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31. 发明专利

TW201039382A 形成電活性層之方法 PROCESS FOR FORMING AN ELECTROACTIVE LAYER 审中-公开
简体标题：形成电活性层之方法 PROCESS FOR FORMING AN ELECTROACTIVE LAYER
公开(公告)号：TW201039382A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099106740
申请日：2010-03-08
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：雀斯特菲爾德瑞德約翰 , 巴特勒賈斯汀 , 聖保羅安東尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0004 , F26B5/04 , H01L27/3211 , H01L27/3295 , H01L51/0003 , H01L51/0005 , H01L51/0026 , H01L51/0029 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , H01L51/56
摘要：提供一種形成具有實質上平坦輪廓之電活性材料層的方法。此方法包括:提供具有至少一主動區域之工件、沈積包括電活性材料之液體組成物至主動區域中之工件上以形成濕層、在-25至80℃的範圍中之受控溫度且在10-6至1,000Torr範圍中之真空下於1至100分鐘的第一時期中處理工件上的濕層以形成局部乾燥化層、於1至50分鐘的第二時期中將局部乾燥層加熱至100℃以上的溫度以形成乾燥層。
简体摘要：提供一种形成具有实质上平坦轮廓之电活性材料层的方法。此方法包括:提供具有至少一主动区域之工件、沉积包括电活性材料之液体组成物至主动区域中之工件上以形成湿层、在-25至80℃的范围中之受控温度且在10-6至1,000Torr范围中之真空下于1至100分钟的第一时期中处理工件上的湿层以形成局部干燥化层、于1至50分钟的第二时期中将局部干燥层加热至100℃以上的温度以形成干燥层。

32. 发明专利

TW200802119A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200802119A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096103361
申请日：2007-01-30
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：高野圭惠 TAKANO, TAMAE , 大澤信晴 OHSAWA, NOBUHARU , 加藤清 KATO, KIYOSHI
IPC分类号： G06K
CPC分类号： H01L27/13 , G06K19/07784 , G11C7/062 , G11C7/22 , H01F5/003 , H01L23/49838 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L27/0688 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/285 , H01L33/36 , H01L51/05 , H01L51/0591 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L2223/6672 , H01L2223/6677 , H01L2251/5338 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01Q1/2283 , H01Q1/36 , H01Q9/27 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要：當在線圈狀天線部內形成有佔有大面積的導電層時,難以穩定第供應電源。藉由層疊記憶電路部和線圈狀天線部,可以防止電流流過記憶電路部所包括的佔有大面積的導電層,並可以謀求低耗電量。另外,藉由層疊記憶電路部和線圈狀天線部,可以有效地利用空間。因此,可以實現半導體裝置的小型化。
简体摘要：当在线圈状天线部内形成有占有大面积的导电层时,难以稳定第供应电源。借由层叠记忆电路部和线圈状天线部,可以防止电流流过记忆电路部所包括的占有大面积的导电层,并可以谋求低耗电量。另外,借由层叠记忆电路部和线圈状天线部,可以有效地利用空间。因此,可以实现半导体设备的小型化。

33. 发明专利

TW200528393A 豆莢構造與使用此構造的量子效應元件以及其製造方法 PEAPOD STRUCTURE, QUANTUM EFFECT DEVICE USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：豆荚构造与使用此构造的量子效应组件以及其制造方法 PEAPOD STRUCTURE, QUANTUM EFFECT DEVICE USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200528393A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW093108466
申请日：2004-03-29
申请人：國立大學法人名古屋大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
发明人：大野雄高 OHNO, YUTAKA , 水谷孝 MIZUTANI, TAKASHI , 篠原久典 SHINOHARA, HISANORI , 岡崎俊也 OKAZAKI, TOSHIYA , 田行志 SHIMADA, TAKASHI
IPC分类号： C01B
CPC分类号： H01L51/05 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0048
摘要：一種豆莢異質接合構造81形成的雙層障壁量子井構造，其具有在直徑數nm程度的單層碳奈米管內的延伸方向順次形成而構成的有第1帶隙的第1構造83a、具有比第1構造83a寬且有第2帶隙的第2構造85a、具有比第2構造85a窄且有第3帶隙的第3構造87、具有第2帶隙的第4構造85b和具有第1帶隙的第5構造83b。使用此技術可以不需要特別的微細加工技術就可以得到微細的量子構造。
简体摘要：一种豆荚异质接合构造81形成的双层障壁量子井构造，其具有在直径数nm程度的单层碳奈米管内的延伸方向顺次形成而构成的有第1带隙的第1构造83a、具有比第1构造83a宽且有第2带隙的第2构造85a、具有比第2构造85a窄且有第3带隙的第3构造87、具有第2带隙的第4构造85b和具有第1带隙的第5构造83b。使用此技术可以不需要特别的微细加工技术就可以得到微细的量子构造。

