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31. 发明专利

TW201541173A 偏極光發射裝置审中-公开
简体标题：偏极光发射设备
公开(公告)号：TW201541173A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104109606
申请日：2015-03-25
申请人：馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：長谷川雅樹 , HASEGAWA, MASAKI
IPC分类号： G02F1/355
CPC分类号： G02B5/3025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/54 , C09K11/883 , G02F1/13362 , G02F2202/36 , H05B33/145 , H05B33/20 , Y10S977/762 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要：本發明係關於一種包括複數個螢光半導體量子棒之偏極光發射裝置，及其製法。本發明另外係關於偏極光發射裝置在光學裝置中之用途，及包括該偏極光發射裝置之光學裝置。
简体摘要：本发明系关于一种包括复数个萤光半导体量子棒之偏极光发射设备，及其制法。本发明另外系关于偏极光发射设备在光学设备中之用途，及包括该偏极光发射设备之光学设备。

32. 发明专利

TW201538604A 藉由嵌段共聚物之自組裝致能奈米結構產生之方法审中-公开
简体标题：借由嵌段共聚物之自组装致能奈米结构产生之方法
公开(公告)号：TW201538604A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103143070
申请日：2014-12-10
申请人：艾克瑪公司 , ARKEMA FRANCE , 科學研究國際中心 , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , 波爾多大學 , UNIVERSITE DE BORDEAUX , 波爾多理工學院 , INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX
发明人：蒙塔茲穆翰德 , MUMTAZ, MUHAMMAD , 埃蘇卡林 , AISSOU, KARIM , 布羅瓊希利爾 , BROCHON, CYRIL , 克勞提特艾瑞克 , CLOUTET, ERIC , 弗勒瑞紀堯姆 , FLEURY, GUILLAUME , 哈齊歐諾喬治斯 , HADZIIOANNOU, GEORGES , 納法洛克里斯多福 , NAVARRO, CHRISTOPHE , 尼可立席琳亞 , NICOLET, CELIA , 契法里爾澤維爾 , CHEVALIER, XAVIER
IPC分类号： C08L53/00 , C08J7/04 , C08J5/00 , C09D153/00 , G03F7/00 , H01L21/027 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C09D153/00 , B05D1/005 , B05D1/28 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08G77/60 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , Y10S977/892
摘要：本發明係關於一種藉由嵌段共聚物之自組裝致能奈米結構產生之方法，由單體之聚合反應而得之嵌段共聚物中嵌段之至少一者包含至少一個對應於式I之環狀實體：其中X=Si(R1,R2)；Ge(R1,R2) Z=Si(R3,R4)；Ge(R3,R4)；O；S；C(R3,R4) Y=O；S；C(R5,R6) T=O；S；C(R7,R8) R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8係選自氫、具有或不具有雜原子的直鏈、支鏈或環狀烷基、及具有或不具有雜原子的芳基。
简体摘要：本发明系关于一种借由嵌段共聚物之自组装致能奈米结构产生之方法，由单体之聚合反应而得之嵌段共聚物中嵌段之至少一者包含至少一个对应于式I之环状实体：其中X=Si(R1,R2)；Ge(R1,R2) Z=Si(R3,R4)；Ge(R3,R4)；O；S；C(R3,R4) Y=O；S；C(R5,R6) T=O；S；C(R7,R8) R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8系选自氢、具有或不具有杂原子的直链、支链或环状烷基、及具有或不具有杂原子的芳基。

33. 发明专利

TW201412935A 高度發光奈米結構及其製造方法审中-公开
简体标题：高度发光奈米结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201412935A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102120548
申请日：2013-06-10
申请人：奈米系統股份有限公司 , NANOSYS, INC.
发明人：郭文卓 , GUO, WENZHUO , 陳建 , CHEN, JIAN , 杜柏洛威羅伯特S , DUBROW, ROBERT S. , 費曼威廉P , FREEMAN, WILLIAM P.
IPC分类号： C09K11/06 , C09K11/70
CPC分类号： C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K11/565 , C09K11/70 , H01L33/005 , H01L33/0083 , H01L33/06 , H01L33/502 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , Y10S977/774 , Y10S977/778 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/825 , Y10S977/84 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要：本發明提供一種高度發光奈米結構，特別是高度發光量子點。該奈米結構具有高光照發光量子產率，且在某些具體實例中，於特別波長處發射光及具有窄的尺寸分佈。該奈米結構可包含配位基，包括在殼形成期間使用的C5-C8羧酸配位基及/或在合成後提供之二羧酸或多元羧酸配位基。亦提供一種用以製造此高度發光奈米結構的方法，包括用以讓奈米結構核心富含化銦的方法及用於殼合成的技術。
简体摘要：本发明提供一种高度发光奈米结构，特别是高度发光量子点。该奈米结构具有高光照发光量子产率，且在某些具体实例中，于特别波长处发射光及具有窄的尺寸分布。该奈米结构可包含配位基，包括在壳形成期间使用的C5-C8羧酸配位基及/或在合成后提供之二羧酸或多元羧酸配位基。亦提供一种用以制造此高度发光奈米结构的方法，包括用以让奈米结构内核富含化铟的方法及用于壳合成的技术。

