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    • 34. 发明专利
    • 含硼高分子化合物及其用途
    • TW201811857A
    • 2018-04-01
    • TW106117803
    • 2017-05-31
    • 綜研化學股份有限公司SOKEN CHEMICAL & ENGINEERING CO., LTD.
    • 大前武士OHMAE, TAKESHI羽田英樹HATA, HIDEKI
    • C08G61/12H01L51/05
    • C08G61/12H01L29/786H01L35/24H01L51/05
    • 提供一種有機半導體用含硼高分子化合物,該有機半導體用含硼高分子化合物的LUMO/HOMO位準深,且在單位結構中具有廣闊的π共軛平面,因高可溶性而能夠高分子量化。根據本發明的幾個方式,提供一種高分子化合物,包含以下式(1)表示的結構單元,該結構單元包含至少具有2個硼-氮配位元鍵的結構W以及作為具有共軛結構的2價取代基的結構π, m表示0或者1,結構W以下式(2)或者(3)表示,【化2】 環X1、X2、Z表示具有共軛結構的單環或者稠環,環Y1、Y2為具有所述硼-氮配位鍵的5元環,α1以及α3的任一方為氮原子,α2以及α4的任一方為氮原子,R1~R4可以相同或不同,可藉由其他骨架鍵合於硼,表示至少具有1個可被取代的碳原子數為10~40的直鏈或支鏈烷基的1價取代基。
    • 提供一种有机半导体用含硼高分子化合物,该有机半导体用含硼高分子化合物的LUMO/HOMO位准深,且在单位结构中具有广阔的π共轭平面,因高可溶性而能够高分子量化。根据本发明的几个方式,提供一种高分子化合物,包含以下式(1)表示的结构单元,该结构单元包含至少具有2个硼-氮配比特键的结构W以及作为具有共轭结构的2价取代基的结构π, m表示0或者1,结构W以下式(2)或者(3)表示,【化2】 环X1、X2、Z表示具有共轭结构的单环或者稠环,环Y1、Y2为具有所述硼-氮配位键的5元环,α1以及α3的任一方为氮原子,α2以及α4的任一方为氮原子,R1~R4可以相同或不同,可借由其他骨架键合于硼,表示至少具有1个可被取代的碳原子数为10~40的直链或支链烷基的1价取代基。