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41. 发明专利

TW573229B 化學增幅型正光阻組成物有权
简体标题：化学增幅型正光阻组成物
公开(公告)号：TW573229B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW091117263
申请日：2002-07-30
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：高田佳幸 TAKATA, YOSHIYUKI , 藤島浩晃 FUJISHIMA, HIROAKI , 上谷保則 UETANI, YASUNORI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046
摘要：本發明係提供一種化學增幅型正光阻組成物，以其得到展現明顯改進的線條邊緣粗糙度之光阻圖案，並包含酸產生劑(包括式(I)之苯磺酸鹽離子：其中Q1至Q5代表氫、羥基、全氟烷基、烷基、烷氧基或鹵素)及樹脂(具有攜帶對酸不穩定之基團的聚合單元和具有下式(IIa)或(IIb)之脂環系內酯的聚合單元：其中R1、R2、R3及R4各自獨立代表氫或甲基，以及n代表1至3之整數，並在有二或多個R2或R4的存在時，則彼等可以彼此相同或不相同)。
简体摘要：本发明系提供一种化学增幅型正光阻组成物，以其得到展现明显改进的线条边缘粗糙度之光阻图案，并包含酸产生剂(包括式(I)之苯磺酸盐离子：其中Q1至Q5代表氢、羟基、全氟烷基、烷基、烷氧基或卤素)及树脂(具有携带对酸不稳定之基团的聚合单元和具有下式(IIa)或(IIb)之脂环系内酯的聚合单元：其中R1、R2、R3及R4各自独立代表氢或甲基，以及n代表1至3之整数，并在有二或多个R2或R4的存在时，则彼等可以彼此相同或不相同)。

42. 发明专利

TW572991B 高分子螢光體,其製造方法及高分子發光元件失效
简体标题：高分子萤光体,其制造方法及高分子发光组件
公开(公告)号：TW572991B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW090114803
申请日：2001-06-19
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：土居秀二 SHUJI DOI , 野口公信 TAKANOBU NOGUCHI , 津幡義昭 YOSHIAKI TSUBATA
IPC分类号： C09K , C08G , G02F , H05B
CPC分类号： H05B33/14 , C08G61/02 , C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/08 , C08G73/10 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/145 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , C09K2211/1475 , C09K2211/1491 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , Y10S428/917
摘要：本發明乃係固體狀態下具有螢光，而以聚苯乙烯換算之數平均分子量在104至108範圍，含有下式(1)所示重複單位1種以上之粗高分子螢光體，以鹼接觸工程包括其中為其特徵之高分子螢光體之製造方法有關者。
—Ar1—(CR1=CR2)n—．．．．．(1)
(上式中，Ar1示伸芳基或雜環化合物基，可不具有或具有一個以上之取代基，R1和R2分別獨自示氫原子、烷基、芳基、雜環化合物基和氰基所構成群中選擇之基，上述芳基和雜環化合物基可具有取代基，n示0或1)。
简体摘要：本发明乃系固体状态下具有萤光，而以聚苯乙烯换算之数平均分子量在104至108范围，含有下式(1)所示重复单位1种以上之粗高分子萤光体，以碱接触工程包括其中为其特征之高分子萤光体之制造方法有关者。 —Ar1—(CR1=CR2)n—．．．．．(1) (上式中，Ar1示伸芳基或杂环化合物基，可不具有或具有一个以上之取代基，R1和R2分别独自示氢原子、烷基、芳基、杂环化合物基和氰基所构成群中选择之基，上述芳基和杂环化合物基可具有取代基，n示0或1)。

43. 发明专利

TW570837B 多孔薄膜、用於電池的隔板和電池失效
简体标题：多孔薄膜、用于电池的隔板和电池
公开(公告)号：TW570837B
公开(公告)日：2004-01-11
申请号：TW090125183
申请日：2001-10-12
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：高田敦弘 ATSUHIRO TAKATA , 山田武 , 黑田龍磨
IPC分类号： B01D , C08J
CPC分类号： H01M2/166 , B01D67/0027 , B01D67/0093 , B01D69/02 , B01D69/141 , B01D71/26 , B01D2323/21 , B01D2323/30 , B01D2323/34 , B01D2325/20 , B01D2325/26 , B29C55/005 , B29K2023/00 , B29K2105/04 , B29K2105/16 , C08J5/18 , C08J2323/02 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M10/052 , H01M2300/0025
摘要：一種應用於電池隔板的多孔熱塑性樹脂薄膜。該多孔薄膜由熱塑性樹脂和填料構成，其中由如下公式定義的XR小於5：
XR=25×TGUR×d2/Y其中Y(微米)、TGUR(秒/100毫升)和d(微米)分別表示薄膜的厚度、古爾勒(gurley)值和平均微孔直徑。如上所述構造的多孔薄膜當用作電池隔板時可降低內阻。
简体摘要：一种应用于电池隔板的多孔热塑性树脂薄膜。该多孔薄膜由热塑性树脂和填料构成，其中由如下公式定义的XR小于5： XR=25×TGUR×d2/Y其中Y(微米)、TGUR(秒/100毫升)和d(微米)分别表示薄膜的厚度、古尔勒(gurley)值和平均微孔直径。如上所述构造的多孔薄膜当用作电池隔板时可降低内阻。