34. 发明专利

TW201248894A 包含量子點之裝置及其製造方法 DEVICE INCLUDING QUANTUM DOTS AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：包含量子点之设备及其制造方法 DEVICE INCLUDING QUANTUM DOTS AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW201248894A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101109231
申请日：2012-03-16
申请人： QD視光有限公司
发明人：周照群 , 克拉茲彼得T , 馬西福德班傑明S
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/502 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/06 , H01L51/005 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/4233 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/5369 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95
摘要：本發明之一個實施例係關於一種裝置,該裝置包括一對電極,包括陽極及陰極;包括量子點之層,其安置在該等電極之間,其中至少一部分該等量子點包括包含第一半導體材料之核及圍繞該核之外殼,該殼包括第二半導體材料,其中相較於電子,該第一半導體材料更佳地將電洞侷限於該核中,且該第二半導體材料對電子具可滲透性;及包括能夠傳遞及注入電子之材料的第一層,該材料包括第一無機半導體材料之奈米粒子,該第一層係安置在該包括量子點之層與該陰極之間,其中該第一層與該陰極在該裝置操作期間形成歐姆接觸。在第二實施例中,裝置包括一對電極,包括陽極及陰極;包括量子點之層,其安置在該等電極之間;包括能夠傳遞及注入電子之材料的第一層,該材料包括n摻雜無機半導體材料之奈米粒子,該第一層係與該陰極接觸且位於該發射層與該陰極之間;及包括能夠傳遞電子之材料的第二層,其包括無機半導體材料,該第二層係安置在該發射層與該第一層之間,其中該第二層的電子電導率低於該第一層。在第三實施例中,裝置包括一對電極,包括陽極及陰極;包括量子點之層,其安置在該等電極之間;及經UV處理之包括能夠傳遞及注入電子之材料的第一層,其與該陰極接觸且位於該發射層與該陰極之間,該能夠傳遞及注入電子之材料包括無機半導體材料。亦揭示一種方法及其他實施例。
简体摘要：本发明之一个实施例系关于一种设备,该设备包括一对电极,包括阳极及阴极;包括量子点之层,其安置在该等电极之间,其中至少一部分该等量子点包括包含第一半导体材料之核及围绕该核之外壳,该壳包括第二半导体材料,其中相较于电子,该第一半导体材料更佳地将电洞局限于该核中,且该第二半导体材料对电子具可渗透性;及包括能够传递及注入电子之材料的第一层,该材料包括第一无机半导体材料之奈米粒子,该第一层系安置在该包括量子点之层与该阴极之间,其中该第一层与该阴极在该设备操作期间形成欧姆接触。在第二实施例中,设备包括一对电极,包括阳极及阴极;包括量子点之层,其安置在该等电极之间;包括能够传递及注入电子之材料的第一层,该材料包括n掺杂无机半导体材料之奈米粒子,该第一层系与该阴极接触且位于该发射层与该阴极之间;及包括能够传递电子之材料的第二层,其包括无机半导体材料,该第二层系安置在该发射层与该第一层之间,其中该第二层的电子电导率低于该第一层。在第三实施例中,设备包括一对电极,包括阳极及阴极;包括量子点之层,其安置在该等电极之间;及经UV处理之包括能够传递及注入电子之材料的第一层,其与该阴极接触且位于该发射层与该阴极之间,该能够传递及注入电子之材料包括无机半导体材料。亦揭示一种方法及其他实施例。