34. 发明专利

TW201811857A 含硼高分子化合物及其用途审中-公开
公开(公告)号：TW201811857A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106117803
申请日：2017-05-31
申请人：綜研化學股份有限公司 , SOKEN CHEMICAL & ENGINEERING CO., LTD.
发明人：大前武士 , OHMAE, TAKESHI , 羽田英樹 , HATA, HIDEKI
IPC分类号： C08G61/12 , H01L51/05
CPC分类号： C08G61/12 , H01L29/786 , H01L35/24 , H01L51/05
摘要：提供一種有機半導體用含硼高分子化合物，該有機半導體用含硼高分子化合物的LUMO/HOMO位準深，且在單位結構中具有廣闊的π共軛平面，因高可溶性而能夠高分子量化。根據本發明的幾個方式，提供一種高分子化合物，包含以下式(1)表示的結構單元，該結構單元包含至少具有2個硼-氮配位元鍵的結構W以及作為具有共軛結構的2價取代基的結構π， m表示0或者1，結構W以下式(2)或者(3)表示，【化2】環X1、X2、Z表示具有共軛結構的單環或者稠環，環Y1、Y2為具有所述硼-氮配位鍵的5元環，α1以及α3的任一方為氮原子，α2以及α4的任一方為氮原子，R1~R4可以相同或不同，可藉由其他骨架鍵合於硼，表示至少具有1個可被取代的碳原子數為10~40的直鏈或支鏈烷基的1價取代基。
简体摘要：提供一种有机半导体用含硼高分子化合物，该有机半导体用含硼高分子化合物的LUMO/HOMO位准深，且在单位结构中具有广阔的π共轭平面，因高可溶性而能够高分子量化。根据本发明的几个方式，提供一种高分子化合物，包含以下式(1)表示的结构单元，该结构单元包含至少具有2个硼-氮配比特键的结构W以及作为具有共轭结构的2价取代基的结构π， m表示0或者1，结构W以下式(2)或者(3)表示，【化2】环X1、X2、Z表示具有共轭结构的单环或者稠环，环Y1、Y2为具有所述硼-氮配位键的5元环，α1以及α3的任一方为氮原子，α2以及α4的任一方为氮原子，R1~R4可以相同或不同，可借由其他骨架键合于硼，表示至少具有1个可被取代的碳原子数为10~40的直链或支链烷基的1价取代基。

35. 发明专利

TW201803173A 有機元件用電極及有機元件审中-公开
简体标题：有机组件用电极及有机组件
公开(公告)号：TW201803173A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111086
申请日：2017-03-31
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：卡那加席卡蘭桑加維奴 , KANAGASEKARAN, THANGAVEL , 下谷秀和 , SHIMOTANI, HIDEKAZU , 谷垣勝己 , TANIGAKI, KATSUMI
IPC分类号： H01L51/10 , H01L51/44 , H01L51/52
CPC分类号： H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/26
摘要：本發明提供一種連接於有機半導體的有機元件用電極，其係具備電極體、以及設置於前述電極體的第1面且減少在與有機半導體之接觸界面之接觸電阻的有機半導體多結晶膜。
简体摘要：本发明提供一种连接于有机半导体的有机组件用电极，其系具备电极体、以及设置于前述电极体的第1面且减少在与有机半导体之接触界面之接触电阻的有机半导体多结晶膜。