44. 发明专利

TW200307712A 酚醛樹脂及其製作方法 PHENOLIC RESIN AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：酚醛树脂及其制作方法 PHENOLIC RESIN AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200307712A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092115644
申请日：2003-06-10
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：永徹 TOHRU NAGASHIMA , 齊藤憲明 NORIAKI SAITO
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08G61/025 , C08G59/06 , C08G59/621 , C08G61/02 , C08G2261/312 , C08G2261/3424 , C08L63/00 , C08L65/00 , C08L2666/16
摘要：一種酚醛樹脂，其係由化學式(1)之二羥基化合物以及一酚醛化合物反應而取得，092115644p01.bmp其中，二羥基化合物被部分的脫水。
简体摘要：一种酚醛树脂，其系由化学式(1)之二羟基化合物以及一酚醛化合物反应而取得，092115644p01.bmp其中，二羟基化合物被部分的脱水。

45. 发明专利

TW200307178A 增幅型正光阻劑組成物 AMPLIFICATION TYPE POSITIVE RESIST COMPOSITION 失效
简体标题：增幅型正光阻剂组成物 AMPLIFICATION TYPE POSITIVE RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW200307178A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW092113283
申请日：2003-05-16
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：釜淵明 AKIRA KAMABUCHI , 上谷保則 YASUNORI UETANI , 森馬洋 HIROSHI MORIUMA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , Y10S430/12
摘要：本發明提供具下式(I')之磺酸鹽：092113283p01.bmp式中Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5各自獨立地代表氫、具有1至16個碳原子之烷基、具有1至16個碳原子之烷氧基、或電子吸引基，惟Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5至少一者代表具有3至16個碳原子之烷基或具有3至16個碳原子之烷氧基，及Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5至少一者為電子吸引基；及A'^+代表具說明書中確認的式(IIa)、(IIb)、(IIc)或(IId)之抗衡離子。本發明亦提供含有具下式(I)的磺酸鹽之化學增幅型正光阻劑組成物092113283p02.bmp式中A^+代表抗衡離子，Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5如上文所界定；及含有具酸不穩定基團的結構單元之樹脂，該樹脂本身不溶或微溶於鹼性水溶液，但是藉由酸的作用則成為可溶於鹼性水溶液。
简体摘要：本发明提供具下式(I')之磺酸盐：092113283p01.bmp式中Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5各自独立地代表氢、具有1至16个碳原子之烷基、具有1至16个碳原子之烷氧基、或电子吸引基，惟Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5至少一者代表具有3至16个碳原子之烷基或具有3至16个碳原子之烷氧基，及Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5至少一者为电子吸引基；及A'^+代表具说明书中确认的式(IIa)、(IIb)、(IIc)或(IId)之抗衡离子。本发明亦提供含有具下式(I)的磺酸盐之化学增幅型正光阻剂组成物092113283p02.bmp式中A^+代表抗衡离子，Q^1、Q^2、Q^3、Q^4及Q^5如上文所界定；及含有具酸不稳定基团的结构单元之树脂，该树脂本身不溶或微溶于碱性水溶液，但是借由酸的作用则成为可溶于碱性水溶液。