35. 发明专利

TW200616020A 摻雜且伸長之半導體成品,該成品之成長,包含該成品之元件及該元件之製造 DOPED ELONGATED SEMICONDUCTOR ARTICLES, GROWING SUCH ARTICLES, DEVICES INCLUDING SUCH ARTICLES AND FABRICATING SUCH DEVICES 审中-公开
简体标题：掺杂且伸长之半导体成品,该成品之成长,包含该成品之组件及该组件之制造 DOPED ELONGATED SEMICONDUCTOR ARTICLES, GROWING SUCH ARTICLES, DEVICES INCLUDING SUCH ARTICLES AND FABRICATING SUCH DEVICES
公开(公告)号：TW200616020A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094143539
申请日：2001-08-22
申请人：哈佛學院董事評議委員 PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE
发明人：查爾士M. 李伯 LIEBER, CHARLES M. , 崔儀 CUI, YI , 段祥丰 DUAN, XIANGFENG , 黃玉 HUANG, YU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要：一種本體(bulk)摻雜之半導體，包含一至少具有窄於500奈米之最小寬度的部份。該半導體可包括一含有一第一半導體之內部核心；一含有不同於該第一半導體之材質的外部覆殼。該半導體可為長化，且於沿該半導體之縱軸區段的任何點處上，可具有該區段長度對一最大寬度的比例值高於4：1，或高於10：1，或甚而高於100：1。至少該半導體其一局部可為少於200奈米，或少於150奈米、少於100奈米、少於80奈米、少於70奈米、少於60奈米、少於40奈米、少於20奈米、少於10奈米或甚而少於5奈米之最小寬度。這種半導體可為單結晶或自立式。這種半導體或為某一裝置的一部份，可包括下列各項之任意組合：一切換器、一二極體；一光發二極體；一隧穿二極體、電晶體(即如雙極接合電晶體或一場效電晶體)；一反相器；一感測器(即如光學式者)；一記憶體裝置(如動態或靜態者)；一雷射；一邏輯閘器(即如AND閘器、NAND閘器、EXCLUSIVE–AND閘器、OR閘器、NOR閘器、或是一EXCLUSIVE–OR閘器)；一鎖閂器；一暫存器；一時鐘電路；一邏輯陣列；一狀態機；一可程式化電路；一放大器；一變壓器；一信號處理器；一數位電路；一類比電路；或具有數位和類比諸元或彼等組合之電路，以及任何其他元件。這種半導體可為輕型n型摻雜、重型n型摻雜、輕型p型摻雜或是重型摻p型摻雜者。而這種半導體的摻雜方式，可為於各種可製造該半導體裝置之組裝技術的成長過程中來進行。可將兩項以上的這種半導體，包括一系列的這種半導體，予以合併，俾構成出該裝置的相交p–n接合處。這種裝置可展現出量子禁限(Quantum Confinement)，且可藉選取這種裝置的寬度，來控制從其一或許多該等半導體所放射出的光線波長。按此所製作出的這種半導體與裝置可適合於各式應用。
简体摘要：一种本体(bulk)掺杂之半导体，包含一至少具有窄于500奈米之最小宽度的部份。该半导体可包括一含有一第一半导体之内部内核；一含有不同于该第一半导体之材质的外部覆壳。该半导体可为长化，且于沿该半导体之纵轴区段的任何点处上，可具有该区段长度对一最大宽度的比例值高于4：1，或高于10：1，或甚而高于100：1。至少该半导体其一局部可为少于200奈米，或少于150奈米、少于100奈米、少于80奈米、少于70奈米、少于60奈米、少于40奈米、少于20奈米、少于10奈米或甚而少于5奈米之最小宽度。这种半导体可为单结晶或自立式。这种半导体或为某一设备的一部份，可包括下列各项之任意组合：一切换器、一二极管；一光发二极管；一隧穿二极管、晶体管(即如双极接合晶体管或一场效应管)；一反相器；一传感器(即如光学式者)；一内存设备(如动态或静态者)；一激光；一逻辑门器(即如AND闸器、NAND闸器、EXCLUSIVE–AND闸器、OR闸器、NOR闸器、或是一EXCLUSIVE–OR闸器)；一锁闩器；一寄存器；一时钟电路；一逻辑数组；一状态机；一可进程化电路；一放大器；一变压器；一信号处理器；一数字电路；一模拟电路；或具有数码和模拟诸元或彼等组合之电路，以及任何其他组件。这种半导体可为轻型n型掺杂、重型n型掺杂、轻型p型掺杂或是重型掺p型掺杂者。而这种半导体的掺杂方式，可为于各种可制造该半导体设备之组装技术的成长过程中来进行。可将两项以上的这种半导体，包括一系列的这种半导体，予以合并，俾构成出该设备的相交p–n接合处。这种设备可展现出量子禁限(Quantum Confinement)，且可藉选取这种设备的宽度，来控制从其一或许多该等半导体所放射出的光线波长。按此所制作出的这种半导体与设备可适合于各式应用。

