发明专利

TWI686700B 應用程式處理器、單晶片系統以及操作影像處理系統的方法有权
简体标题：应用进程处理器、单芯片系统以及操作影像处理系统的方法
公开(公告)号：TWI686700B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW104128235
申请日：2015-08-28
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：尹晟瞮 , YOON, SUNG CHUL , 金成雲 , KIM, SEONG WOON , 李尙勳 , LEE, SANG HOON
IPC分类号： G06F13/16 , G06F13/00

46. 发明专利

TW202008728A 積體電路裝置审中-公开
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TW202008728A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126020
申请日：2019-07-23
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：都楨湖 , DO, JUNG HO
IPC分类号： H03L7/08
摘要：本文提供積體電路裝置。所述裝置可包含基板，基板包含第一區域、第二區域及第一區域與第二區域之間的邊界區。第一區域與第二區域可在第一水平方向上彼此間隔開。所述裝置亦可包含在第一區域上的第一鎖存器、在第二區域上的第二鎖存器以及在第一水平方向上延伸且跨越邊界區的導電層。第一鎖存器可包含第一垂直場效電晶體、第二垂直場效電晶體、第三垂直場效電晶體以及第四垂直場效電晶體。第二鎖存器可包含第五垂直場效電晶體、第六垂直場效電晶體、第七垂直場效電晶體以及第八垂直場效電晶體。第一垂直場效電晶體及第七垂直場效電晶體可沿第一水平方向佈置。導電層的各部分可分別包含第一垂直場效電晶體及第七垂直場效電晶體的閘電極。
简体摘要：本文提供集成电路设备。所述设备可包含基板，基板包含第一区域、第二区域及第一区域与第二区域之间的边界区。第一区域与第二区域可在第一水平方向上彼此间隔开。所述设备亦可包含在第一区域上的第一锁存器、在第二区域上的第二锁存器以及在第一水平方向上延伸且跨越边界区的导电层。第一锁存器可包含第一垂直场效应管、第二垂直场效应管、第三垂直场效应管以及第四垂直场效应管。第二锁存器可包含第五垂直场效应管、第六垂直场效应管、第七垂直场效应管以及第八垂直场效应管。第一垂直场效应管及第七垂直场效应管可沿第一水平方向布置。导电层的各部分可分别包含第一垂直场效应管及第七垂直场效应管的闸电极。

47. 发明专利

TW202008546A 包括中介層的半導體封裝审中-公开
简体标题：包括中介层的半导体封装
公开(公告)号：TW202008546A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108121825
申请日：2019-06-21
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金鍾潤 , KIM, JONG-YOUN , 李錫賢 , LEE, SEOK-HYUN
IPC分类号： H01L23/535 , H01L21/60
摘要：本發明概念提供一種包括中介層的半導體封裝。半導體封裝包括：封裝基礎基板；下部重佈線結構，設置於封裝基礎基板上且包括多個下部重佈線圖案；至少一個中介層，包括多個第一連接柱及多個連接配線圖案，所述多個第一連接柱在下部重佈線結構上彼此間隔開且分別連接至所述多個下部重佈線圖案的一些部分；上部重佈線結構，在所述多個第一連接柱及所述至少一個中介層上包括多個上部重佈線圖案，所述多個上部重佈線圖案分別連接至所述多個第一連接柱及所述多個連接配線圖案；以及至少兩個半導體晶片，黏合於上部重佈線結構上，同時彼此間隔開。
简体摘要：本发明概念提供一种包括中介层的半导体封装。半导体封装包括：封装基础基板；下部重布线结构，设置于封装基础基板上且包括多个下部重布线图案；至少一个中介层，包括多个第一连接柱及多个连接配线图案，所述多个第一连接柱在下部重布线结构上彼此间隔开且分别连接至所述多个下部重布线图案的一些部分；上部重布线结构，在所述多个第一连接柱及所述至少一个中介层上包括多个上部重布线图案，所述多个上部重布线图案分别连接至所述多个第一连接柱及所述多个连接配线图案；以及至少两个半导体芯片，黏合于上部重布线结构上，同时彼此间隔开。

48. 发明专利

TWI684880B 提供翻譯內容的方法、裝置與系統有权
简体标题：提供翻译内容的方法、设备与系统
公开(公告)号：TWI684880B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104124618
申请日：2015-07-30
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：愼賢宰 , SHIN, HYUN-JAE , 金學中 , KIM, HAK-JUNG
IPC分类号： G06F17/28 , H04L12/58

49. 发明专利

TWI684327B 調整時脈訊號中之工作周期的裝置與方法有权
简体标题：调整时脉信号中之工作周期的设备与方法
公开(公告)号：TWI684327B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105122993
申请日：2016-07-21
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：劉宗耀 , LAU, CHUNG Y
IPC分类号： H03K5/156 , H03L7/08

50. 发明专利

TWI684294B 磁性接面及提供所述磁性接面的方法和磁性記憶體有权
简体标题：磁性接面及提供所述磁性接面的方法和磁性内存
公开(公告)号：TWI684294B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107112284
申请日：2018-04-10
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李敦權 , LEE, DON KOUN , 昆恩比默罕馬托爾菲克 , KROUNBI, MOHAMAD TOWFIK
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12

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