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41. 发明专利

TW404043B 金氧半電晶體反向電流之節流失效
简体标题：金氧半晶体管反向电流之节流
公开(公告)号：TW404043B
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：TW088100999
申请日：1999-01-22
申请人：美士美積體產品公司
发明人：里查艾德華布契
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03K19/00361 , H03K19/00315
摘要：本發明為一項裝置，用來確保金氧半電晶體中「正向」流動的全電流，並且充分降低（及/或排除）「反向」流動的電流。正向電降及反向電流可按裝置大小比率控制及決定。於一項具體實施例中，本發明是一項耦合到輸出級電晶體的電路，而該電晶體上面具有輸出電壓，以確保同一方向流動的電流並且節流反向流動的電流。電路包含一第一電路，用於耦合到輸出電晶體，當輸出電壓達到第一臨界電壓與接近幹線電壓時，都會漸進關閉。電路更包含一第二電路，用於耦合到輸出電晶體，當輸出電壓達到第二臨界電壓時，會關閉，其中第二臨界電壓大於幹線電壓。
简体摘要：本发明为一项设备，用来确保金氧半晶体管中“正向”流动的全电流，并且充分降低（及/或排除）“反向”流动的电流。正向电降及反向电流可按设备大小比率控制及决定。于一项具体实施例中，本发明是一项耦合到输出级晶体管的电路，而该晶体管上面具有输出电压，以确保同一方向流动的电流并且节流反向流动的电流。电路包含一第一电路，用于耦合到输出晶体管，当输出电压达到第一临界电压与接近干线电压时，都会渐进关闭。电路更包含一第二电路，用于耦合到输出晶体管，当输出电压达到第二临界电压时，会关闭，其中第二临界电压大于干线电压。

42. 发明专利

TW395082B 低電力,高線性之對數–線性控制方法及裝置失效
简体标题：低电力,高线性之对数–线性控制方法及设备
公开(公告)号：TW395082B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW087101300
申请日：1998-02-03
申请人：美士美積體產品公司
发明人：羅伯S.卡吉爾
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03G7/00
摘要：本發明揭示一種低電力，高線性之對數-線性控制方法及裝置，其中一主對數-線性單元產生一控制電壓，其緩衝及供至一次對數-線性單元。利用將此作用分為二部份，該控制迴路特性會和該信號路徑隔離。可和該控制迴路獨立，使用低阻抗緩衝器來驅動該次對數-線性單元控制埠，以提供改良之增益控制範圍及線性。此對數-線性控制在電力或限制-接腳應用需要低諧波失真及高增益控制範圍之應用特別有用。本方法之細節揭示如下。
简体摘要：本发明揭示一种低电力，高线性之对数-线性控制方法及设备，其中一主对数-线性单元产生一控制电压，其缓冲及供至一次对数-线性单元。利用将此作用分为二部份，该控制回路特性会和该信号路径隔离。可和该控制回路独立，使用低阻抗缓冲器来驱动该次对数-线性单元控制端口，以提供改良之增益控制范围及线性。此对数-线性控制在电力或限制-接脚应用需要低谐波失真及高增益控制范围之应用特别有用。本方法之细节揭示如下。