36. 发明专利

TW411561B 在電漿增强四乙基矽酸鹽中加入氟以控制半導體元件之絕緣特性失效
简体标题：在等离子增强四乙基硅酸盐中加入氟以控制半导体组件之绝缘特性
公开(公告)号：TW411561B
公开(公告)日：2000-11-11
申请号：TW087112193
申请日：1998-07-24
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：克里斯尼格 , 祖爾格蘭 , 石美儀 , 黃裘娣
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02131 , C23C16/402 , H01L21/02129 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/31629 , H01L21/762 , Y10S977/891 , Y10S977/892
摘要：本發明中提供一種加入氟於氧化矽層中以減少電荷陷阱之方法與裝置，此方法可包含以下步驟:本發明的一實施例可包含以下步驟:導入含氟源至反應室中，其流量係使用足以於氧化矽層中產生所需氟濃度的流量;通入一包含有含矽源、含氧源、及含氟源之反應氣體至反應室:維持反應室內之沈積區域於適於沈積含有上述氟濃度之氧化矽層於基材上的反應條件。在較佳的實施例中，氧化矽層含入的氟濃度可為約lx10^20 atoms/cm3至lx10^21 atoms/cm3之間。在另一較佳實施例中，氧化矽層係沈積做為前金屬介電層之第一層之用。
简体摘要：本发明中提供一种加入氟于氧化硅层中以减少电荷猫腻之方法与设备，此方法可包含以下步骤:本发明的一实施例可包含以下步骤:导入含氟源至反应室中，其流量系使用足以于氧化硅层中产生所需氟浓度的流量;通入一包含有含硅源、含氧源、及含氟源之反应气体至反应室:维持反应室内之沉积区域于适于沉积含有上述氟浓度之氧化硅层于基材上的反应条件。在较佳的实施例中，氧化硅层含入的氟浓度可为约lx10^20 atoms/cm3至lx10^21 atoms/cm3之间。在另一较佳实施例中，氧化硅层系沉积做为前金属介电层之第一层之用。

37. 发明专利

TW201732381A 奈米結構材料結構及方法审中-公开
简体标题：奈米结构材料结构及方法
公开(公告)号：TW201732381A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105143702
申请日：2016-12-28
申请人：陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , 羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 伊利諾伊大學受託人董事會 , THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS
发明人：坎寧漢布萊恩 , CUNNINGHAM, BRIAN , 西葛羅黎亞G , SEE, GLORIA G. , 特萊弗納斯彼得III , TREFONAS, PETER III , 張潔倩 , ZHANG, JIEQIAN , 朴鍾根 , PARK, JONG K. , 霍華凱文 , HOWARD, KEVIN , 得什潘德基秀瑞 , DESHPANDE, KISHORI , 特雷弗尤爾斯 , TREVOR, EWERS
IPC分类号： G02F1/01 , G02F1/29
CPC分类号： G02B1/005 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/883 , F21K9/64 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要：在一個態樣中，提供包括光子晶體之結構，所述光子晶體包括介電層，所述介電層在其中包括一或多種發光奈米結構材料。在另一態樣中，提供包括介電層之結構，所述介電層在所述介電層內之不同深度處包括第一及第二組發光奈米結構材料。
简体摘要：在一个态样中，提供包括光子晶体之结构，所述光子晶体包括介电层，所述介电层在其中包括一或多种发光奈米结构材料。在另一态样中，提供包括介电层之结构，所述介电层在所述介电层内之不同深度处包括第一及第二组发光奈米结构材料。