46. 发明专利

TW200305063A 鹼可溶矽氧烷聚合物、正性型式光阻,光阻圖樣及其形成方法,電子元件以及其製造方法 ALKALI-SOLUBLE SILOXANE POLYMER, POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN, PROCESS FOR FORMING THE SAME, ELECTRONIC DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：碱可溶硅氧烷聚合物、正性型式光阻,光阻图样及其形成方法,电子组件以及其制造方法 ALKALI-SOLUBLE SILOXANE POLYMER, POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN, PROCESS FOR FORMING THE SAME, ELECTRONIC DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200305063A
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：TW091137705
申请日：2002-12-27
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED , 住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：渡部慶二 KEIJI WATANABE , 小澤美和 MIWA KOZAWA , 須田章一 SHOICHI SUDA , 山口扶美 FUMI YAMAGUCHI , 矢作公 ISAO YAHAGI , 森川通孝 MICHITAKA MORIKAWA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0233 , C09D183/06 , G03F7/0045 , G03F7/0757
摘要：一種正型光阻組成物，其含有一種下式（1）表示之鹼溶性矽氧烷聚合物，一種感光化合物，以及由該正型光阻組成物形成之厚1微米光阻膜，其具有對i線輻射之透射比為5℅至60℅；091137705p01.bmp式（1）中，R^l及R^2表示一價有機基且可相同或相異；“A”為下式（2）表示之基團，具有至少一個酚系羥基；且“a”、“b”及“C”滿足如下關係式；a＋b＋c＝1，091137705p02.bmp式（2）中，R^3、R^4及R^5表示氫原子及一價有機基之一、且可相同或相異，“m”表示整數，以及“n”表示1至5之整數，較佳0．25≦a≦0‧60及0≦C≦0．25。組成物較佳係用於進行氧電漿蝕刻之光阻膜。
简体摘要：一种正型光阻组成物，其含有一种下式（1）表示之碱溶性硅氧烷聚合物，一种感光化合物，以及由该正型光阻组成物形成之厚1微米光阻膜，其具有对i线辐射之透射比为5℅至60℅；091137705p01.bmp式（1）中，R^l及R^2表示一价有机基且可相同或相异；“A”为下式（2）表示之基团，具有至少一个酚系羟基；且“a”、“b”及“C”满足如下关系式；a＋b＋c＝1，091137705p02.bmp式（2）中，R^3、R^4及R^5表示氢原子及一价有机基之一、且可相同或相异，“m”表示整数，以及“n”表示1至5之整数，较佳0．25≦a≦0‧60及0≦C≦0．25。组成物较佳系用于进行氧等离子蚀刻之光阻膜。

47. 发明专利

TW200305062A 化學放大型正阻劑組成物 CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE RESIST COMPOSITION 审中-公开
简体标题：化学放大型正阻剂组成物 CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW200305062A
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：TW092105858
申请日：2003-03-18
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：難波克彥 KATSUHIKO NAMBA , 末次益實 MASUMI SUETSUGU , 落合鋼志郎 KOSHIRO OCHIAI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/115
摘要：本發明係提供化學放大型正阻劑組成物，包括（A）具有酚骨架之樹脂，其中該酚骨架含有可藉由酸作用而解離之保護基，該酚骨架本身不溶於或不易溶於鹼性水溶液中，而在保護基解離之後，該酚骨架會變成可溶於鹼性水溶液中，（B）以三甲基乙醯基保護聚（對羥基苯乙烯）中的部分羥基所得到之樹脂，及（C）酸產生劑。
简体摘要：本发明系提供化学放大型正阻剂组成物，包括（A）具有酚骨架之树脂，其中该酚骨架含有可借由酸作用而解离之保护基，该酚骨架本身不溶于或不易溶于碱性水溶液中，而在保护基解离之后，该酚骨架会变成可溶于碱性水溶液中，（B）以三甲基乙酰基保护聚（对羟基苯乙烯）中的部分羟基所得到之树脂，及（C）酸产生剂。

48. 发明专利

TW200304476A 聚合物電解質組成物及其用途 POLYMER ELECTROLYTE COMPOSITION AND USES THEREOF 失效
简体标题：聚合物电解质组成物及其用途 POLYMER ELECTROLYTE COMPOSITION AND USES THEREOF
公开(公告)号：TW200304476A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW092100617
申请日：2003-01-13
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：佐佐木繁 , 八代有弘 , 日高康昌 , 谷口拓未
IPC分类号： C08L
CPC分类号： H01M8/1032 , C08G65/48 , C08G75/23 , C08G2650/02 , C08J5/2256 , C08J2371/12 , C08K5/521 , H01M8/1025 , H01M8/1027 , H01M8/106 , H01M8/1081 , H01M2300/0082 , H01M2300/0094 , Y02P70/56 , C08L71/12
摘要：本發明係提供一種耐自由基特性及／或質子導電率極佳的聚合物電解質組成物。聚合物電解質組成物包含由以下的式(1)代表的芳族聚合物膦酸衍生物及至少一種選自由磷酸衍生物和聚合物電解質所構成的群組092100617p01.bmp(其中-Z-代表-SO2-或-CO-，x及y各自代表0.01-0.99，其先決條件係x與y之總和係1，-Ar-代表4-18個碳原子之二價芳族，其可以包括雜原子及可以包括一或多個取代基，n代表以每單元包括芳族之聚合物部份的結構計之取代基平均數及其係8或更小之正數，以及R及R'係各自獨立代表氫原子或烷基)。
简体摘要：本发明系提供一种耐自由基特性及／或质子导电率极佳的聚合物电解质组成物。聚合物电解质组成物包含由以下的式(1)代表的芳族聚合物膦酸衍生物及至少一种选自由磷酸衍生物和聚合物电解质所构成的群组092100617p01.bmp(其中-Z-代表-SO2-或-CO-，x及y各自代表0.01-0.99，其先决条件系x与y之总和系1，-Ar-代表4-18个碳原子之二价芳族，其可以包括杂原子及可以包括一或多个取代基，n代表以每单元包括芳族之聚合物部份的结构计之取代基平均数及其系8或更小之正数，以及R及R'系各自独立代表氢原子或烷基)。