43. 发明专利

TW393820B 用於非隔離的積體電路之基質箝位電路失效
简体标题：用于非隔离的集成电路之基质箝位电路
公开(公告)号：TW393820B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW084104680
申请日：1995-05-11
申请人：美士美積體產品公司
发明人：大維.賓罕
IPC分类号： H02J
CPC分类号： G05F3/205 , H03K19/00315
摘要：本發明披露一種非隔離的積體電路之基質箝位電路。基質箝位電路包括一控制基質電壓的電路,致使若在所有電路節點處寄生PN二極體均不被順偏則將基質接到一特定節點處。若一特定節點隨後用外加電壓強制轉呈順偏,則基質脫離其原始節點並保持在距該施加電壓節點一順偏二極體壓降的電位。文中披露各種實施例。在本發明之一實施例中，就利用一組以基質供做共同基極的雙極性電晶體來建構電路。這些電晶體射極接到一組節點,這些節點的驅動電壓可以超出由供電端和地端間,或任一其它對外加電壓間所提供之電壓範圍。這些雙極性電晶體的集極全都接在一起。當任何或全部雙極性電晶體開啟導通時,基質電壓自供電端脫離進而強制轉成為距已開啟導通電晶體之射極一VvBK或二極體壓降的電位。當節點電壓回復到供電範圍內時,基質電壓重新接回原始供電端。
简体摘要：本发明披露一种非隔离的集成电路之基质箝位电路。基质箝位电路包括一控制基质电压的电路,致使若在所有电路节点处寄生PN二极管均不被顺偏则将基质接到一特定节点处。若一特定节点随后用外加电压强制转呈顺偏,则基质脱离其原始节点并保持在距该施加电压节点一顺偏二极管压降的电位。文中披露各种实施例。在本发明之一实施例中，就利用一组以基质供做共同基极的双极性晶体管来建构电路。这些晶体管射极接到一组节点,这些节点的驱动电压可以超出由供电端和地端间,或任一其它对外加电压间所提供之电压范围。这些双极性晶体管的集极全都接在一起。当任何或全部双极性晶体管打开导通时,基质电压自供电端脱离进而强制转成为距已打开导通晶体管之射极一VvBK或二极管压降的电位。当节点电压回复到供电范围内时,基质电压重新接回原始供电端。

44. 发明专利

TW383492B 多電池轉接電路失效
简体标题：多电池转接电路
公开(公告)号：TW383492B
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：TW087102562
申请日：1998-02-23
申请人：美士美積體產品公司
发明人：布魯斯道達里默爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H02J7/0024 , Y10T307/625
摘要：本發明係一種多電池轉接電路，其可選擇將多電池中的任一電池與負載或充電器連接而同時保持與該系統中的其他電池隔離。本發明於每一個電池僅採用三個金氧半導場效電晶體來維持所需的隔離與導通，不同於先前技藝中需要四個。轉接電路中任一個電池的三個金氧半導場效電晶體在導通時，其一組帶電流的通路為共用，而金氧半導場效電晶體另外的帶電流通路則分別與充電器，負載以及其個別的電池互相耦合。運用金氧半導場效電晶體的適當連接，其保證在透過任兩組金氧半導場效電晶體所產生的可能導通狀態下，其中一組金氧半導場效電晶體的寄生二極體會產生反向偏壓。替代的具體實施例亦被提出。
简体摘要：本发明系一种多电池转接电路，其可选择将多电池中的任一电池与负载或充电器连接而同时保持与该系统中的其他电池隔离。本发明于每一个电池仅采用三个金氧半导场效应管来维持所需的隔离与导通，不同于先前技艺中需要四个。转接电路中任一个电池的三个金氧半导场效应管在导通时，其一组带电流的通路为共享，而金氧半导场效应管另外的带电流通路则分别与充电器，负载以及其个别的电池互相耦合。运用金氧半导场效应管的适当连接，其保证在透过任两组金氧半导场效应管所产生的可能导通状态下，其中一组金氧半导场效应管的寄生二极管会产生反向偏压。替代的具体实施例亦被提出。

45. 发明专利

TW379481B 積體化溫度限制感測器失效
简体标题：积体化温度限制传感器
公开(公告)号：TW379481B
公开(公告)日：2000-01-11
申请号：TW087107984
申请日：1998-05-22
申请人：美士美積體產品公司
发明人：蘇平孫
IPC分类号： H03K
CPC分类号： G01K7/01 , G01K3/005
摘要：積體化溫度限制感測器可用為一獨立裝置或大型積體電路之一部分以提供在溫度上升至一預定位準或下降至一預定位準時一邏輯信號改變。此溫度限制感測器產生一與絕對溫度成比例之電壓，並將其與跨一前向偏壓pn接點上之電壓成比例之電壓，或電晶體之基一射極電壓加以比較。與絕對溫度成比例之增加電壓及絕對溫度時降低之pn接點電壓之組合可提供改進之靈敏度及可靠而可重複之性能。
简体摘要：积体化温度限制传感器可用为一独立设备或大型集成电路之一部分以提供在温度上升至一预定位准或下降至一预定位准时一逻辑信号改变。此温度限制传感器产生一与绝对温度成比例之电压，并将其与跨一前向偏压pn接点上之电压成比例之电压，或晶体管之基一射极电压加以比较。与绝对温度成比例之增加电压及绝对温度时降低之pn接点电压之组合可提供改进之灵敏度及可靠而可重复之性能。

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