38. 发明专利

TW201729901A 於顯示裝置中基於量子點之色轉換層审中-公开
简体标题：于显示设备中基于量子点之色转换层
公开(公告)号：TW201729901A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139934
申请日：2016-12-02
申请人：奈米系統股份有限公司 , NANOSYS, INC.
发明人：哈洛夫傑生 , HARTLOVE, JASON , 哈德夫維拉爾 , HARDEV, VEERAL , 闞氏海 , KAN, SHIHAI , 陳建 , CHEN, JIAN , 雅馬納加傑伊 , YAMANAGA, JAY , 怡潘克里斯坦 , IPPEN, CHRISTIAN , 郭文卓 , GUO, WENZHUO , 霍茨查理斯 , HOTZ, CHARLES , 威爾森羅伯特 E , WILSON, ROBERT E.
IPC分类号： B01J13/08 , C09K11/02 , C09K11/88 , H01L27/32 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , B01J13/08 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64 , C09K11/025 , C09K11/883 , H01L27/322 , H01L2251/5369 , H01L2933/0083 , H05B33/14 , H05B33/20 , Y10S977/774 , Y10S977/815 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , Y10S977/952
摘要：在此描述一包括阻障層塗覆的量子點之顯示裝置以及製造該阻障層塗覆的量子點之方法之具體例。各該阻障層塗覆的量子點包括一核心-殼結構以及一安置在該核心-殼結構上之疏水性阻障層。該疏水性阻障層配置成可在一個量子點的核心-殼結構與其它和該一個量子點實質上接觸之量子點的核心-殼結構之間，提供一距離。製造該阻障層塗覆的量子點之方法包括使用界面活性劑形成反微胞，以及使量子點併入該反微胞中。該方法另外包括在該併入的量子點上個別地塗覆一阻障層，以及分離帶有該反微胞之界面活性劑於該阻障層上之阻障層塗覆的量子點。
简体摘要：在此描述一包括阻障层涂覆的量子点之显示设备以及制造该阻障层涂覆的量子点之方法之具体例。各该阻障层涂覆的量子点包括一内核-壳结构以及一安置在该内核-壳结构上之疏水性阻障层。该疏水性阻障层配置成可在一个量子点的内核-壳结构与其它和该一个量子点实质上接触之量子点的内核-壳结构之间，提供一距离。制造该阻障层涂覆的量子点之方法包括使用界面活性剂形成反微胞，以及使量子点并入该反微胞中。该方法另外包括在该并入的量子点上个别地涂覆一阻障层，以及分离带有该反微胞之界面活性剂于该阻障层上之阻障层涂覆的量子点。

39. 发明专利

TWI592221B 使用含經靜電穩定的銀奈米粒子之分散體製造導電表面塗層之方法，分散體及其製造方法有权
简体标题：使用含经静电稳定的银奈米粒子之分散体制造导电表面涂层之方法，分散体及其制造方法
公开(公告)号：TWI592221B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW100108208
申请日：2011-03-11
申请人：拜耳材料科學股份有限公司 , BAYER MATERIALSCIENCE AG
发明人：魯德哈德特丹尼爾 , RUDHARDT, DANIEL , 伊登史蒂芬妮 , EIDEN, STEFANIE , 史朵奇德克 , STORCH, DIRK , 沙得里奇艾爾沙 , SCHAEDLICH, ELSA KAROLINE , 索莫菲德斯凡 , SOMMERFELD, SVEN
IPC分类号： B05D5/12 , H01B13/00
CPC分类号： H01B1/22 , Y10S977/773 , Y10S977/892

40. 发明专利

TW201625748A 用於製備導電透明層的含有銀奈米線及分散的聚合物珠粒之組成物审中-公开
简体标题：用于制备导电透明层的含有银奈米线及分散的聚合物珠粒之组成物
公开(公告)号：TW201625748A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104126373
申请日：2015-08-13
申请人：巴斯夫歐洲公司 , BASF SE
发明人：迪許賀夫 , DIETSCH, HERVE , 史頓湯瑪士 , STURM, THOMAS , 瑟福利得丹尼 , SEYFRIED, DANNY , 霸特斯法蘭克 , BARTELS, FRANK , 張銳 , ZHANG, RUI
IPC分类号： C09D5/24 , H01B1/12
CPC分类号： C09D5/24 , B05D3/0254 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D7/70 , H01B1/026 , H01B1/22 , Y10S977/762 , Y10S977/81 , Y10S977/892 , Y10S977/932
摘要：本發明描述一種適用於製備導電透明層之組成物，該組成物包含銀奈米線及分散的聚合物珠粒。
简体摘要：本发明描述一种适用于制备导电透明层之组成物，该组成物包含银奈米线及分散的聚合物珠粒。

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