49. 发明专利

TW200304242A 非水性二次電池用之電極材料 ELECTRODE MATERIAL FOR NON-AQUEOUS SECONDARY BATTERY 审中-公开
简体标题：非水性二次电池用之电极材料 ELECTRODE MATERIAL FOR NON-AQUEOUS SECONDARY BATTERY
公开(公告)号：TW200304242A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092102956
申请日：2003-02-13
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：岡田明彥 AKIHIKO OKADA , 濱松浩 HIROSHI HAMANATSU , 中根堅次 KENJI NAKANE
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M4/505 , H01M4/0471 , H01M4/13 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/46 , H01M4/525 , H01M2004/021
摘要：本發明提出一種非水性二次電池用之電極材料，該電極材料包括活性材料，該活性材料上塗覆著含有包括A1和0的塗覆化合物之塗覆材料，其中將塗覆材料樣品繞著魔角軸旋轉所測量到的固態NMR之^27A1譜峰能滿足特定條件；且本發明進一步提出一種含有該電極材料的非水性二次電池。
简体摘要：本发明提出一种非水性二次电池用之电极材料，该电极材料包括活性材料，该活性材料上涂覆着含有包括A1和0的涂覆化合物之涂覆材料，其中将涂覆材料样品绕着魔角轴旋转所测量到的固态NMR之^27A1谱峰能满足特定条件；且本发明进一步提出一种含有该电极材料的非水性二次电池。

50. 发明专利

TW200304021A 光學薄膜晶片製造方法 MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL FILM CHIP 审中-公开
简体标题：光学薄膜芯片制造方法 MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL FILM CHIP
公开(公告)号：TW200304021A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092103611
申请日：2003-02-21
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山口隆行 TAKAYUKI YAMAGUCHI , 那須拓郎 TAKUROU NASU , 及川伸 SHIN OIKAWA
IPC分类号： G02F , G02B
摘要：一種能夠提高生產能力的光學薄膜晶片製造方法，以及該方法中使用的光學薄膜中間體的自動切出裝置。此光學薄膜晶片的製造方法包括下列步驟：從長光學薄膜中切出光學薄膜中間體的切割步驟、從切出的光學薄膜中間體切出光學薄膜晶片的切片步驟、檢查切出的光學薄膜晶片的檢查步驟和將檢查後之光學薄膜晶片按一定片數包裝的包裝步驟。在切割步驟中，光學薄膜晶片中間體的切出與切片步驟是自動連續進行的。在檢查步驟中，依次檢查由切片步驟取得的光學薄膜晶片，並利用片數檢測裝置自動檢測已檢查過的光學薄膜晶片的數目，當檢查過的光學薄膜晶片的數目達到一定片數時，即將這些一定片數的光學薄膜晶片送往包裝步驟。
简体摘要：一种能够提高生产能力的光学薄膜芯片制造方法，以及该方法中使用的光学薄膜中间体的自动切出设备。此光学薄膜芯片的制造方法包括下列步骤：从长光学薄膜中切出光学薄膜中间体的切割步骤、从切出的光学薄膜中间体切出光学薄膜芯片的切片步骤、检查切出的光学薄膜芯片的检查步骤和将检查后之光学薄膜芯片按一定片数包装的包装步骤。在切割步骤中，光学薄膜芯片中间体的切出与切片步骤是自动连续进行的。在检查步骤中，依次检查由切片步骤取得的光学薄膜芯片，并利用片数检测设备自动检测已检查过的光学薄膜芯片的数目，当检查过的光学薄膜芯片的数目达到一定片数时，即将这些一定片数的光学薄膜芯片送往包装步骤。

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