36. 发明专利

TW201735263A 膜的製造方法审中-公开
简体标题：膜的制造方法
公开(公告)号：TW201735263A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106110213
申请日：2017-03-28
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：中村誠吾 , NAKAMURA, SEIGO , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 板井雄一郎 , ITAI, YUICHIRO , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/786 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
摘要：本發明的膜的製造方法包含形成膜的製造步驟，其為使與基板的基板表面對向而隔開配置的塗佈刮刀的刮刀表面於和存在於刮刀表面與基板表面之間的膜形成用的溶液相接的狀態下，於相對於基板表面而平行的面內在第1方向上移動，且溶液由刮刀表面與基板表面之間的儲液保持，塗佈刮刀的與溶液相接的外周端部的至少一部分於相對於基板表面而平行的面內相對於第1方向而傾斜。藉此提供一種以高生產性形成品質良好的膜的膜的製造方法。
简体摘要：本发明的膜的制造方法包含形成膜的制造步骤，其为使与基板的基板表面对向而隔开配置的涂布刮刀的刮刀表面于和存在于刮刀表面与基板表面之间的膜形成用的溶液相接的状态下，于相对于基板表面而平行的面内在第1方向上移动，且溶液由刮刀表面与基板表面之间的储液保持，涂布刮刀的与溶液相接的外周端部的至少一部分于相对于基板表面而平行的面内相对于第1方向而倾斜。借此提供一种以高生产性形成品质良好的膜的膜的制造方法。

37. 发明专利

TW201725625A 強介電體記憶元件、其製造方法、記憶胞及無線通信裝置审中-公开
简体标题：强介电体记忆组件、其制造方法、记忆胞及无线通信设备
公开(公告)号：TW201725625A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105138214
申请日：2016-11-22
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：脇田潤史 , WAKITA, JUNJI , 清水浩二 , SHIMIZU, HIROJI , 河井翔太 , KAWAI, SHOTA , 村瀬清一郎 , MURASE, SEIICHIRO
IPC分类号： H01L21/312 , H01L27/28 , H01L29/78 , H01L23/522
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , H01B1/22 , H01B5/16 , H01L21/288 , H01L27/105 , H01L27/28 , H01L29/786 , H01L51/05
摘要：本發明提供一種驅動電壓低、可塗佈形成的強介電體記憶元件。所述強介電體記憶元件至少包括第一導電膜、第二導電膜、及設置於所述第一導電膜與所述第二導電膜之間的強介電體層，所述強介電體層含有強介電體粒子及有機成分，進而所述強介電體粒子的平均粒徑為30 nm～500 nm。
简体摘要：本发明提供一种驱动电压低、可涂布形成的强介电体记忆组件。所述强介电体记忆组件至少包括第一导电膜、第二导电膜、及设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的强介电体层，所述强介电体层含有强介电体粒子及有机成分，进而所述强介电体粒子的平均粒径为30 nm～500 nm。

38. 发明专利

TW201716414A 有機薄膜電晶體、有機薄膜電晶體的製造方法、有機薄膜電晶體用材料、有機薄膜電晶體用組成物、有機半導體膜、化合物审中-公开
简体标题：有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管的制造方法、有机薄膜晶体管用材料、有机薄膜晶体管用组成物、有机半导体膜、化合物
公开(公告)号：TW201716414A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105124371
申请日：2016-08-02
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：津山博昭 , TSUYAMA, HIROAKI , 小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI , 福﨑英治 , FUKUZAKI, EIJI , 湯本眞敏 , YUMOTO, MASATOSHI , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 渡邉哲也 , WATANABE, TETSUYA , 岡本敏宏 , OKAMOTO, TOSHIHIRO , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： C07D495/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： C07D471/02 , C07D495/14 , C09B57/08 , H01L29/454 , H01L29/768 , H01L29/786 , H01L51/0056 , H01L51/05
摘要：本發明的課題在於提供一種有機薄膜電晶體、新穎的化合物、有機薄膜電晶體用材料、有機半導體膜、有機薄膜電晶體用組成物及使用其的有機薄膜電晶體的製造方法，所述有機薄膜電晶體具有使用於有機溶劑中的溶解性優異的化合物所製作的有機半導體膜，且載子遷移率優異。本發明的有機薄膜電晶體具有含有通式（1）所表示的化合物的有機半導體膜。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种有机薄膜晶体管、新颖的化合物、有机薄膜晶体管用材料、有机半导体膜、有机薄膜晶体管用组成物及使用其的有机薄膜晶体管的制造方法，所述有机薄膜晶体管具有使用于有机溶剂中的溶解性优异的化合物所制作的有机半导体膜，且载子迁移率优异。本发明的有机薄膜晶体管具有含有通式（1）所表示的化合物的有机半导体膜。

39. 发明专利

TW201710269A 有機薄膜電晶體及其製造方法、有機薄膜電晶體用材料、有機薄膜電晶體用組成物、化合物以及有機半導體膜审中-公开
简体标题：有机薄膜晶体管及其制造方法、有机薄膜晶体管用材料、有机薄膜晶体管用组成物、化合物以及有机半导体膜
公开(公告)号：TW201710269A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105124554
申请日：2016-08-03
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI , 津山博昭 , TSUYAMA, HIROAKI , 福﨑英治 , FUKUZAKI, EIJI , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 渡邉哲也 , WATANABE, TETSUYA , 後藤崇 , GOTO, TAKASHI , 岡本敏宏 , OKAMOTO, TOSHIHIRO , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： C07D517/04 , H01L51/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0071 , C07D517/04 , C09B57/00 , H01L29/786 , H01L51/0003 , H01L51/0005 , H01L51/0068 , H01L51/05 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要：本發明的課題在於提供一種於用於有機薄膜電晶體的有機半導體膜時有機薄膜電晶體顯示出高的載子遷移率的化合物、使用所述化合物的有機薄膜電晶體用材料、有機薄膜電晶體用組成物、有機薄膜電晶體及其製造方法以及有機半導體膜。本發明的有機薄膜電晶體於其有機半導體膜（有機半導體層）中含有下述通式（1）所表示的化合物。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种于用于有机薄膜晶体管的有机半导体膜时有机薄膜晶体管显示出高的载子迁移率的化合物、使用所述化合物的有机薄膜晶体管用材料、有机薄膜晶体管用组成物、有机薄膜晶体管及其制造方法以及有机半导体膜。本发明的有机薄膜晶体管于其有机半导体膜（有机半导体层）中含有下述通式（1）所表示的化合物。

40. 发明专利

TW201708300A 有機半導體元件、化合物、有機半導體組成物及有機半導體膜的製造方法审中-公开
简体标题：有机半导体组件、化合物、有机半导体组成物及有机半导体膜的制造方法
公开(公告)号：TW201708300A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105120881
申请日：2016-07-01
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山本陽介 , YAMAMOTO, YOSUKE , 滋野井悠太 , SHIGENOI, YUTA
IPC分类号： C08G61/12 , C08L65/00 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/12 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/18 , C08G2261/228 , C08G2261/314 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/334 , C08G2261/344 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/514 , C08G2261/92 , C09D5/24 , C09D165/00 , H01L29/786 , H01L51/0003 , H01L51/0043 , H01L51/05 , H01L51/0558
摘要：本發明的課題在於提供一種顯示出高載子移動率，且即便於高溫高濕下長時間保管，亦可穩定地維持載子移動率的有機半導體元件（特別是有機薄膜電晶體）、化合物、有機半導體組成物及有機半導體膜的製造方法。本發明的有機半導體元件含有分子量為2000以上、且具有由式（1）所表示的重複單元的化合物。式（1）中，A為電子受體單元，D表示電子施體單元，A及D的至少一者具有至少一個由式（1-1）所表示的一價的基。式（1-1）中，Ar表示芳香族雜環基或碳數5～18的芳香族烴基。Ca 表示CR1 R2 。La 表示碳數1～20的伸烷基。Lb 表示碳數9以上的烷基。l表示1～5的整數。*表示與其他結構的鍵結部位。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种显示出高载子移动率，且即便于高温高湿下长时间保管，亦可稳定地维持载子移动率的有机半导体组件（特别是有机薄膜晶体管）、化合物、有机半导体组成物及有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体组件含有分子量为2000以上、且具有由式（1）所表示的重复单元的化合物。式（1）中，A为电子受体单元，D表示电子施体单元，A及D的至少一者具有至少一个由式（1-1）所表示的一价的基。式（1-1）中，Ar表示芳香族杂环基或碳数5～18的芳香族烃基。Ca 表示CR1 R2 。La 表示碳数1～20的伸烷基。Lb 表示碳数9以上的烷基。l表示1～5的整数。*表示与其他结构的键结部位。

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